单P沟道MOSFET
ELM34403AA-N
■概述
ELM34403AA -N采用先进沟道技术
提供优良的Rds（on ），低栅极电荷和低栅
性。
■特点
Vds=-55V
Id=-4.5A
RDS（ON） < 80mΩ （ VGS = -10V ）
RDS（ON） < 150mΩ （ VGS = -4.5V ）
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结温和存储温度范围
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
Pd
TJ ， TSTG
极限
-55
±
20
-4.5
-3.5
-20
2.5
1.3
-55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
3
记
。热特性
参数
最大结点到环境
稳态
符号
RΘJA
典型值。
马克斯。
50
单位
° C / W
记
■引脚CON组fi guration
SOP- 8 （ TOP VIEW ）
1
2
3
4
●电路
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
来源
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
G
S
D
8
7
6
5
4- 1
单P沟道MOSFET
ELM34403AA-N
.Electrical特点
参数
静态参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
马克斯。体二极管续流
脉冲体二极管电流
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
VGS = 0V ， VDS = -30V ， F = 1MHz的
760
90
40
15.0
2.5
3.0
7
10
19
12
15.5
7.9
14
20
34
22
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
2
2
2
2
2
2
2
符号
条件
分钟。
-55
-1
-10
±
250
Ta=25°C
典型值。马克斯。单位注
V
μA
nA
V
A
60
90
9
-1
-1.3
-2.6
80
150
mΩ
mΩ
S
V
A
A
1
1
1
1
3
BVDSS n = -250μA ， VGS = 0V
IDSS
IGSS
VDS = -44V ， VGS = 0V
Vds=-36V,Vgs=0V,Tj=125°C
的Vds = 0V的Vgs =
±
20V
VGS （ TH）的Vds = Vgs的，ID = -250μA
ID（上） VGS = -10V ， VDS = -5V
RDS （ ON）
政府飞行服务队
VSD
Is
ISM
VGS = -10V ，ID = -4.5A
VGS = -4.5V ，ID = -3.5A
VDS = -10V ，ID = -4.5A
是=如果， VGS = 0V
-1.0
-20
-1.5
-2.5
VGS = -10V ， VDS = -27.5V
Id=-4.5A
VGS = -10V ， VDS = -20V
TD （关闭） Id≈ - 1A ， RGEN = 6Ω
tf
TRR
QRR
如果= -3.5A ， DL / DT = 100A / μs的
如果= -3.5A ， DL / DT = 100A / μs的
注意：
1.脉冲width≤300μsec和责任cycle≤2 ％ 。
2，独立工作温度。
3.脉冲宽度有限的最高结温。
4.占空比≤ 1 ％ 。
4- 2
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