EM39LV800
8M位（ 512Kx16 ）闪存
规范
概述
该EM39LV800是组织为512K ×16位的8M比特闪存。该EM39LV800
使用的编程和擦除2.7-3.6V电源。拥有高性能的闪存
内存技术， EM39LV800提供14微秒和典型字编程时间
典型的部门/块擦除的18毫秒的时间。该设备采用翻转位或数据＃查询到
检测完成计划或擦除操作。为了防止意外
写，该器件具有片上硬件和软件数据保护方案。该装置
提供典型的10万次耐用性和超过10年的数据保存。该
EM39LV800符合JEDEC标准引脚输出为X16的回忆。该
EM39LV800是在48球FBGA封装，48引脚TSOP封装形式提供，并且已知良好的裸片
（ KGD ） 。对于KGD ，请与义隆电子股份有限公司或其代表详细
信息（见附录于本规范的订购信息的底部） 。
该EM39LV800器件用于需要回忆与应用开发
的程序，数据或配置，例如， DVD播放机，DVD方便和经济的更新
R / W ， WLAN ，路由器，机顶盒等。
特点
单电源供电
全电压范围从2.7到3.6伏
进行读取和写入操作
扇区擦除功能
统一2Kword行业
块擦除功能
统一32Kword块
读取时间
访问时间： 55 ， 70和90纳秒
耗电量
工作电流：20 mA（典型值）
待机电流： 2
A
（典型值）
擦除/编程功能
扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
块擦除时间： 18毫秒（典型值）
芯片擦除时间： 45毫秒（典型值）
字编程时间： 14μs （典型值）
芯片重写时间：8秒（典型值）
自动写时序
内部V
PP
GENERATION
结束程序或最终的擦除
发现
数据＃投票
切换位
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
引脚和软件命令集
与单电源闪存兼容
内存
高可靠性
耐力周期： 100K （典型值）
数据保存： 10年
封装选项
48针TSOP
48引脚FBGA
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功能框图
FL灰
纪念品储器阵列
X解码器
纪念品ORY地址
地址缓冲器&
锁存器
y解码器
CE＃
OE ＃
宽E ＃
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ15-DQ0
图0A ：
功能框图
引脚分配
TSOP
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
NC
NC
NC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
V
SS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
DD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
V
SS
CE＃
A0
标准TSOP
图0B ：
TSOP针脚分配
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FBGA
FBGA
顶视图，球朝下
A13
A12
A14
A15
A16
NC
DQ15
V
SS
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
宽E ＃
NC
NC
NC
DQ5
DQ12
V
DD
DQ4
NC
NC
A18
NC
DQ2
DQ10
DQ11
DQ3
A7
A17
A6
A5
DQ0
DQ8
DQ9
DQ1
A3
A4
A2
A1
A0
CE＃
OE ＃
V
SS
图0C ：
FBGA引脚分配
引脚说明
引脚名称
A0–A18
DQ15–DQ0
CE＃
OE ＃
WE＃
V
DD
V
SS
NC
19地址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
2.7 3.6伏单电源供电
接地装置
引脚没有内部连接
功能
表1：
引脚说明
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8M位（ 512Kx16 ）闪存
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设备操作
该EM39LV800使用命令来启动存储器操作功能。该
命令WE＃置低，同时保持CE＃低写入设备。该
地址总线被锁定在WE＃或CE ＃下降沿，最后的为准。数据
公交车被锁在WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
读
该EM39LV800的读操作通过CE＃和OE ＃控制。两者必须是低
该系统以获得从所述输出数据。 CE＃用于器件选择。当CE＃
为高电平时，芯片被取消选中，仅待机电力消耗。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻抗状态
当CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序图如图1
进一步的细节。
Word程序
该EM39LV800编程就一个字，用字的基础。在编程之前，扇区
这里所说的所在，必须彻底清除。程序操作
完成三个步骤：
第一步是对软件数据保护三字节装入序列。
第二步骤是要加载的字地址，字数据。在Word程序
操作时，地址被锁存， CE＃或WE＃的下降沿，取其
去年发生;并且该数据被锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。
第三步骤是被后的上升沿启动内部编程操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。编程操作，一旦开始，
将在20 μs内完成。参见图2和图3为WE ＃和CE＃控制
编程操作时序图分别如图15的流程图。
在编程操作期间，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。中
内部编程操作，主机可以自由地执行其他任务。任何命令
内部编程操作期间发出的被忽略。
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EM39LV800设备操作
手术
读
节目
抹去
待机
写禁止
写禁止
软件模式
产品
鉴定
CE＃
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
X
V
IL
WE＃
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
DQ
D
OUT
D
IN
X
*
地址
A
IN
A
IN
扇区或块地址，为XXH
芯片擦除
X
X
X
见表3
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
*
X可以是V
IL
或V
IH
，但没有其他价值。
表2：
EM39LV800设备操作
写命令/命令序列
该EM39LV800提供了两种软件方法来检测完成一个项目或
擦除，以优化系统写周期时间周期。软件检测包含
两个状态位：数据＃查询（ DQ7 ）和翻转位（ DQ6 ） 。写操作结束检测模式
之后WE＃上升沿，启动内部编程或擦除启用
操作。在写操作的实际完成是与系统异步的;
因此，无论是数据＃查询或翻转位的读操作，可能是同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可能得到一个错误的结果，即，有效
数据可能会与DQ7或DQ6冲突。为了防止这种误
排斥反应，当一个错误的结果发生时，软件程序应包括一个附加的
两次循环读取访问的位置。如果两个读数是有效的，则该装置具有
完成写周期，否则拒绝是有效的。
芯片擦除
该EM39LV800提供片擦除功能，它允许对整个存储器阵列是
擦除到逻辑“1”状态。通过执行一个6字节的启动芯片擦除操作
与芯片擦除命令（ 10H ）地址5555H中的最后一个字节的命令序列
序列。擦除操作开始的6个WE＃或CE ＃上升沿，
以先到为准。在擦除操作，唯一有效的读操作是翻转位和
数据＃投票。请参阅表3中的命令序列，图6的时序图，
图17为流程图。全片擦除操作期间发出的任何命令
忽略不计。
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