纳安解决方案公司
1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
EM128C08
EM128C08家庭
128Kx8位超低功耗异步静态RAM
概观
该EM128C08是一个集成存储设备
包含低功率1兆位静态随机
存取记忆体组织为131,072字8
位。该器件采用制造纳安的
先进的CMOS工艺和高速/低
电源电路技术。本设备被设计
非常低的电压工作使相当suit-
能够为电池供电设备。
它也是
设计用于非常低的操作和standby-
电流。该器件的引脚是兼容
其它标准128Kx8的SRAM 。
特点
极宽的工作电压
1.5到3.6伏特
扩展级温度范围
标准： -20
o
+80
o
C
快速的周期时间
标准： < 70纳秒@ 3伏
-10 ： <为100ns @ 3伏
极低的工作电流
I
CC
< 1毫安最大为2V ， 1兆赫
非常低的数据Rentention电压
1.2伏特最低
极低的待机电流
1
A
最大。 @ 55
o
C
32引脚TSOP ， STSOP ， SOP和48引脚
BGA封装可用
图1 ：工作信封
20
14兆赫
15
10兆赫
典型的我
CC
（MA ）
10
5兆赫
5
2.5兆赫
1兆赫
0
1
2
V
CC
(V)
3
4
库存号23005-07 6/99
1
纳安解决方案
表3 ：绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.0
500
-40到+125
-20至+80
EM128C08
单位
V
V
mW
o
C
o
C
*应力大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件在此操作章节中所示的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
表4 ：工作特性（在规定温度范围）
EM128C08
项
工作电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流（注
1)
待机电流（注2），
数据保留
当前
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC
I
OH
= -0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
V
IN
= 0至V
CC
OE或CE1 = V
CC
或CE2 = 0
V
IN
= V
CC
或0V
CE1 = 0和CE2 = V
CC
V
IN
=V
CC
或0V ，T
A
=25
o
C
I
SB ，
I
DR
V
IN
=V
CC
或0V ，T
A
=55
o
C
V
IN
=V
CC
或0V ，T
A
=80
o
C
CE1 = V
CC
或CE2 = 0
测试条件
分钟。
1.5
1.2
0.7V
CC
–0.3
0.8*V
CC
0.2*V
CC
0.5
0.5
0.5*f*V
0.2
1
10
A
V
CC
+0.3
0.3*V
CC
马克斯。
3.6
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
单位
注意： 1。工作电流是工作频率和电压的线性函数。你可以计算工作电流
使用具有操作频率（f）所示的公式表达在兆赫和工作电压（V）的单位为伏特。例如：
在2兆赫工作在3.0伏电压将以此为0.5 * 2 * 3 = 3.0 mA的最大电流。
注2：本设备假定待机模式下，如果CE1要么禁用（高）或CE2被禁用（低） 。它还将
自动进入待机模式时所有的输入信号是静止的（不触发），而不管该状态的
CE1和CE2 。为了实现在启动模式下的低待机电流（低CE1和CE2高） ，所有输入必须是
在0.2伏两种第五
CC
或V
SS
.
表5： *电容
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
5
5
单位
pF
pF
注：这些参数在设备特性验证，并非100％测试
库存号23005-07 6/99
3
纳安解决方案
EM128C08
表6 ：时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
工作温度 - 标准版
工作温度 - 商业版
输出负载
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5V
CC
-40至+85
o
C
-20至+80
o
C
CL = 50pF的
表7 ：计时 - EM128C08 （标准版）仅
1.5 3.6 V 1.8至3.6 V 2.7至3.6 V 3.0至3.6 V
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
民
t
RC
t
AA
t
CE
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
0
200
0
10
0
0
0
0
10
500
500
500
0
250
0
50
0
80
0
10
100
100
500
500
500
100
0
0
0
0
10
200
200
200
0
100
0
40
0
40
0
10
50
50
最大
民
200
200
200
50
0
0
0
0
10
85
85
85
0
40
0
20
0
30
0
10
20
20
最大
民
85
85
85
20
0
0
0
0
10
70
70
70
0
35
0
20
20
20
最大
民
70
70
70
20
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
库存号23005-07 6/99
4
纳安解决方案
EM128C08
表8 ：定时 - EM128C08-10版本
1.5 3.6 V 1.8至3.6 V 2.7至3.6 V 3.0至3.6 V
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
民
t
RC
t
AA
t
CE
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
0
300
0
10
0
0
0
0
10
500
500
500
0
300
0
100
0
80
0
10
100
100
500
500
500
100
0
0
0
0
10
300
300
300
0
100
0
60
0
40
0
10
60
60
最大
民
300
300
300
60
0
0
0
0
10
120
120
120
0
50
0
25
0
30
0
10
25
25
最大
民
120
120
120
25
0
0
0
0
10
100
100
100
0
40
0
25
25
25
最大
民
100
100
100
25
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
图3 ：读周期时序（WE = V
IH
)
t
RC
A0-A16
t
AA
t
CE
CE1/CE2
t
LZ
OE
t
OLZ
D0-D7
数据有效
t
OH
t
OE
能有效
t
OHZ
t
HZ
库存号23005-07 6/99
5
纳安解决方案公司
1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
EM128C08
EM128C08家庭
128Kx8位超低功耗异步静态RAM
概观
该EM128C08是一个集成存储设备
包含低功率1兆位静态随机
存取记忆体组织为131,072字8
位。该器件采用制造纳安的
先进的CMOS工艺和高速/低
电源电路技术。本设备被设计
非常低的电压工作使相当suit-
能够为电池供电设备。
它也是
设计用于非常低的操作和standby-
电流。该器件的引脚是兼容
其它标准128Kx8的SRAM 。
特点
极宽的工作电压
1.5到3.6伏特
扩展级温度范围
标准： -20
o
+80
o
C
快速的周期时间
标准： < 70纳秒@ 3伏
-10 ： <为100ns @ 3伏
极低的工作电流
I
CC
< 1毫安最大为2V ， 1兆赫
非常低的数据Rentention电压
1.2伏特最低
极低的待机电流
1
A
最大。 @ 55
o
C
32引脚TSOP ， STSOP ， SOP和48引脚
BGA封装可用
图1 ：工作信封
20
14兆赫
15
10兆赫
典型的我
CC
（MA ）
10
5兆赫
5
2.5兆赫
1兆赫
0
1
2
V
CC
(V)
3
4
库存号23005-07 6/99
1
纳安解决方案
表3 ：绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.0
500
-40到+125
-20至+80
EM128C08
单位
V
V
mW
o
C
o
C
*应力大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件在此操作章节中所示的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
表4 ：工作特性（在规定温度范围）
EM128C08
项
工作电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流（注
1)
待机电流（注2），
数据保留
当前
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC
I
OH
= -0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
V
IN
= 0至V
CC
OE或CE1 = V
CC
或CE2 = 0
V
IN
= V
CC
或0V
CE1 = 0和CE2 = V
CC
V
IN
=V
CC
或0V ，T
A
=25
o
C
I
SB ，
I
DR
V
IN
=V
CC
或0V ，T
A
=55
o
C
V
IN
=V
CC
或0V ，T
A
=80
o
C
CE1 = V
CC
或CE2 = 0
测试条件
分钟。
1.5
1.2
0.7V
CC
–0.3
0.8*V
CC
0.2*V
CC
0.5
0.5
0.5*f*V
0.2
1
10
A
V
CC
+0.3
0.3*V
CC
马克斯。
3.6
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
单位
注意： 1。工作电流是工作频率和电压的线性函数。你可以计算工作电流
使用具有操作频率（f）所示的公式表达在兆赫和工作电压（V）的单位为伏特。例如：
在2兆赫工作在3.0伏电压将以此为0.5 * 2 * 3 = 3.0 mA的最大电流。
注2：本设备假定待机模式下，如果CE1要么禁用（高）或CE2被禁用（低） 。它还将
自动进入待机模式时所有的输入信号是静止的（不触发），而不管该状态的
CE1和CE2 。为了实现在启动模式下的低待机电流（低CE1和CE2高） ，所有输入必须是
在0.2伏两种第五
CC
或V
SS
.
表5： *电容
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
5
5
单位
pF
pF
注：这些参数在设备特性验证，并非100％测试
库存号23005-07 6/99
3
纳安解决方案
EM128C08
表6 ：时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
工作温度 - 标准版
工作温度 - 商业版
输出负载
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5V
CC
-40至+85
o
C
-20至+80
o
C
CL = 50pF的
表7 ：计时 - EM128C08 （标准版）仅
1.5 3.6 V 1.8至3.6 V 2.7至3.6 V 3.0至3.6 V
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
民
t
RC
t
AA
t
CE
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
0
200
0
10
0
0
0
0
10
500
500
500
0
250
0
50
0
80
0
10
100
100
500
500
500
100
0
0
0
0
10
200
200
200
0
100
0
40
0
40
0
10
50
50
最大
民
200
200
200
50
0
0
0
0
10
85
85
85
0
40
0
20
0
30
0
10
20
20
最大
民
85
85
85
20
0
0
0
0
10
70
70
70
0
35
0
20
20
20
最大
民
70
70
70
20
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
库存号23005-07 6/99
4
纳安解决方案
EM128C08
表8 ：定时 - EM128C08-10版本
1.5 3.6 V 1.8至3.6 V 2.7至3.6 V 3.0至3.6 V
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
民
t
RC
t
AA
t
CE
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
0
300
0
10
0
0
0
0
10
500
500
500
0
300
0
100
0
80
0
10
100
100
500
500
500
100
0
0
0
0
10
300
300
300
0
100
0
60
0
40
0
10
60
60
最大
民
300
300
300
60
0
0
0
0
10
120
120
120
0
50
0
25
0
30
0
10
25
25
最大
民
120
120
120
25
0
0
0
0
10
100
100
100
0
40
0
25
25
25
最大
民
100
100
100
25
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
图3 ：读周期时序（WE = V
IH
)
t
RC
A0-A16
t
AA
t
CE
CE1/CE2
t
LZ
OE
t
OLZ
D0-D7
数据有效
t
OH
t
OE
能有效
t
OHZ
t
HZ
库存号23005-07 6/99
5
QQ：2881677436 复制
