双N沟道MOSFET
ELM34806AA-N
■概述
ELM34806AA -N采用先进沟道技术
提供优良的Rds（on ），低栅极电荷和低栅
性。
■特点
Vds=40V
Id=7A
RDS（ON） < 28mΩ （ VGS = 10V ）
RDS（ON） < 42mΩ （ VGS = 4.5V ）
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结温和存储温度范围
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
Pd
TJ ， TSTG
极限
40
±
20
单位
V
V
A
A
W
°C
记
7
6
40
2.0
1.3
-55到150
3
。热特性
参数
最大结点到环境
稳态
符号
RΘJA
典型值。
马克斯。
62.5
单位
° C / W
记
■引脚CON组fi guration
SOP- 8 （ TOP VIEW ）
1
2
3
4
●电路
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
SOURCE1
GATE1
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
DRAIN1
G1
S1
D1
D2
8
7
6
5
G2
S2
4- 1
双N沟道MOSFET
ELM34806AA-N
.Electrical特点
参数
静态参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
Max.body二极管续流
脉冲电流
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
tf
TRR
QRR
VGS = 10V ， VDS = 20V ， Id≈1A
TD （关闭） RGEN = 6Ω
如果= 5A ， DL / DT = 100A / μs的
VGS = 5V ， VDS = 20V ，ID = 7A
VGS = 0V ， VDS = 10V ， F = 1MHz的
790
175
65
16.0
2.5
2.1
2.2
7.5
11.8
11.0
15.5
7.9
4.4
15.0
21.3
20.0
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
2
2
2
2
2
2
2
符号
条件
分钟。
40
1
10
±
100
Ta=25°C
典型值。马克斯。单位注
V
μA
nA
V
A
21
30
24
1
1.3
2.6
28
42
mΩ
mΩ
S
V
A
A
1
1
1
1
3
BVDSS n = 250μA ， VGS = 0V
IDSS
IGSS
VDS = 32V ， VGS = 0V
VDS = 30V ， VGS = 0V ， TJ = 55°C
的Vds = 0V的Vgs =
±
20V
VGS （ TH）的Vds = Vgs的，ID = 250μA
ID（上） VGS = 10V ， VDS = 5V
RDS （ ON）
政府飞行服务队
VSD
Is
ISM
VGS = 10V ，ID = 7A
VGS = 4.5V ，ID = 6A
VDS = 10V ，ID = 5A
如果=是， VGS = 0V
1.0
20
1.5
3.0
注意：
1.脉冲width≤300μsec和责任cycle≤2 ％ 。
2，独立工作温度。
3.脉冲宽度有限的最高结温。
4.占空比≤ 1 ％ 。
4- 2
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