4引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
产品特点：
无卤素。
电流传输比
（ CTR ：我在50 600 ％
F
= 5毫安，V
CE
=5V)
输入端之间的高隔离电压
和输出（维索= 5000 V有效值）
爬电距离>7.62毫米
工作温度可达+ 110℃
紧凑型小外形封装
无铅并符合RoHS标准。
UL认证（ E214129号）
VDE认证（ 132249号）
SEMKO批准
NEMKO认可
DEMKO批准
FIMKO批准
CSA认证
CQC批准
EL817 -G系列
描述
该EL817系列器件均包含一个红外
发光二极管，光耦合到光电晶体管
探测器封装绿色化合物。
该器件采用4引脚DIP封装，并提供
宽引线间距和SMD选项。
概要
应用
可编程控制器
系统设备，测量仪器
电信设备
家用电器，如风扇加热器等。
不同的潜能和阻抗的电路之间的信号传输
引脚配置
1.阳极
2.阴极
3.辐射源
4.收集
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000011 1版
1
http://www.everlight.com
2010年7月30日
调整
:4
发布日期： 2011-02-18 08 ： 59 ： 58.0
过期时间：永久
LifecyclePhase ：
4引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流（ 1微秒，脉冲）
输入
反向电压
功耗
降额因子（以上牛逼
a
= 100°C)
功耗
降额因子（以上牛逼
a
= 100°C)
产量
集电极电流
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
总功耗
隔离电压
*1
EL817 -G系列
符号
I
F
I
FP
V
R
等级
60
1
6
100
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
mA
V
V
mW
V有效值
°C
°C
°C
P
D
2.9
150
P
C
5.8
I
C
V
首席执行官
V
ECO
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
50
80
7
200
5000
-55 ~ +110
-55 ~ +125
260
工作温度
储存温度
焊接温度
*2
T
SOL
笔记
* 1交流电进行1分钟， RH = 40 60％RH下在该测试中，引脚1 & 2短接在一起，并且销3 & 4
被短接在一起。
* 2 10秒。
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过期时间：永久
LifecyclePhase ：
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光电耦合器
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
符号
V
F
分钟。
-
-
-
TYP 。 *
1.2
-
30
马克斯。
1.4
10
250
单位
V
A
pF
EL817 -G系列
条件
I
F
= 20mA下
V
R
= 4V
V = 0 ， F = 1kHz时
I
R
C
in
产量
参数
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
符号
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
分钟。
-
80
7
TYP 。 *
-
-
-
马克斯。
100
-
-
单位
nA
V
V
条件
V
CE
= 20V ，我
F
= 0毫安
I
C
= 0.1毫安
I
E
= 0.1毫安
传输特性（T
a
= 25C除非另有规定）
参数
EL817
EL817A
EL817B
电流传输
EL817C
比
EL817D
EL817X
EL817Y
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘电阻
杂散电容
截止频率
上升时间
下降时间
*在T典型值
a
= 25°C
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符号
分钟。
50
80
130
TYP 。 *
-
-
-
-
-
-
-
0.1
马克斯。
600
160
260
400
600
200
300
0.2
-
1.0
-
18
18
单位
条件
CTR
200
300
100
150
%
I
F
= 5毫安，V
CE
= 5V
V
CE （ SAT ）
R
IO
C
IO
fc
t
r
t
f
-
5×10
-
-
-
-
10
V
pF
千赫
s
s
I
F
= 20mA时，我
C
= 1毫安
V
IO
= 500V直流，
4060 ％相对湿度
V
IO
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
R
L
= 100Ω ， -3dB
V
CE
= 2V ，我
C
= 2毫安，
R
L
= 100
-
0.6
80
6
8
调整
:4
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过期时间：永久
LifecyclePhase ：
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光电耦合器
典型性能曲线
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光电耦合器
V
CC
I
F
输入
输入
脉冲
产量
EL817 -G系列
I
C
R
L
R
IN
产量
脉冲
t
r
t
on
图7.开关时间测试电路波形&
10%
90%
t
f
t
关闭
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