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40
10V
4V
30
4.5V
30
25
20
Vds=5V
125°C
ID ( A)
20
3.5V
10
ID ( A)
15
10
25°C
5
Vgs=3V
0
0
1
2
3
4
5
VDS (伏特)
图1 :在区域特征
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VGS (伏特)
图2 :传输特性
2.2
24
归一化的导通电阻
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
Vgs=10V
Id=6.3A
22
RDS(ON) (M
:
)
Vgs=4.5V
20
Vgs=10V
18
Vgs=4.5V
Id=5.7A
16
0
5
10
15
20
ID ( A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
50
Id=6.3A
40
125°C
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
RDS(ON) (M
:
)
是( A)
30
25°C
20
1.0E-02
25°C
1.0E-03
1.0E-04
10
2
4
6
8
10
VGS (伏特)
图5 :导通电阻与栅源电压
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD (伏)
图6 :体二极管的性能
10
8
Vds=15V
Id=6.3A
3500
3000
电容(pF)
2500
2000
1500
C
OSS
1000
C
RSS
500
C
国际空间站
VGS (伏特)
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
15
20
25
VDS (伏特)
图8 :电容特性
5
10
30
100.0
RDS ( ON)
有限
10.0
100Ps
1ms
10ms
1s
1.0
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0.1
0.1
1
VDS (伏特)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
10s
DC
0.1s
10Ps
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
功率(W)的
ID (安培)
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
TJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
a
+P
dm
.Z
TJA
.R
TJA
R
TJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
Pd
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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