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30
10V
25
4.5V
20
2.5V
3V
20
Vds=5V
16
ID ( A)
12
15
10
5
V
gs
=1.5V
0
0
1
2
3
4
5
V
ds
(伏)
图1 :在区域特征
60
50
1.8
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
gs
(伏)
图2 :传输特性
ID( A)
8
2V
4
125°C
25°C
归一化的导通电阻
V
gs
=2.5V
1.6
V
gs
=4.5V
1.4
1.2
1
0.8
Vgs=10V
V
gs
=2.5V
RDS
(上)
(m
:
)
40
30
20
V
gs
=10V
10
0
5
10
15
20
ID ( A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
Vgs=4.5V
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
100
90
80
70
125°
Id=5A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
RDS
(上)
(m
:
)
60
50
40
30
20
10
0
4
6
8
10
V
gs
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
2
25°C
是( A)
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
sd
(伏)
图6 :体二极管的性能
5
4
Vds=15V
I
d
=8.5A
1400
1200
电容(pF)
1000
C
国际空间站
800
600
400
200
C
OSS
C
RSS
V
gs
(伏)
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
VDS (伏特)
图8 :电容特性
100.0
R
DS ( ON)
有限
100Ps
1ms
T
J(下最大)
=150°C
T
a
=25°C
50
40
Tj
(最大)
=150°C
T
a
=25°C
功率(W)的
DC
ID (安培)
10.0
10ms
0.1s
1.0
1s
10s
30
20
10
0
0.001
0.1
0.1
1
V
ds
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
TJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
= TA + P
dm
.Z
TJA
.R
TJA
R
TJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
Pd
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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