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30
4V
25
20
10V
4.5V
3.5V
30
25
20
Vds=5V
ID （ A）
ID （ A）
125°C
15
10
5
0
25°C
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
VDS （伏特）
图1 ：在区域特征
Vgs=3V
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VGS （伏特）
图2 ：传输特性
1040
26
1.7
180
110
0.7
Id=8.5A
Vgs=4.5V
Vgs=10V
RDS（ON） （M
:
)
22
Vgs=4.5V
归一化的导通电阻
1.6
1.5
1.4
18
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8:,
1.3
根
=3:
R
14
Vgs=10V
1.2
1.1
1
0.9
0
50
100
150
200
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
10
0
5
10
15
20
25
30
ID （ A）
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
60
50
Id=8.5A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
RDS（ON） （M
:
)
是（ A）
40
30
125°C
20
10
2
4
25°C
6
8
10
1.0E-02
1.0E-03
25°C
FET +肖特基
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD （伏）
图6 ：体二极管的性能
（注6 ）
VGS （伏特）
图5 ：导通电阻与栅源电压
10
8
Vds=15V
Id=8.5A
1500
1250
C
国际空间站
f=1MHz
Vgs=0V
电容（pF）
VGS （伏特）
1000
750
500
C
RSS
250
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
VDS （伏特）
图8 ：电容特性
100.0
TJ （ MAX）= 150 ° C， TA = 25 ℃，
RDS （ ON）
有限
10Ps
100Ps
10ms
0.1s
40
1040
180
110
0.7
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
功率（W）的
10.0
1ms
ID （ A）
20
1.0
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8:, R
根
=3:
1s
10s
DC
10
0.1
0.1
1
VDS （伏特）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注5 ）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注5 ）
10
Z
TJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
a
+P
dm
.Z
TJA
.R
TJA
R
TJA
=62.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
Pd
T
on
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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