4引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
产品特点：
无卤素。
电流传输比
（ CTR ：我在50 600 ％
F
= 5毫安，V
CE
=5V)
输入端之间的高隔离电压
和输出（维索= 5000 V有效值）
爬电距离>7.62毫米
工作温度可达+ 110℃
紧凑型小外形封装
无铅并符合RoHS标准。
UL认证（ E214129号）
VDE认证（ 132249号）
SEMKO批准
NEMKO认可
DEMKO批准
FIMKO批准
CSA认证
CQC批准
EL817 -G系列
描述
该EL817系列器件均包含一个红外
发光二极管，光耦合到光电晶体管
探测器封装绿色化合物。
该器件采用4引脚DIP封装，并提供
宽引线间距和SMD选项。
概要
应用
可编程控制器
系统设备，测量仪器
电信设备
家用电器，如风扇加热器等。
不同的潜能和阻抗的电路之间的信号传输
引脚配置
1.阳极
2.阴极
3.辐射源
4.收集
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1
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2010年7月30日
调整
:4
发布日期： 2011-02-18 08 ： 59 ： 58.0
过期时间：永久
LifecyclePhase ：
4引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流（ 1微秒，脉冲）
输入
反向电压
功耗
降额因子（以上牛逼
a
= 100°C)
功耗
降额因子（以上牛逼
a
= 100°C)
产量
集电极电流
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
总功耗
隔离电压
*1
EL817 -G系列
符号
I
F
I
FP
V
R
等级
60
1
6
100
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
mA
V
V
mW
V有效值
°C
°C
°C
P
D
2.9
150
P
C
5.8
I
C
V
首席执行官
V
ECO
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
50
80
7
200
5000
-55 ~ +110
-55 ~ +125
260
工作温度
储存温度
焊接温度
*2
T
SOL
笔记
* 1交流电进行1分钟， RH = 40 60％RH下在该测试中，引脚1 & 2短接在一起，并且销3 & 4
被短接在一起。
* 2 10秒。
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发布日期： 2011-02-18 08 ： 59 ： 58.0
过期时间：永久
LifecyclePhase ：
4引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
符号
V
F
分钟。
-
-
-
TYP 。 *
1.2
-
30
马克斯。
1.4
10
250
单位
V
A
pF
EL817 -G系列
条件
I
F
= 20mA下
V
R
= 4V
V = 0 ， F = 1kHz时
I
R
C
in
产量
参数
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
符号
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
分钟。
-
80
7
TYP 。 *
-
-
-
马克斯。
100
-
-
单位
nA
V
V
条件
V
CE
= 20V ，我
F
= 0毫安
I
C
= 0.1毫安
I
E
= 0.1毫安
传输特性（T
a
= 25C除非另有规定）
参数
EL817
EL817A
EL817B
电流传输
EL817C
比
EL817D
EL817X
EL817Y
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘电阻
杂散电容
截止频率
上升时间
下降时间
*在T典型值
a
= 25°C
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符号
分钟。
50
80
130
TYP 。 *
-
-
-
-
-
-
-
0.1
马克斯。
600
160
260
400
600
200
300
0.2
-
1.0
-
18
18
单位
条件
CTR
200
300
100
150
%
I
F
= 5毫安，V
CE
= 5V
V
CE （ SAT ）
R
IO
C
IO
fc
t
r
t
f
-
5×10
-
-
-
-
10
V
pF
千赫
s
s
I
F
= 20mA时，我
C
= 1毫安
V
IO
= 500V直流，
4060 ％相对湿度
V
IO
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
R
L
= 100Ω ， -3dB
V
CE
= 2V ，我
C
= 2毫安，
R
L
= 100
-
0.6
80
6
8
调整
:4
发布日期： 2011-02-18 08 ： 59 ： 58.0
过期时间：永久
LifecyclePhase ：
4引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
典型性能曲线
EL817 -G系列
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发布日期： 2011-02-18 08 ： 59 ： 58.0
过期时间：永久
LifecyclePhase ：
4引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
V
CC
I
F
输入
输入
脉冲
产量
EL817 -G系列
I
C
R
L
R
IN
产量
脉冲
t
r
t
on
图7.开关时间测试电路波形&
10%
90%
t
f
t
关闭
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过期时间：永久
LifecyclePhase ：
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技术数据表
光电耦合器
产品特点：
电流传输比
（ CTR ：在IF = 5毫安50.分钟％ ， VCE = 5V ）
输入端之间的高隔离电压
和输出（维索= 5000 V有效值）
紧凑型双列直插式封装
EL817L *： 1沟道型
无铅
初步
EL817L系列
UL认证（ E214129号）
VDE认证（ 132249号）
SEMKO批准（编号0143133 / 01-03 ）
NEMKO认可（编号P00102385 ）
DEMKO批准（编号310352-04 ）
FIMKO批准（编号FI 16763A2 ）
CSA认证（ 1143601号）
BSI批准（ 8593分之8592号）
可选项：
-
信息与0.4“ （ 10.16毫米）间距（M型）
-
引线弯曲表面安装（ S型）
-
磁带和卷轴SMD Ⅰ型（添加“ -TA ”后缀）
-
磁带和卷轴SMD Ⅱ型（添加“ -TB ”后缀）
-
磁带为16mm和缠绕在一个33厘米卷轴
该产品本身将保持在RoHS兼容的版本。
描述
该EL817系列包含一个红外发光二极管光
耦合到一个光电晶体管。它封装在一个4针DIP封装
而在宽引线间距和SMD选项可用。
应用
电脑终端机
系统设备，测量仪器
寄存器，复印机，自动售货机
盒式录音机
家用电器，如风扇加热器等。
不同电位的电路之间的信号传输
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编制日期： 2005年7月20日
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页： 1的11
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技术数据表
光电耦合器
和阻抗
初步
EL817L系列
设备选型指南
芯片材料
的一部分。号
IR
PT
EL817*
砷化镓
硅
包装尺寸
军衔标志* 1
厂家识别标记* 2
年份代码* 3
阳极大关
星期代码* 4
L 8 1 7
L
亿光
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REV 2
第2页11
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技术数据表
光电耦合器
初步
EL817L系列
包装尺寸
M型
L 8 1 7
亿光
S型
L 8 1 7
亿光
注意事项：
1.排名应或不应标为
2.工厂代码应标（ T：台湾/ C：中国）
3.年份日期代码
4. 2位工作周
5.所有尺寸的单位均为毫米
6.规格如有变更，恕不另行通知
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技术数据表
光电耦合器
初步
EL817L系列
绝对最大额定值
参数
正向电流
输入
反向电压
功耗
集电极耗散功率
产量
集电极电流
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
总功耗
＊
1
（ TA = 25
°C
)
符号
I
F
V
R
P
P
C
I
C
V
首席执行官
V
ECO
P合计
VISO
TOPR
TSTG
TSOL
等级
80
6
150
150
50
35
6
200
5000
-55~+110
-55~+125
260
单位
mA
V
mW
mW
mA
V
V
mW
V有效值
°C
°C
°C
隔离电压
工作温度
储存温度
＊
2
焊接温度
*1
)
)
)
)
*2
交流电进行1分钟， R.H = 40 60％RH的
-Isolation电压应采用下面的方法来测定。
（1）短的阳极和阴极之间的初级侧和
之间的集电极，发射极和基极上的次级侧。
（2）隔离电压测试仪具有零交叉电路，应使用。
（3）施加的电压的波形必须是正弦波
10秒
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第4页： 11
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技术数据表
光电耦合器
初步
EL817L系列
光电特性
参数
前锋
输入
反向
当前
终奌站
集热器
暗电流
产量
集电极 -
辐射源
击穿
电压
当前
转让
比
集电极 -
辐射源
饱和
电压
隔离
阻力
浮选
电容
截止
频率
上升时间
CTR
50
符号
V
F
I
R
Ct
I
首席执行官
分钟。
-
-
-
-
典型值。
1.2
-
30
-
马克斯。
1.4
10
250
100
单位
V
uA
pF
nA
(Ta=25°C)
条件
I
F
=20mA
V
R
=4V
V=0,f=1kHz
V
CE
=20V
BV
首席执行官
80
-
-
V
Ic=0.1mA
转让
特征
-
600
%
I
F
= 5毫安，V
CE
=5V
V
CE （ SAT ）
-
0.1
0.2
V
I
F
= 20mA时， IC = 1毫安
R
ISO
Cf
fc
t
r
5×10
10
-
-
-
10
11
0.6
80
4
-
1.0
-
18
pF
千赫
us
DC500V,40~60%R.H
V = 0 ， F = 1MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
R
L
= 100Ω ， -3dB
V
CE
=2V
I
C
=2mA,R
L
=100
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编制日期： 2005年7月20日
REV 2
第5页： 11
陈瑞仁：编制
EL817系列
技术数据表
光电耦合器符合RoHS
产品特点：
电流传输比
（ CTR ：在IF = 5毫安50.分钟％ ， VCE = 5V ）
输入端之间的高隔离电压
和输出（维索= 5000 V有效值）
紧凑型双列直插式封装
EL817 *： 1沟道型
无铅
UL认证（ E214129号）
VDE认证（ 132249号）
SEMKO批准（编号300858,300859,304855 ，
304827,2022251,0143133/01-03,0101083/01,
303345,303349)
NEMKO认可（编号P04203585 ， P00102385 ，
P02101854)
DEMKO批准（编号311822-01 / 02 / 03,310352-01 ，
311822-03A)
CSA认证（ 1143601号）
BSI批准（编号8592 ， 8593 ）
可选项：
- 信息与0.4“ （ 10.16毫米）间距（M型）
- 引线弯曲表面安装（ S和S 1型）
- 磁带和类型的卷
Ⅰ
为SMD （添加“ -TA ”后缀）
- 磁带和类型的卷
Ⅱ
为SMD （添加“ -TB ”后缀）
- 带宽16mm和缠绕在一个33厘米卷轴
该产品本身将保持在RoHS兼容的版本。
EL817
EL817M
EL817S
描述
该EL817系列包含一个红外发光二极管光
耦合到一个光电晶体管。它封装在一个4针DIP封装
而在宽引线间距和SMD选项可用。
应用
电脑终端机
系统设备，测量仪器
寄存器，复印机，自动售货机
家用电器，如风扇加热器等。
不同电位的电路之间的信号传输
和阻抗
EL817系列
技术数据表
光电耦合器符合RoHS
绝对最大额定值
参数
正向电流
输入
反向电压
功耗
集电极耗散功率
产量
集电极电流
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
总功耗
＊
1
（ TA = 25
°C
)
符号
I
F
V
R
P
P
C
I
C
V
首席执行官
V
ECO
P合计
VISO
TOPR
TSTG
TSOL
等级
50
6
70
150
50
35
6
200
5000
-55~+110
-55~+125
260
单位
mA
V
mW
mW
mA
V
V
mW
V有效值
°C
°C
°C
隔离电压
工作温度
储存温度
＊
2
焊接温度
*1
交流电进行1分钟， R.H = 40 60％RH的
-Isolation电压应采用下面的方法来测定。
（1）短的阳极和阴极之间的初级侧和
之间的集电极，发射极和基极上的次级侧。
（2）隔离电压测试仪具有零交叉电路，应使用。
（3）施加的电压的波形必须是正弦波
10秒
*2
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