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50
-10V
40
30
20
10
0
0
-8V
25
-6V
-5.5V
-5V
Vds=-5V
20
15
10
5
0
125°C
25°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-id （ A）
-4.5V
Vgs=-4V
1
2
3
4
5
-id （ A）
-Vds （伏）
图1 ：在区域特征
-Vgs （伏）
图2 ：传输特性
30
25
1.4
归一化的导通电阻
Id=-8A
1.3
Vgs=-10V
1.2
1.1
1
0.9
0.8
Vgs=-4.5V
Vgs=-6V
RDS（ON） （M
:
)
20
15
Vgs=-10V
10
5
0
0
5
10
15
20
25
-id （ A）
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
60
50
Id=-8A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
RDS（ON） （M
:
)
40
-is （ A）
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
25°C
1.0E-05
1.0E-06
30
20
25°C
10
0
2
4
6
8
125°C
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-Vgs （伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
-Vsd （伏）
图6 ：体二极管的性能
10
Vds=-15V
Id=-8A
8
3000
2500
C
国际空间站
电容（pF）
-Vgs （伏）
2000
1500
C
OSS
1000
500
0
C
RSS
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
5
10
15
20
25
30
-Vds （伏）
图8 ：电容特性
100.0
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10Ps
40
100Ps
1ms
10ms
0.1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
-id （安培）
功率（W）的
10.0
RDS （ ON）
有限
20
1.0
1s
10s
DC
10
0.1
0.1
1
-Vds （伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
TJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
a
+P
dm
.Z
TJA
.R
TJA
R
TJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
Pd
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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