EM微电子 -
MARIN SA
EM4056
2KBIT读/写与ANTICOLLISION
非接触式识别装置
描述
的EM4056是CMOS集成电路，用于
在非接触式读/写转发器使用。
用户可配置的2千比特的EEPROM存储器
包含在组织中的16位125个字的芯片，
每个字都可以不可逆转地防止阅读
或/和写作的尝试。
用户可以定义一个密码和保护的一部分或者全部
的存储器。
序列号和身份证号码是由激光
在IC制造。一个保留的应用
编号可提供与客户的具体
根据要求提供。
的EM4056发送其数据向读取器通过
磁场的振幅调制，并接收
从类似的方式读出器的命令。
简单的命令集允许之间的对话
EM4056和读取器。读写命令
直接访问的内存地址。
的EM4056具有一个内置的防冲突协议，该协议
可以在读取器中无限个转发器的
现场同时对话。
发送天线是唯一的外部元件
必需的，所有其它元件集成在芯片上。
所述存储器的可编程密码覆盖范围（ 0 ，25，
50 ， 75或100％）的
电源检查EEPROM写操作
读者对话第一通信协议
数据传输通过振幅进行
调制（ASK）和双相（ CDP）的编码
运营商的数据速率2千波特（位周期= 64期
频）
100 150kHz的载波频率
远距离读/写操作
数据传输的块校验（CRC）
基于唯一ID防冲突协议
数（无限数量的标签。）
与假反PIN码识别链接
尝试
上芯片的算术运算（加法，比较
秘密和非机密数据等）
340pF
±
芯片上的谐振电容3 ％
无需外接电源缓冲电容
芯片整流器和电压限幅器
应用
票务
免提访问控制
假体识别
预付费设备
制造自动化与便携式数据库
工业物流
特点
2 Kbit的EEPROM组织的16位125个字
16位激光ROM 3个字的申请号
和序列号
可编程（ OTP）读取和/或写入保护
对每一个字
典型工作配置
C2
L
C1
EM4056
对于电感L典型值为4.78mH在f
O
= 125千赫
图。 1
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EM4056
框图
类似物
电路
天线
（ COIL ）
CLK
逻辑电路
串行输出
EEPROM
电源
地址
内存
激光ROM
3x16位
安全
（包括PIN码）
125kHz的电磁耦合
调制器
加法器
读/写
保护（ OTP ）
防冲突
解调器
125 ×16位
EEPROM
串行输入
图。 2
系统原理
125kHz的电磁耦合
读者
EM4056
命令模式
读者
振荡器
阅读器线圈
调制器
RS232
串行
接口
解码器
解调器
读者
COIL
应答器线圈
应答模式
应答器线圈
阅读器线圈
图。 3
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EM4056
绝对最大额定值
参数
电压
on
动力
供应垫
其他垫压
马克斯。交流峰值电流
致于COIL1和
COIL2
储存温度
工作温度
静电放电
最大。以MIL- STS- 883C
方法3015
符号
VDD
VPAD
ICOIL
Tstore
顶部
VESD
分钟。
-0.3
马克斯。
6.0
单位
V
办理程序
该器件还内置了防静电高
电压或电场;但是，防静电措施
必须注意对于任何其他的CMOS组件。除非
另外指定，否则正确的操作只能发生时
所有的端子电压被保持的电压范围内。
未使用的输入必须连接到一个定义的逻辑
电压电平。
VSS - 0.3 VDD + 0.3
V
- 30
+ 30
地图
-55
-40
+125
+85
1000
oC
oC
V
工作条件
参数
马克斯。交流电压线圈上
马克斯。 AC线圈电流
载波频率
符号最小值
coil相当
ICOIL
fcoil
顶部
-10
100
-40
最大
（注1 ）
+10
150
+85
单位
VPP
地图
千赫
°C
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏该设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件的可靠性
或导致故障。
工作温度
注1 ：
通过强制10毫安上Coil1 ， Coil2定义
电气特性
除非另有规定： VDD = 4.0 V， VSS = 0 V ， TOP = 25°C ， V coil相当= 4.5 Vpp的， fCOIL = 125 kHz正弦波
参数
电源电压（不规范）
电源电压（调节）
分钟。 EEPROM读取电压
分钟。 EEPROM的写入电压
EEPROM中读取当前
EEPROM的写入电流
电源检查EEPROM写
当前
EEPROM PWR检查门槛
电压
EEPROM数据的耐力
EEPROM保留
电压降
调制器
（注3）
符号
VPOS - REG
条件
VPOS - REG
=最大
（注1 ）
民
3.4
2.5
2.5
典型值
最大
(Note1)
V
DD
V
RD
V
WR
I
RD
I
WR
I
PWCHK
V
PWCHK
N
CY
T
RET
on
V
ON
C
COIL
V
公屋
T
单声道
V
CLK1min
V
CLK2min
4.3
单位
V
V
V
V
读取模式
写模式
读取模式
写模式
VDD = 4.0 V
（注2 ）
19
60
70
2.52
2.75
25
80
95
3.10
A
A
A
V
周期
YEAR
全部删除/写入所有
T
OP
= 55℃后， 105次循环
I
COIL
= 100
A
I
COIL
= 5毫安
105
10
0.50
2.50
330
340
2.0
25
50
350
2.6
85
4.5
1.0
V
COIL
-
V
SS
V
V
pF
V
s
VPP
VPP
谐振电容器
POR电压（高）
单稳态触发器延时
分钟。时钟提取器1的电压
（注4 ）
V
DD
升起
V
coil1 - coil2 （ min离心萃取）
V
coil1 - coil2 （ min离心萃取）
分钟。时钟提取2的电压
（注5 ）
注1 ：
马克斯。电源电压（不规范）是由强制直流电流10地图在销COIL1 ， COIL2定义
注2 ：
该电路是不是在低电平POR电压的功能
注3 ：
基于千小时测量在150℃
注4 ：
UPLINK
注5 ：
下行
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EM4056
时序特性
参数
发射位周期
符号
Tb0
Tb1
TAB
接收比特时代
接收比特周期仲裁
选择加工时间
阅读处理时间
写处理时间
ARB1处理时间
ARB2处理时间
仲裁时间格式
读取ROM格式的持续时间
选择时间格式
普罗特格式的时间
阅读格式的时间
书写格式的时间
比较持续时间格式
登录时间格式
EEPROM的写入时间
太比特
Tbitarb
TSP
激进党
TWP
Ta1p
Ta2p
Tarb
卓
Ts
Tp
Tr
Tw
Tc
Tl
T
ee
V
DD
= 3V
条件
调制时长
位0
第1位
开始位
8
典型值
ON OFF ON
26
36
16
64
32
190
126
3134
62
10
115
24.5
19.1
32.2
20.3
36.6
16.6
35.1
20.0
8
8
8
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
ms
单位
RF期
功能说明
一般
的EM4056有一个读使能位（ RDEN ）实现了与一个触发器单元。如果RDEN位被置位到“0 ，转发器是
总是允许，否则回答回答只在特殊的命令。
上电时，该RDEN位的默认值是0，因此，交换领域上，所有已知的标签RDEN位后可
由读取器，以便将它们分开在两个组中设置。
块校验序列采用的是8位CRC校验码是相同的polynom所有CRC块。
此外，从EM4056到读取器的CRC校验块中BitVal帧的格式发送（见仲裁模式），以
提高在阅读器的错误检测率。
存储结构
地址位
17
0000000
0000010
阅读普罗特
写普罗特
位0被定义为第一个位输出
1
激光光盘（3 * 18）
位
0
EEPROM （ 123 * 18 ）
1111110
1111111
CON组fi guration字
PIN码字
配置字的定义， +激光ROM区域的定义
Fig.4
在读保护和写保护位的OTP位。一旦写入一个，
它是明确锁定。不可能将它们清除到零。
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EM4056
ROM组织
地址
0000000
0000001
0000010
bit17
B15
B31
L7
DATAS
bit2
B0
B16
C0
Wp
bit1
1
1
1
Rp
bit0
0
0
0
L0 C7
B31 - B0独立编号。
L7-L0
8位客户ID ，标准版= 65hex ， 101dec 。
C7 – C0
CRC计算比特B31到B0和L7到L0 。
（CRC框图参见图4） 。
注： EM4056与不同的客户ID也将有一个不同的独立编号。
命令结构
命令
ReadRom
SelToggle
SelTag
DeselTag
PROT
读
写
添加
COMP
启动仲裁
如果继续“ 0 ”
继续，如果“ 1 ”
中止仲裁
CODE
MSB 0010
最低位
0100
0101
0110
1000
1010
1100
1101
1110
0001
00
11
01或10个
CRC框图
7
最高位
X7
6 5
X5
4
X4
3 2 1
X1
0
最低位
X0=1
数据输入
异或
X
移位寄存器
CRC生成多项式= X7 + X5 + X4 + X + 1
图。五
在上行链路中的CRC计算在该命令的所有位（起始位除外） ， MSB优先。
在dowlink的CRC计算对答案的所有位，第一位由芯片发出的第一。
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