EL7585
数据表
2006年3月9日
FN7345.2
TFT- LCD电源
该EL7585代表多路输出调节器使用
在所有的大型面板， TFT- LCD应用。它功能单一
升压转换器集成了3.5A FET ，两个正的LDO
对于V
ON
和V
逻辑
代，和一个单一的负LDO
对于V
关闭
一代。升压转换器可以
编程中的任一P模式或PI -模式来操作
改善负载调节。
该EL7585还集成了所有四个故障保护
通道。一旦检测到故障，该设备被锁定关闭
直到输入电源或EN的循环。该器件还
特点为V集成的启动顺序
升压，
V
关闭
,
那么V
ON
或V
关闭
, V
BOOST
和V
ON
测序。该
后者需要一个外部晶体管。的时机
启动顺序使用外部电容器设定。
该EL7585工作在-40 ° C至指定的操作
+ 85 °C温度范围。
特点
3.5A电流限制FET选项
3V至5V输入
高达20V的升压出来
1 ％调控对所有输出
V
BOOST
/V
逻辑
-V
关闭
-V
ON
或V
逻辑
-V
关闭
-V
BOOST
-
V
ON
顺序控制
可编程序延迟
完善的故障保护
热关断
内部软启动
20 Ld的QFN封装
无铅加退火有（符合RoHS ）
订购信息
部分
数
EL7585ILZ
（注）
EL7585ILZ-T7
（注）
部分
记号
7585ILZ
7585ILZ
包
20 Ld的4×4 QFN
（无铅）
20 Ld的4×4 QFN
（无铅）
20 Ld的4×4 QFN
（无铅）
磁带&
REEL
-
7”
13”
PKG 。
DWG 。 ＃
MDP0046
MDP0046
MDP0046
应用
液晶显示器（ 15“ + ）
液晶电视（高达40“ +）
笔记本显示器（最多16 “ ）
工业/医疗液晶显示器
引脚
EL7585
（ 20 LD QFN ）
顶视图
17 SGND
19 VDD
16 FBB
15 CINT
14 Vref的
热
PAD
13 PGND
12 PGND
11 FBN
9 SGND
DRVN 10
FBP 6
DRVL 7
FBL 8
20 PG
18 EN
EL7585ILZ - T13 7585ILZ
（注）
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
CDLY 1
DELB 2
LX1 3
LX2 4
DRVP 5
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7585
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V
DELB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20V
V
DRVP
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
V
越南民主共和国
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -20V
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5V
V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24V
热信息
热电阻（典型，注意事项1， 2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
39
2.5
V
DRVL
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。看到曲线
最大连续结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
重要提示：为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试
是在特定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
电气规格
参数
供应
V
S
I
S
时钟
F
OSC
BOOST
V
BOOST
V
FBB
V
F_FBB
V
REF
C
REF
D
最大
I
LXmax
I
泄漏
r
DS （ ON）
EFF
I（ V
FBB
)
V
BOOST
/
V
IN
V
BOOST
/
I
BOOST
V
BOOST
/
I
BOOST
V
CINT_T
电源电压
静态电流
V
DD
= 5V, V
BOOST
= 11V ，我
负载
=的200mA， V
ON
= 15V, V
关闭
= -5V, V
逻辑
= 2.5V ，在整个温度范围从
-40 ℃至85 ℃，除非另有规定。
条件
民
典型值
最大
单位
描述
3
启用后， LX开关不
残
1.7
5
5.5
2.5
20
V
mA
A
振荡器频率
900
1000
1100
千赫
升压输出范围
升压反馈电压
T
A
= 25°C
5.5
1.192
1.188
1.205
1.205
0.9
T
A
= 25°C
1.19
1.187
1.215
1.215
100
20
1.218
1.222
V
V
V
V
FBB故障跳闸点
参考电压
1.235
1.238
V
V
nF
%
V
REF
电容
最大占空比
开关电流限制
开关漏电流
开关导通电阻
提高外汇基金fi效率
反馈输入偏置电流
线路调整
负载调节 - “P”模式
负载调节 - “PI”模式
CINT PL模式选择阈值
看到曲线
PL模式下，V
FBB
= 1.35V
C
INT
= 4.7nF ，我
OUT
= 100mA时V
IN
= 3V至5.5V
C
INT
引脚状态绑V
DD
,
50毫安<我
负载
＆ LT ; 250毫安
C
INT
= 4.7nF为50mA <我
O
＆ LT ; 250毫安
V
LX
= 16V
22
85
3.5
10
160
92
50
0.05
3
0.1
4.7
4.8
500
A
A
m
%
nA
%/V
%
%
V
2
FN7345.2
2006年3月9日
EL7585
电气规格
参数
OT
I
PG
V
DD
= 5V, V
BOOST
= 11V ，我
负载
=的200mA， V
ON
= 15V, V
关闭
= -5V, V
逻辑
= 2.5V ，在整个温度范围从
-40 ℃至85 ℃，除非另有规定。
（续）
条件
民
典型值
140
VPG > 0.6V
VPG < 0.6V
逻辑使能
V
HI
V
LO
I
低
I
高
逻辑高门槛
逻辑低阈值
逻辑低偏置电流
逻辑高电平偏置电流
在V
EN
= 5V
12
0.2
18
2.2
0.8
1
24
V
V
A
A
15
1.7
最大
单位
°C
A
mA
描述
过温阈值
PG下拉电流
引脚说明
引脚名称
1
2
3, 4
5
6
7
8
9, 17
10
11
12, 13
14
15
16
18
19
20
引脚数
CDLY
DELB
LX1 ， LX2
DRVP
FBP
DRVL
FBL
SGND
越南民主共和国
FBN
保护地
VREF
CINT
FBB
EN
VDD
PG
描述
从这个引脚连接到GND的电容用于设置启动顺序的延迟时间，并设置故障
超时时间
开漏输出可选V的栅极驱动
BOOST
延迟FET
内部N沟道场效应管提升排水;对于EL7586 ，销4未连接
正LDO基极驱动;一个内部N沟道FET的漏极开路
正LDO电压反馈输入引脚;调节到1.2V标称
逻辑LDO基极驱动;一个内部N沟道FET的漏极开路
逻辑LDO电压反馈输入引脚;调节到1.2V标称
低噪声信号地
负LDO基极驱动;内部P沟道FET的漏极开路
负LDO电压反馈输入引脚;调节到0.2V标称
电源地线，连接到内部N沟道FET升压源
带隙电压旁路，连接一个0.1μF至SGND
V
BOOST
积分器的输出，连接电容SGND为PI模式或连接到V
DD
为P模式
手术
升压稳压器电压反馈输入引脚;调节到1.2V标称
使能引脚，高=启用;低或浮=禁用
正电源
推拉可选故障保护FET栅极驱动器，当芯片被禁止或当故障已
检测到的，这是高
4
FN7345.2
2006年3月9日
EL7585
数据表
2005年7月1日
FN7345.1
TFT- LCD电源
该EL7585代表多路输出调节器使用
在所有的大型面板， TFT- LCD应用。它功能单一
升压转换器集成了3.5A FET ，两个正的LDO
对于V
ON
和V
逻辑
代，和一个单一的负LDO
对于V
关闭
一代。升压转换器可以
编程中的任一P模式或PI -模式来操作
改善负载调节。
该EL7585还集成了所有四个故障保护
通道。一旦检测到故障，该设备被锁定关闭
直到输入电源或EN的循环。该器件还
特点为V集成的启动顺序
升压，
V
关闭
,
那么V
ON
或V
关闭
, V
BOOST
和V
ON
测序。该
后者需要一个外部晶体管。的时机
启动顺序使用外部电容器设定。
该EL7585工作在-40 ° C至指定的操作
+ 85 °C温度范围。
特点
3.5A电流限制FET选项
3V至5V输入
高达20V的升压出来
1 ％调控对所有输出
V
BOOST
/V
逻辑
-V
关闭
-V
ON
或V
逻辑
-V
关闭
-V
BOOST
-
V
ON
顺序控制
可编程序延迟
完善的故障保护
热关断
内部软启动
20引脚QFN封装
无铅加退火有（符合RoHS ）
引脚
EL7585
（ 20引脚QFN ）
顶视图
17 SGND
19 VDD
16 FBB
20 PG
18 EN
应用
液晶显示器（ 15“ + ）
液晶电视（高达40“ +）
笔记本显示器（最多16 “ ）
工业/医疗液晶显示器
CDLY 1
DELB 2
LX1 3
LX2 4
DRVP 5
9 SGND
DRVN 10
FBP 6
DRVL 7
FBL 8
热
PAD
15 CINT
14 Vref的
13 PGND
12 PGND
11 FBN
订购信息
产品型号
EL7585IL
EL7585IL-T7
EL7585IL-T13
EL7585ILZ （注）
EL7585ILZ -T7 （注）
EL7585ILZ - T13 （注）
包
20引脚QFN封装（ 4x4mm的）
20引脚QFN封装（ 4x4mm的）
20引脚QFN封装（ 4x4mm的）
20引脚QFN封装（ 4x4mm的）
（无铅）
20引脚QFN封装（ 4x4mm的）
（无铅）
20引脚QFN封装（ 4x4mm的）
（无铅）
磁带&
REEL
-
7”
13”
-
7”
13”
PKG 。
DWG 。 ＃
MDP0046
MDP0046
MDP0046
MDP0046
MDP0046
MDP0046
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7585
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V
DELB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18V
V
DRVP
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
V
越南民主共和国
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -20V
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5V
V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24V
V
DRVL
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。看到曲线
最大连续结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示：为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试
是在特定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
电气规格
参数
供应
V
S
I
S
时钟
F
OSC
BOOST
V
BOOST
V
FBB
V
F_FBB
V
REF
C
REF
D
最大
I
LXmax
I
泄漏
r
DS （ ON）
EFF
I（ V
FBB
)
V
BOOST
/
V
IN
V
BOOST
/
I
BOOST
V
BOOST
/
I
BOOST
V
CINT_T
V
ON
LDO
V
FBP
V
F_FBP
I
FBP
GMP
电源电压
静态电流
V
DD
= 5V, V
BOOST
= 11V ，我
负载
=的200mA， V
ON
= 15V, V
关闭
= -5V, V
逻辑
= 2.5V ，在整个温度范围从
-40 ℃至85 ℃，除非另有规定。
条件
民
典型值
最大
单位
描述
3
启用后， LX开关不
残
1.7
5
5.5
2.5
20
V
mA
A
振荡器频率
900
1000
1100
千赫
升压输出范围
升压反馈电压
T
A
= 25°C
5.5
1.192
1.188
1.205
1.205
0.9
T
A
= 25°C
1.19
1.187
1.215
1.215
100
16
1.218
1.222
V
V
V
V
FBB故障跳闸点
参考电压
1.235
1.238
V
V
nF
%
V
REF
电容
最大占空比
开关电流限制
开关漏电流
开关导通电阻
提高外汇基金fi效率
反馈输入偏置电流
线路调整
负载调节 - “P”模式
负载调节 - “PI”模式
CINT PL模式选择阈值
看到曲线
PL模式下，V
FBB
= 1.35V
C
INT
= 4.7nF ，我
OUT
= 100mA时V
IN
= 3V至5.5V
C
INT
引脚状态绑V
DD
,
50毫安<我
负载
＆ LT ; 250毫安
C
INT
= 4.7nF为50mA <我
O
＆ LT ; 250毫安
V
LX
= 16V
22
85
3.5
10
160
92
50
0.05
3
0.1
4.7
4.8
500
A
A
m
%
nA
%/V
%
%
V
FBP调节电压
I
DRVP
= 0.2毫安，T
A
= 25°C
I
DRVP
= 0.2毫安
V
FBP
落下
V
FBP
= 1.35V
V
DRVP
= 25V ，我
DRVP
= 0.2 2毫安
1.176
1.172
0.82
-250
1.2
1.2
0.87
1.224
1.228
0.92
250
V
V
V
nA
ms
FBP故障跳闸点
FBP输入偏置电流
FBP有效的跨导
50
2
FN7345.1
2005年7月1日
EL7585
电气规格
参数
I
低
I
高
V
DD
= 5V, V
BOOST
= 11V ，我
负载
=的200mA， V
ON
= 15V, V
关闭
= -5V, V
逻辑
= 2.5V ，在整个温度范围从
-40 ℃至85 ℃，除非另有规定。
（续）
条件
民
典型值
0.2
在V
EN
= 5V
12
18
最大
1
24
单位
A
A
描述
逻辑低偏置电流
逻辑高电平偏置电流
引脚说明
引脚名称
1
2
3, 4
5
6
7
8
9, 17
10
11
12, 13
14
15
16
18
19
20
引脚数
CDLY
DELB
LX1 ， LX2
DRVP
FBP
DRVL
FBL
SGND
越南民主共和国
FBN
保护地
VREF
CINT
FBB
EN
VDD
PG
描述
从这个引脚连接到GND的电容用于设置启动顺序的延迟时间，并设置故障
超时时间
可选的V栅极驱动
BOOST
延迟FET
内部N沟道场效应管提升排水;对于EL7586 ，销4未连接
正LDO基极驱动;一个内部N沟道FET的漏极开路
正LDO电压反馈输入引脚;调节到1.2V标称
逻辑LDO基极驱动;一个内部N沟道FET的漏极开路
逻辑LDO电压反馈输入引脚;调节到1.2V标称
低噪声信号地
负LDO基极驱动;内部P沟道FET的漏极开路
负LDO电压反馈输入引脚;调节到0.2V标称
电源地线，连接到内部N沟道FET升压源
带隙电压旁路，连接一个0.1μF至SGND
V
BOOST
积分器的输出，连接电容SGND为PI模式或连接到V
DD
为P模式
手术
升压稳压器电压反馈输入引脚;调节到1.2V标称
使能引脚，高=启用;低或浮=禁用
正电源
可选故障保护FET ，栅极驱动时，芯片被禁止或检测到故障时，这
是高
典型性能曲线
100
90
80
效率（％）
60
50
40
30
20
10
0
0
0.1
0.2
0.3
I
OUT
(A)
0.4
0.5
0.6
V
O
=15V
效率（％）
70
V
O
=12V
V
O
=9V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
I
OUT
(A)
1
1.5
V
O
=15V
V
O
=9V
V
O
=12V
图1. V
BOOST
效率在V
IN
= 3V （ PI MODE ）
图2. V
BOOST
效率在V
IN
= 5V （ PI MODE ）
4
FN7345.1
2005年7月1日
QQ：2880707522 复制
