EM微电子
- MARIN SA
EM4022
多频非接触式识别装置
防碰撞与BTG公司的SuperTag类别协议兼容
描述
该EM4022 （以前称为P4022 ）芯片工具
专利的防碰撞协议为
高
频率
和
低
频率的应用。它甚至可以
识别应答器具有相同的代码，从而
使得可以计数相同的项。该芯片是
通常使用的“被动”的转发器的应用程序，即它
不需要的电池电源。相反，它是
通电时，通过电磁能量场或光束
由读取器，其中接收和整流发送
产生的电源电压的芯片。预
程序代码是通过改变发送到读取
能量被反射回阅读器的量。
这是通过调节天线或线圈完成的，从而
有效地改变看到由读取器上的负载。
典型应用
访问控制
动物标签
资产控制
体育赛事计时
许可
电子钥匙
自动收费
特点
实现所有BTG防碰撞协议：
快速关机，慢下来，
自由运行
可以用来实现低频
电感耦合的应答器，高频率
射频耦合的应答器或双频率
转发
读500转发在小于一
第二高频应用
工厂编程的64位ID号
数据速率选项表4 kbit / s至64 kbit / s的
曼彻斯特数据编码
任何场频：通常为125千赫， 13.56
MHz的电感和100 MHz至2.54 GHz的RF
通过振幅数据发送完成
调制
修剪110 pF的±3％的片上谐振
电容
片上振荡器，整流器和限压
低功耗
低电压工作：低至1.5 V的
环境温度
°
-40到+ 85℃的工作温度范围
引脚分配
垫N°
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
图。 1
EM 4 0 2 2
1
2
3
4
5
6
7
11
10
9
8
名字
XCLK
V
DD
M
M
TST
COIL1
COIL2
V
SSTST
V
SS
GAP
SI
TMC
功能
外部测试时钟输入
正电源
连接到天线
测试输出
线圈端子1
线圈端子2
负面测试电源输出
负电源
GAP输入
串行测试数据输入（下拉）
测试模式控制（下拉）
版权
2002年， EM微电子，马林SA
1
www.emmicroelectronic.com
EM4022
典型工作配置
低频
感性转发。
中频
应用程序是指那些不能
使用集成的全波整流器和其中
应答器电源通过线圈发送。外
微波肖特基二极管来纠正
载波。外部电源存储电容器可以是
加入到改善阅读范围。
这些应用程序允许更高的数据率（ 64千位/秒） 。
在哪里读书每秒500的转发率
可以实现
高频
RF转发器实现。
M
Coil1
L
V
DD
CPX
EM4022
Coil2
GAP
D1
图。 2
V
SS
M
Coil1
D3
V
DD
CPX
低频应用的那些应用
可以利用芯片上的全波整流桥，以
整顿入射能量。这些都是典型的
使用电感耦合来传输应用
能量到芯片上。载波频率通常小于
超过500千赫。芯片上的整流器的设计和
谐振电容在频率进行了优化
为了125千赫。低频应答器可以
仅使用一个EM4022芯片和外部实现
线圈，与芯片上的调谐电容器的谐振
所需要的载波频率。外部电源
存储电容是必需的，以保持供给
电压高于上电复位电平的综合能力。
在一个非常强的领域中，由于在正向电阻
二极管，所述GAP的输入必须在V被限制
SS
-0.3V由
肖特基二极管（D1）的
中频
（ 13.56 MHz）的感应式应答器
履行
EM4022
D2*
Coil2
GAP
V
SS
D1
图。 4
D 2在图2和3是可选的，并且仅用于GAP
启用版本。所有的二极管肖特基型。
高频应用类似介质
频率的应用。这些都是典型的应用
使用电磁射频耦合传输能量
使用载波芯片的频率大于
100兆赫。高频转发器可以
使用EM4022芯片，两个或三个实施
微波二极管和印刷天线。高频
RF耦合的应用程序通常具有较高的阅读
距离（ > 4米）和
双频率
应用是可能的通过实施
coil1和coil2连接在高之间的线圈
高频应用（图4） 。
M
V
DD
CPX
L
C
D2*
EM4022
GAP
V
SS
D1
图。 3
L:
C:
线圈天线（典型值为1.35 μH ） 。
调谐电容（典型值为100 pF的）
版权
2002年， EM微电子，马林SA
2
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EM4022
绝对最大额定值
参数
最大交流峰值电流
致于COIL1和
COIL2
最大直流电压
诱导M和V之间
SS
最大直流电流
供给为M
电源
马克斯。电压等垫
分钟。电压等垫
储存温度
静电放电
最大限度的MIL -STD- 883C
方法3015
注1）先达到什么
办理程序
条件
= 30毫安
符号
I
COIL
V
M
(note1)
5V
60毫安
-0.3到V
M
V
DD
+ 0.3 V
V
SS
- 0.3 V
o
-55 + 125
1000 V
I
M
(note1)
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而，由于独特的
该器件的性能，防静电预防措施
被视为对任何其他的CMOS组件。除非
另外指定，否则正确的操作只能发生
当所有的端电压保持在电源内
电压范围。
V
DD
- V
SS
V
最大
V
最大
T
商店
V
ESD
工作条件
参数
工作温度
最大线圈电流
线圈上的交流电压*
M上的直流电压*
符号
最小值典型值
-40
T
A
-10
I
COIL
V
COIL
3.5
V
M
最大单位
o
+85 C
10
mA
15
V
pp
V
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件
可靠性或导致故障。
*在线圈上的交流电压，并在焊盘的直流电压
M的通过在加载的片上并联稳压器不限
I
COIL
在表3中
电气特性
O
V
供应
在2.0 V和3.0 V，T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
电源电压（V
DD
- V
SS
)
稳定电压
振荡器频率
上电复位门限
上电复位门限
上电复位迟滞
GAP输入时间常数
符号
V
供应
V
M
F
OSC
V
PONR
V
PONF
V
物理层
T
GAP
测试条件
I
M
= 50毫安
V
供应
= 3 V
V
供应
升起
V
供应
落下
外推与外部
64nF的电容
V
供应
= 3 V
F = 100kHz时为100mVpp
F = 100kHz时为100mVpp
V
供应
= 2 V
V
供应
= 2V
V
GAP
= 0V, V
供应
= 2V
f
OSC
= 128kHz的，V
供应
= 2V
民
V
PONR
+100mV
3.3
92
0.9
0.7
80
典型值
4
125
1.4
1.2
160
0.4
4
110
140
9
200
5
5
最大单位
V
M
V
4.7
V
160千赫
1.8
V
1.6
V
240
mV
s
导通电阻调制晶体管
谐振电容器
供应电容器
消耗电流在调制状态
并联稳压器电流消耗
间隙的上拉电流消耗
动态电流消耗
R
ON
C
R
C
SUP
I
MOD
I
分流
I
GAP
I
DYN
106.7
6
1.8
3.5
8
113.3
13
500
7
6.5
pF
pF
A
nA
A
A
时序特性
1）所有的时序来自于芯片上的振荡器。
2）最小
低频
隙宽度为一个单一芯片是1位，在其自身的时钟频率。读者必须然而，
允许的传播在时钟频率可能在一组标签。在静音所述GAP的，因此最小宽度
和WAKE -UP信号必须是1.5位。高频的GAP可以任意。
3）最大的GAP宽度为单个芯片为6比特，在其自身的时钟频率。读者必须但允许
蔓延在时钟频率可能在一组标签。因此， GAP在静音和唤醒的最大宽度
信号必须是5位。
参数
高频间隙宽度
高频ACK间隙宽度
高频静音和WAKE -UP间隙宽度
低频ACK间隙宽度
低频静音和WAKE -UP间隙宽度
GAP分离WAKE -UP信号
符号测试条件
T
HFGAP
W
HFACK
W
HFMUTE
W
LFGAP
W
LFACK
W
LFMUTE
民
50
典型值
最大单位
ns
6
位
5
位
6
位
5
位
5
位
1.0
1.5
1.5
2
2
2
版权
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3
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EM4022
蓄电电容的计算
该装置的全球消耗电流限定
外部存储电容器。
当该装置调制，电源电压被拾取
从供应电容和不应该减少
上电复位的（下降沿V下
PONF
） 。如果
这种情况发生时，装置会在复位模式和任何
数据传输将被中止。最坏的情况下为
存储电容器的计算是当设备被放置在
电磁场。此时的供给
到达V
PONR
并开始进行调制。中
调制在电容器中的电力存储必须是高
够使得在调制的端部的供给是
比V高
PORF 。
。这意味着电压降低
在电容器必须小于的滞后
上电复位（V
物理层
).
与此当芯片具有大约电源电压
上电复位阈值功率
的总电流消耗从存储电容器
由调制电流I定义
MOD
,
该电流是上电复位的消耗
块，振荡器和逻辑，在一个典型的工作
频率为125KHz 。差距目前还包括
在这个参数。
时间在哪里这个电流是本作的
电容器的计算，是依赖于数据速率的
计算示例：
下面我们定义的典型案例组合：
F
OSC
= 125千赫
V
物理层
= 120毫伏
I
MOD
= 9
A
数据传输速率为4波特。
I
MOD
* 128 * 10
3
CPX
=
F
OSC
*
V
HYS
*
波特率
9 * 10
6
* 128 * 10
3
=
=
14.4
nF
125 * 10
3
* 160 * 10
3
* 4 * 10
3
当然，这个值可以适应于
电磁功率和性能即
必须实现。如果标签被放在一个字段中的短
时，发射功率必须足够高，以充
了电容器。
该芯片集成了一个140pF电容供电。
框图
M
VDD
VDD
P
R
PON
COIL1
D2
Q1
逻辑
D4
CR
D3
分流
Q2
N
GAP
TST
C
VSS
OSC
CP
COIL2
D1
DG
VDD
VDD
RG
VSS VSS VSS
VSS
GAP
CG
SI
XCLK TMC
图。五
版权
2002年， EM微电子，马林SA
4
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EM4022
功能说明
谐振电容器
谐振电容器CR具有110的标称值
pF和修整为实现高的稳定性在
整个生产。对于共振频率为125 kHz的外部
14.7 mH的线圈是必需的。在13.65 MHz的所需线圈
电感降至1.2
H.
整流桥
二极管D1- D4组成的全波整流电桥。他们
有比较大的正向电阻值（ 100 -200
).
这是足够的，在125千赫兹，其中输出
该调谐电路的阻抗是高的，但在13.5兆赫
二极管电阻变得显著和外部
二极管必须被用于绕过内部的。该
二极管的电阻的影响时的速率的功率
电容器CP进行充电。它也影响
可实现的调制深度。
并联稳压器
分路调节器具有两个功能。它限制了
横跨逻辑和在高频电压
应用它限制了整个外部的电压
微波肖特基二极管，通常有反
5 V.击穿电压
振荡器
片内RC振荡器128的中心频率
千赫。它给出了逻辑的主时钟，并限定了
有效的数据/速率。
上电复位（ PON ）
复位信号保持逻辑复位当电源
电压小于阈值电压低。
这
防止不正确的操作和杂散发射
当电源电压过低时，为振荡器和
逻辑正常工作。它还确保晶体管Q2
是关闭的，晶体管Q1导通上电时，以确保
该芯片启动。
调制晶体管
N沟道晶体管Q2被用来调制
应答器线圈或天线。当它打开时加载
天线或线圈，从而改变看到的负载
读出器天线或线圈，并且有效地改变
能量被反射到读取量。它的低
上电阻特别适用于高频率设计
应用程序。
负责保存晶体管
P沟道晶体管Q1关断时的
调制晶体管Q2导通，以防止Q2从
放电的蓄电电容器。这是在完成
一个非重叠的方式，即Q1被首先关闭
前Q2导通，和Q2被关断之前Q1为
接通。
间隙检测
多晶硅二极管DG被用于检测在所述的间隙
照明领域。它是用一个最小尺寸的二极管
在2 k的顺序正向电阻
.==
低通
图解所示的滤波器作为CG和RG实际
包括一个上拉晶体管的（大约100千
)
in
与所述GAP的寄生电容一起
输入焊盘（约2.5 pF的） 。
通过二极管GAP的输入将被拉低
在载体的每一负向循环。当
载波被关闭，上述GAP输入将被拉到
高通过上拉晶体管。
在非常高的载波频率（ > 100兆赫）的载波
将被过滤掉，以使上述GAP输入将是低
连续地，当载波存在。当
载体消失， GAP ，输入就高配的
该低通滤波器的时间常数。在非常低的
频率的GAP输入就为高，低的每一个
载体的循环，并会维持高位，当载体
消失。检测间隙，逻辑必须检查
高的时间长于的最大的高时段
的载体。
由于GAP的上升和下降时间可能会很慢，一
施密特触发器被使用于缓冲GAP的输入。
逻辑块
取决于在SI输入的上电时的状态下，所述
EM4022要么进入测试模式（SI = 1）或它的正常
操作模式（ SI = 0）。 SI引脚在内部上拉
下来，使之能保持打开以进行正常操作。
之后，上电复位已经消失，芯片靴
通过阅读种子和CTL光盘。
该芯片然后进入正常的操作模式，该模式
主要包括时钟与16位定时器计数器
位速率时钟，直到它与在数比较
随机数发生器。在这一点上的码（这是
存储在ID ROM）中与正确的发送
前同步码在正确的数据速率和正确地编码。
随机数发生器的时钟，以生成
新的伪随机数，且16位的计数器
重置以开始一个新的延迟。
该16位的随机之间的比较的宽度
数和16位的延迟计数确定
传输之间的最大可能延迟
（重复率） 。八最大延迟的任何一个
设置可以被预先编程。
如上面所描述的基本自由运行模式可以是
通过GAP的接收修改（ MUTE和ACK ）
信号，如果这些是由在CTL位使能。
如果ACK信号时的码的发送后接收
该芯片要么完全自行关闭或缩小
速率的延迟计数器的时钟，从而
放慢在该代码被发送的速率。
如果一个静音信号时，接收到芯片不
发送时，芯片的当前操作是
中断了128个时钟周期，在这之后继续
正常。更静音睡眠期间接待
状态重新启动睡眠状态。在睡眠状态也
由WAKE -UP信号的接收终止（一
ACK信号传送到一个芯片，其刚刚完成
发射） 。
版权
2002年， EM微电子，马林SA
5
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EM4022
多频非接触式识别装置
防碰撞与BTG公司的SuperTag类别协议兼容
描述
该EM4022 （以前称为P4022 ）芯片工具
专利的防碰撞协议为
高
频率
和
低
频率的应用。它甚至可以
识别应答器具有相同的代码，从而
使得可以计数相同的项。该芯片是
通常使用的“被动”的转发器的应用程序，即它
不需要的电池电源。相反，它是
通电时，通过电磁能量场或光束
由读取器，其中接收和整流发送
产生的电源电压的芯片。预
程序代码是通过改变发送到读取
能量被反射回阅读器的量。
这是通过调节天线或线圈完成的，从而
有效地改变看到由读取器上的负载。
典型应用
访问控制
动物标签
资产控制
体育赛事计时
许可
电子钥匙
自动收费
特点
实现所有BTG防碰撞协议：
快速关机，慢下来，
自由运行
可以用来实现低频
电感耦合的应答器，高频率
射频耦合的应答器或双频率
转发
读500转发在小于一
第二高频应用
工厂编程的64位ID号
数据速率选项表4 kbit / s至64 kbit / s的
曼彻斯特数据编码
任何场频：通常为125千赫， 13.56
MHz的电感和100 MHz至2.54 GHz的RF
通过振幅数据发送完成
调制
修剪110 pF的±3％的片上谐振
电容
片上振荡器，整流器和限压
低功耗
低电压工作：低至1.5 V的
环境温度
°
-40到+ 85℃的工作温度范围
引脚分配
垫N°
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
图。 1
EM 4 0 2 2
1
2
3
4
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6
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10
9
8
名字
XCLK
V
DD
M
M
TST
COIL1
COIL2
V
SSTST
V
SS
GAP
SI
TMC
功能
外部测试时钟输入
正电源
连接到天线
测试输出
线圈端子1
线圈端子2
负面测试电源输出
负电源
GAP输入
串行测试数据输入（下拉）
测试模式控制（下拉）
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典型工作配置
低频
感性转发。
中频
应用程序是指那些不能
使用集成的全波整流器和其中
应答器电源通过线圈发送。外
微波肖特基二极管来纠正
载波。外部电源存储电容器可以是
加入到改善阅读范围。
这些应用程序允许更高的数据率（ 64千位/秒） 。
在哪里读书每秒500的转发率
可以实现
高频
RF转发器实现。
M
Coil1
L
V
DD
CPX
EM4022
Coil2
GAP
D1
图。 2
V
SS
M
Coil1
D3
V
DD
CPX
低频应用的那些应用
可以利用芯片上的全波整流桥，以
整顿入射能量。这些都是典型的
使用电感耦合来传输应用
能量到芯片上。载波频率通常小于
超过500千赫。芯片上的整流器的设计和
谐振电容在频率进行了优化
为了125千赫。低频应答器可以
仅使用一个EM4022芯片和外部实现
线圈，与芯片上的调谐电容器的谐振
所需要的载波频率。外部电源
存储电容是必需的，以保持供给
电压高于上电复位电平的综合能力。
在一个非常强的领域中，由于在正向电阻
二极管，所述GAP的输入必须在V被限制
SS
-0.3V由
肖特基二极管（D1）的
中频
（ 13.56 MHz）的感应式应答器
履行
EM4022
D2*
Coil2
GAP
V
SS
D1
图。 4
D 2在图2和3是可选的，并且仅用于GAP
启用版本。所有的二极管肖特基型。
高频应用类似介质
频率的应用。这些都是典型的应用
使用电磁射频耦合传输能量
使用载波芯片的频率大于
100兆赫。高频转发器可以
使用EM4022芯片，两个或三个实施
微波二极管和印刷天线。高频
RF耦合的应用程序通常具有较高的阅读
距离（ > 4米）和
双频率
应用是可能的通过实施
coil1和coil2连接在高之间的线圈
高频应用（图4） 。
M
V
DD
CPX
L
C
D2*
EM4022
GAP
V
SS
D1
图。 3
L:
C:
线圈天线（典型值为1.35 μH ） 。
调谐电容（典型值为100 pF的）
版权
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2
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EM4022
绝对最大额定值
参数
最大交流峰值电流
致于COIL1和
COIL2
最大直流电压
诱导M和V之间
SS
最大直流电流
供给为M
电源
马克斯。电压等垫
分钟。电压等垫
储存温度
静电放电
最大限度的MIL -STD- 883C
方法3015
注1）先达到什么
办理程序
条件
= 30毫安
符号
I
COIL
V
M
(note1)
5V
60毫安
-0.3到V
M
V
DD
+ 0.3 V
V
SS
- 0.3 V
o
-55 + 125
1000 V
I
M
(note1)
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而，由于独特的
该器件的性能，防静电预防措施
被视为对任何其他的CMOS组件。除非
另外指定，否则正确的操作只能发生
当所有的端电压保持在电源内
电压范围。
V
DD
- V
SS
V
最大
V
最大
T
商店
V
ESD
工作条件
参数
工作温度
最大线圈电流
线圈上的交流电压*
M上的直流电压*
符号
最小值典型值
-40
T
A
-10
I
COIL
V
COIL
3.5
V
M
最大单位
o
+85 C
10
mA
15
V
pp
V
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件
可靠性或导致故障。
*在线圈上的交流电压，并在焊盘的直流电压
M的通过在加载的片上并联稳压器不限
I
COIL
在表3中
电气特性
O
V
供应
在2.0 V和3.0 V，T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
电源电压（V
DD
- V
SS
)
稳定电压
振荡器频率
上电复位门限
上电复位门限
上电复位迟滞
GAP输入时间常数
符号
V
供应
V
M
F
OSC
V
PONR
V
PONF
V
物理层
T
GAP
测试条件
I
M
= 50毫安
V
供应
= 3 V
V
供应
升起
V
供应
落下
外推与外部
64nF的电容
V
供应
= 3 V
F = 100kHz时为100mVpp
F = 100kHz时为100mVpp
V
供应
= 2 V
V
供应
= 2V
V
GAP
= 0V, V
供应
= 2V
f
OSC
= 128kHz的，V
供应
= 2V
民
V
PONR
+100mV
3.3
92
0.9
0.7
80
典型值
4
125
1.4
1.2
160
0.4
4
110
140
9
200
5
5
最大单位
V
M
V
4.7
V
160千赫
1.8
V
1.6
V
240
mV
s
导通电阻调制晶体管
谐振电容器
供应电容器
消耗电流在调制状态
并联稳压器电流消耗
间隙的上拉电流消耗
动态电流消耗
R
ON
C
R
C
SUP
I
MOD
I
分流
I
GAP
I
DYN
106.7
6
1.8
3.5
8
113.3
13
500
7
6.5
pF
pF
A
nA
A
A
时序特性
1）所有的时序来自于芯片上的振荡器。
2）最小
低频
隙宽度为一个单一芯片是1位，在其自身的时钟频率。读者必须然而，
允许的传播在时钟频率可能在一组标签。在静音所述GAP的，因此最小宽度
和WAKE -UP信号必须是1.5位。高频的GAP可以任意。
3）最大的GAP宽度为单个芯片为6比特，在其自身的时钟频率。读者必须但允许
蔓延在时钟频率可能在一组标签。因此， GAP在静音和唤醒的最大宽度
信号必须是5位。
参数
高频间隙宽度
高频ACK间隙宽度
高频静音和WAKE -UP间隙宽度
低频ACK间隙宽度
低频静音和WAKE -UP间隙宽度
GAP分离WAKE -UP信号
符号测试条件
T
HFGAP
W
HFACK
W
HFMUTE
W
LFGAP
W
LFACK
W
LFMUTE
民
50
典型值
最大单位
ns
6
位
5
位
6
位
5
位
5
位
1.0
1.5
1.5
2
2
2
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2002年， EM微电子，马林SA
3
www.emmicroelectronic.com
EM4022
蓄电电容的计算
该装置的全球消耗电流限定
外部存储电容器。
当该装置调制，电源电压被拾取
从供应电容和不应该减少
上电复位的（下降沿V下
PONF
） 。如果
这种情况发生时，装置会在复位模式和任何
数据传输将被中止。最坏的情况下为
存储电容器的计算是当设备被放置在
电磁场。此时的供给
到达V
PONR
并开始进行调制。中
调制在电容器中的电力存储必须是高
够使得在调制的端部的供给是
比V高
PORF 。
。这意味着电压降低
在电容器必须小于的滞后
上电复位（V
物理层
).
与此当芯片具有大约电源电压
上电复位阈值功率
的总电流消耗从存储电容器
由调制电流I定义
MOD
,
该电流是上电复位的消耗
块，振荡器和逻辑，在一个典型的工作
频率为125KHz 。差距目前还包括
在这个参数。
时间在哪里这个电流是本作的
电容器的计算，是依赖于数据速率的
计算示例：
下面我们定义的典型案例组合：
F
OSC
= 125千赫
V
物理层
= 120毫伏
I
MOD
= 9
A
数据传输速率为4波特。
I
MOD
* 128 * 10
3
CPX
=
F
OSC
*
V
HYS
*
波特率
9 * 10
6
* 128 * 10
3
=
=
14.4
nF
125 * 10
3
* 160 * 10
3
* 4 * 10
3
当然，这个值可以适应于
电磁功率和性能即
必须实现。如果标签被放在一个字段中的短
时，发射功率必须足够高，以充
了电容器。
该芯片集成了一个140pF电容供电。
框图
M
VDD
VDD
P
R
PON
COIL1
D2
Q1
逻辑
D4
CR
D3
分流
Q2
N
GAP
TST
C
VSS
OSC
CP
COIL2
D1
DG
VDD
VDD
RG
VSS VSS VSS
VSS
GAP
CG
SI
XCLK TMC
图。五
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EM4022
功能说明
谐振电容器
谐振电容器CR具有110的标称值
pF和修整为实现高的稳定性在
整个生产。对于共振频率为125 kHz的外部
14.7 mH的线圈是必需的。在13.65 MHz的所需线圈
电感降至1.2
H.
整流桥
二极管D1- D4组成的全波整流电桥。他们
有比较大的正向电阻值（ 100 -200
).
这是足够的，在125千赫兹，其中输出
该调谐电路的阻抗是高的，但在13.5兆赫
二极管电阻变得显著和外部
二极管必须被用于绕过内部的。该
二极管的电阻的影响时的速率的功率
电容器CP进行充电。它也影响
可实现的调制深度。
并联稳压器
分路调节器具有两个功能。它限制了
横跨逻辑和在高频电压
应用它限制了整个外部的电压
微波肖特基二极管，通常有反
5 V.击穿电压
振荡器
片内RC振荡器128的中心频率
千赫。它给出了逻辑的主时钟，并限定了
有效的数据/速率。
上电复位（ PON ）
复位信号保持逻辑复位当电源
电压小于阈值电压低。
这
防止不正确的操作和杂散发射
当电源电压过低时，为振荡器和
逻辑正常工作。它还确保晶体管Q2
是关闭的，晶体管Q1导通上电时，以确保
该芯片启动。
调制晶体管
N沟道晶体管Q2被用来调制
应答器线圈或天线。当它打开时加载
天线或线圈，从而改变看到的负载
读出器天线或线圈，并且有效地改变
能量被反射到读取量。它的低
上电阻特别适用于高频率设计
应用程序。
负责保存晶体管
P沟道晶体管Q1关断时的
调制晶体管Q2导通，以防止Q2从
放电的蓄电电容器。这是在完成
一个非重叠的方式，即Q1被首先关闭
前Q2导通，和Q2被关断之前Q1为
接通。
间隙检测
多晶硅二极管DG被用于检测在所述的间隙
照明领域。它是用一个最小尺寸的二极管
在2 k的顺序正向电阻
.==
低通
图解所示的滤波器作为CG和RG实际
包括一个上拉晶体管的（大约100千
)
in
与所述GAP的寄生电容一起
输入焊盘（约2.5 pF的） 。
通过二极管GAP的输入将被拉低
在载体的每一负向循环。当
载波被关闭，上述GAP输入将被拉到
高通过上拉晶体管。
在非常高的载波频率（ > 100兆赫）的载波
将被过滤掉，以使上述GAP输入将是低
连续地，当载波存在。当
载体消失， GAP ，输入就高配的
该低通滤波器的时间常数。在非常低的
频率的GAP输入就为高，低的每一个
载体的循环，并会维持高位，当载体
消失。检测间隙，逻辑必须检查
高的时间长于的最大的高时段
的载体。
由于GAP的上升和下降时间可能会很慢，一
施密特触发器被使用于缓冲GAP的输入。
逻辑块
取决于在SI输入的上电时的状态下，所述
EM4022要么进入测试模式（SI = 1）或它的正常
操作模式（ SI = 0）。 SI引脚在内部上拉
下来，使之能保持打开以进行正常操作。
之后，上电复位已经消失，芯片靴
通过阅读种子和CTL光盘。
该芯片然后进入正常的操作模式，该模式
主要包括时钟与16位定时器计数器
位速率时钟，直到它与在数比较
随机数发生器。在这一点上的码（这是
存储在ID ROM）中与正确的发送
前同步码在正确的数据速率和正确地编码。
随机数发生器的时钟，以生成
新的伪随机数，且16位的计数器
重置以开始一个新的延迟。
该16位的随机之间的比较的宽度
数和16位的延迟计数确定
传输之间的最大可能延迟
（重复率） 。八最大延迟的任何一个
设置可以被预先编程。
如上面所描述的基本自由运行模式可以是
通过GAP的接收修改（ MUTE和ACK ）
信号，如果这些是由在CTL位使能。
如果ACK信号时的码的发送后接收
该芯片要么完全自行关闭或缩小
速率的延迟计数器的时钟，从而
放慢在该代码被发送的速率。
如果一个静音信号时，接收到芯片不
发送时，芯片的当前操作是
中断了128个时钟周期，在这之后继续
正常。更静音睡眠期间接待
状态重新启动睡眠状态。在睡眠状态也
由WAKE -UP信号的接收终止（一
ACK信号传送到一个芯片，其刚刚完成
发射） 。
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