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单P沟道MOSFET
ELM34411AA-N
■概述
ELM34411AA -N采用先进沟道技术
提供优良的Rds(on ),低栅极电荷和低栅
性。
■特点
Vds=-30V
Id=-12A
RDS(ON) < 14mΩ ( VGS = -10V )
RDS(ON) < 22MΩ ( VGS = -4.5V )
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结温和存储温度范围
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
Pd
TJ , TSTG
极限
-30
±
25
单位
V
V
A
A
W
°C
-12
-9
-50
2.5
1.3
-55到150
3
。热特性
参数
最大结到外壳
最大结点到环境
稳态
稳态
符号
RθJC
RΘJA
典型值。
马克斯。
25
50
单位
° C / W
° C / W
■引脚CON组fi guration
SOP- 8 ( TOP VIEW )
1
2
3
4
●电路
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
来源
来源
来源
G
S
D
8
7
6
5
4- 1
单P沟道MOSFET
ELM34411AA-N
.Electrical特点
参数
静态参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
马克斯。体二极管续流
脉冲体二极管电流
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
TD (上)
tr
tf
VGS = -10V , VDS = -15V
Id=-12A
VGS = -10V , VDS = -15V
VGS = 0V , VDS = -15V , F = 1MHz的
3000
870
360
30
9
11
12
16
50
100
42
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
2
2
2
2
2
2
2
符号
条件
分钟。
-30
-1
-10
±
100
Ta=25°C
典型值。马克斯。单位注
V
μA
nA
V
A
12
18
28
-1.2
-2.1
-4
14
22
S
V
A
A
1
1
1
1
3
BVDSS n = -250μA , VGS = 0V
IDSS
IGSS
VDS = -24V , VGS = 0V
Vds=-20V,Vgs=0V,Tj=125°C
的Vds = 0V的Vgs =
±
25V
VGS ( TH)的Vds = Vgs的,ID = -250μA
ID(上) VGS = -10V , VDS = -5V
RDS ( ON)
政府飞行服务队
VSD
Is
ISM
VGS = -10V ,ID = -12A
VGS = -4.5V ,ID = -9A
VDS = -10V ,ID = -12A
是=如果, VGS = 0V
-1.0
-50
-1.5
-3.0
TD (关闭) Id≈ - 1A , RGEN = 6Ω
注意:
1.脉冲width≤300μsec和责任cycle≤2 % 。
2,独立工作温度。
3.脉冲宽度有限的最高结温。
4.占空比≤ 1 % 。
4- 2
单P沟道MOSFET
ELM34411AA-N
P沟道逻辑电平增强
NIKO -SEM
型场效应晶体管
■典型的电气和热特性的
P1403EVG
SOP-8
LEAD -FREE
体二极管正向电压的变化与源电流和温度
100
10
V
GS
= 0V
- 是 - 反向漏电流( A)
1
T
A
= 125°C
0.1
0.01
25°C
-55°C
0.001
0.0001
0
0.6
0.2
0.4
0.8
-V
SD
- 体二极管正向电压( V)
1.0
1.2
3
JAN-17-2006
4- 3
NIKO -SEM
P沟道
ELM34411AA-N
逻辑电平增强
型场效应晶体管
单P沟道MOSFET
P1403EVG
SOP-8
LEAD -FREE
4
JAN-17-2006
4- 4
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