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30
10V
25
4.5V
20
3V
20
16
12
8
Vds=5V
ID （ A）
15
10
2.5V
ID （ A）
Vgs=2V
5
0
0
1
2
3
4
5
VDS （伏特）
图1 ：在区域特征
125°C
4
0
0
0.5
1
1.5
2
25°C
2.5
3
VGS （伏特）
图2 ：传输特性
60
50
Vgs=2.5V
1.7
归一化的导通电阻
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
Id=5A
Vgs=4.5V
Vgs=10V
RDS（ON） （M :)
40
30
20
10
0
5
10
15
20
ID （ A）
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
Vgs=4.5V
Vgs=2.5V
Vgs=10V
0.8
0
50
100
150
200
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
70
60
Id=5A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
RDS（ON） （M :)
50
是（ A）
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
40
30
20
10
0
2
4
6
8
125°C
25°C
0.0
10
VGS （伏特）
图5 ：导通电阻与栅源电压
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD （伏）
图6 ：体二极管的性能
5
4
1500
Vds=15V
Id=7A
1250
f=1MHz
Vgs=0V
C
国际空间站
电容（pF）
VGS （伏特）
1000
750
500
250
0
C
OSS
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
VDS （伏特）
图8 ：电容特性
100.0
RDS （ ON）
有限
Tj(Max)=150°C
Ta=25°C
1ms
10ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
VDS （伏特）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注5 ）
10
100
100Ps
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
功率（W）的
10.0
ID （ A）
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注5 ）
10
Z
T
ja
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
a
+P
dm
.Z
TJA
.R
TJA
R
TJA
=62.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
Pd
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
10
125°C
250
F = 1MHz的
200
电容（pF）
25°C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
如果（安培）
150
100
50
0
0
5
10
15
20
25
30
0.1
0.01
0.001
Vf的（伏）
图12 ：肖特基正向特性
维生素K拮抗剂（伏特）
图13 ：肖特基电容特性
0.7
If=3A
100
0.5
漏电流（mA ）
0.6
10
1
Vr=30V
0.1
0.01
0.001
Vf的（伏）
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25
50
If=1A
75
100
125
温度（℃）
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
图14 ：肖特基正向压降与
结温
10
温度（℃）
图15 ：肖特基泄漏电流与结
温度
Z
T
ja
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
a
+P
dm
.Z
TJA
.R
TJA
R
TJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
Pd
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：肖特基归最大瞬态热阻抗
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