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30
10V
25
20
6V
5V
4.5V
20
16
12
8
125°C
4
25°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
VDS （伏特）
图1 ：在区域特征
VGS （伏特）
图2 ：传输特性
Vds=5V
4V
ID （ A）
15
3.5V
10
5
0
Vgs=3V
60
ID （ A）
1.7
归一化的导通电阻
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
50
Id=6.9
Vgs=10V
RDS（ON） （M
:
)
40
30
20
Vgs=4.5V
Vgs=4.5V
Vgs=10V
10
0
5
10
15
20
ID （安培）
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
50
100
150
200
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
70
60
1.0E+01
Id=6.9
是AMPS
1.0E+00
125°C
RDS（ON） （M
:
)
50
40
30
20
10
2
4
6
8
10
VGS （伏特）
图5 ：导通电阻与栅源电压
25°C
125°C
1.0E-01
25°C
1.0E-02
FET +肖特基
1.0E-03
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD （伏）
图6 ：并行肖特基体二极管
特征
（注六）
10
8
1000
Vds=15V
Id=6.9A
900
800
f=1MHz
Vgs=0V
电容（pF）
700
600
500
400
300
200
100
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
C
OSS
（ FET +肖特基）
C
国际空间站
VGS （伏特）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
VDS （伏特）
图8 ：电容特性： MOSFET +
并联肖特基
100
RDS （ ON）
有限
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
1ms
10ms
0.1s
100Ps
10Ps
40
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
30
ID （安培）
10
功率W
1s
10s
DC
20
1
10
0.1
0.1
1
VDS （伏特）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
TJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
a
+P
dm
.Z
TJA
.R
TJA
R
TJA
=62.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
Pd
T
on
单脉冲
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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