纳安解决方案公司
1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
EM033C08
EM033C08
低功耗32Kx8 SRAM的32引脚ROM引脚兼容封装
概观
该EM033C08是一个集成存储设备
含有低功率256千比特静态随机
存取存储器组织为32,768字×8
位。该装置采用了先进的制造
CMOS工艺和纳安的高速/低
电源电路技术。本设备被设计
是相当有效的电池供电的产品
它是非常低的工作电流和待机电流。它
也能够全面运作的在电压低至
1.5伏。该器件的引脚完全兼容
与纳安的EM02R2XX家庭组合
RAM和ROM的产品使得它很容易
替代的SRAM唯一设备，其中ROM是
不必要的应用程序。该装置是
在较宽的温度和电压非常稳定
年龄范围。
特点
扩大工作电压范围
1.5 3.6 V
极低的待机电压
1.2 V
扩展级温度范围
-20
o
+80
o
C
快速的周期时间
100纳秒（ @ 2.7V ）
极低的工作电流
I
CC
< 1毫安典型电压为3V ， 1兆赫
极低的待机电流
I
SB
= 100 nA的典型
可提供32引脚STSOP或TSOP
包
图1 ：引脚配置
A11
A9
A8
A13
A14
NC
CE
VCC
WE
NC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
NC
D7
D6
D5
D4
D3
VSS
D2
D1
D0
A0
A1
A2
A3
表1 ：引脚说明
引脚名称
A0-A14
D0-D7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能（低电平有效）
输出使能（低电平有效）
写使能（低电平有效）
动力
地
未连接（浮）
EM033C08
STSOP ， TSOP
图2 ：工作信封
8兆赫
8
典型的我
CC
（MA ）
6
5兆赫
4
2
0
0
1
2
V
CC
(V)
3
4
2.5兆赫
1兆赫
库存号23087-01 12/98
1
纳安解决方案
图3 ：功能框图
输入/
地址
输入
A
0
- A
14
地址
解码
逻辑
32K ×8
RAM阵列
产量
MUX
和
缓冲器
D0 - D7
数据I / O
EM033C08
CE
WE
OE
控制
逻辑
图4：功能描述
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
D0-D7
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
模式
待机
待机
读
写
动力
待机
待机*
主动->待机时间*
主动->待机时间*
*该设备将消耗有功功率在这种模式下，每当地址变更
表2 ：绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度 - 扩展商业
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.6
500
-40到+125
-20至+80
单位
V
V
mW
o
C
o
C
*应力大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件在此操作章节中所示的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
库存号23087-01 12/98
2
纳安解决方案
EM033C08
表3 ：工作特性（在规定的温度范围内）
项
电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
电流（注1 ）
待机电流（注2 ）
注意事项：
注意： 1。工作电流是频率和电压的线性函数。您可以使用计算工作电流
用操作频率（f）所示的公式表示在兆赫和工作电压（V）的单位为伏特。例如：工作
在2兆赫和2.0伏将以此为0.3 * 2 * 2 = 1.2 mA的最大电流。
注2：本设备都认为，只要芯片使能（ CE ），待机模式被禁用（高） 。它还会自动
进入待机模式时所有的输入信号是静止的（不切换）每当访问或写周期
无论国家的CE完成。为了实现低待机电流所有输入电平必须在0.2伏
任V
CC
或GND 。
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
I
OH
= 200
A
I
OL
= –200
A
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或CE = 1
V
IN
= V
CC
或0V ，CE = 0
V
IN
= V
CC
或0V
CE = V
CC
测试条件
分钟。
1.5
1.2
0.7V
CC
–0.3
V
CC
–0.2
0.2
1
1
0.3 * F * V
10
马克斯。
3.6
3.6
V
CC
+0.3
0.3V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
A
表4 ：电容*
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
5
5
单位
pF
pF
注：这些参数在设备特性验证，并非100％测试
表5 ：时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
工作温度（除非另有说明）
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5V
CC
CL = 30pF的
-20至+80
o
C
库存号23087-01 12/98
3
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1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
EM033C08
EM033C08
低功耗32Kx8 SRAM的32引脚ROM引脚兼容封装
概观
该EM033C08是一个集成存储设备
含有低功率256千比特静态随机
存取存储器组织为32,768字×8
位。该装置采用了先进的制造
CMOS工艺和纳安的高速/低
电源电路技术。本设备被设计
是相当有效的电池供电的产品
它是非常低的工作电流和待机电流。它
也能够全面运作的在电压低至
1.5伏。该器件的引脚完全兼容
与纳安的EM02R2XX家庭组合
RAM和ROM的产品使得它很容易
替代的SRAM唯一设备，其中ROM是
不必要的应用程序。该装置是
在较宽的温度和电压非常稳定
年龄范围。
特点
扩大工作电压范围
1.5 3.6 V
极低的待机电压
1.2 V
扩展级温度范围
-20
o
+80
o
C
快速的周期时间
100纳秒（ @ 2.7V ）
极低的工作电流
I
CC
< 1毫安典型电压为3V ， 1兆赫
极低的待机电流
I
SB
= 100 nA的典型
可提供32引脚STSOP或TSOP
包
图1 ：引脚配置
A11
A9
A8
A13
A14
NC
CE
VCC
WE
NC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
NC
D7
D6
D5
D4
D3
VSS
D2
D1
D0
A0
A1
A2
A3
表1 ：引脚说明
引脚名称
A0-A14
D0-D7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能（低电平有效）
输出使能（低电平有效）
写使能（低电平有效）
动力
地
未连接（浮）
EM033C08
STSOP ， TSOP
图2 ：工作信封
8兆赫
8
典型的我
CC
（MA ）
6
5兆赫
4
2
0
0
1
2
V
CC
(V)
3
4
2.5兆赫
1兆赫
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1
纳安解决方案
图3 ：功能框图
输入/
地址
输入
A
0
- A
14
地址
解码
逻辑
32K ×8
RAM阵列
产量
MUX
和
缓冲器
D0 - D7
数据I / O
EM033C08
CE
WE
OE
控制
逻辑
图4：功能描述
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
D0-D7
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
模式
待机
待机
读
写
动力
待机
待机*
主动->待机时间*
主动->待机时间*
*该设备将消耗有功功率在这种模式下，每当地址变更
表2 ：绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度 - 扩展商业
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.6
500
-40到+125
-20至+80
单位
V
V
mW
o
C
o
C
*应力大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件在此操作章节中所示的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
库存号23087-01 12/98
2
纳安解决方案
EM033C08
表3 ：工作特性（在规定的温度范围内）
项
电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
电流（注1 ）
待机电流（注2 ）
注意事项：
注意： 1。工作电流是频率和电压的线性函数。您可以使用计算工作电流
用操作频率（f）所示的公式表示在兆赫和工作电压（V）的单位为伏特。例如：工作
在2兆赫和2.0伏将以此为0.3 * 2 * 2 = 1.2 mA的最大电流。
注2：本设备都认为，只要芯片使能（ CE ），待机模式被禁用（高） 。它还会自动
进入待机模式时所有的输入信号是静止的（不切换）每当访问或写周期
无论国家的CE完成。为了实现低待机电流所有输入电平必须在0.2伏
任V
CC
或GND 。
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
I
OH
= 200
A
I
OL
= –200
A
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或CE = 1
V
IN
= V
CC
或0V ，CE = 0
V
IN
= V
CC
或0V
CE = V
CC
测试条件
分钟。
1.5
1.2
0.7V
CC
–0.3
V
CC
–0.2
0.2
1
1
0.3 * F * V
10
马克斯。
3.6
3.6
V
CC
+0.3
0.3V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
A
表4 ：电容*
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
5
5
单位
pF
pF
注：这些参数在设备特性验证，并非100％测试
表5 ：时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
工作温度（除非另有说明）
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5V
CC
CL = 30pF的
-20至+80
o
C
库存号23087-01 12/98
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