EL7566
数据表
2006年5月8日
FN7102.7
单片6A DC / DC降压型
调节器
该EL7566是一个全功能的同步降压型稳压器
能够高达6A和96 ％的效率。该器件的工作
从3V至6V的输入电压（V
IN
） 。内部CMOS电源
场效应晶体管，该设备能够以高达100％的占空比操作，
允许0.8V至近V的输出电压范围
IN
。一
可调开关频率高达1MHz允许使用
小元件，从而减小了电路板面积消耗
到下0.72sq -在PCB上的一个侧面。该EL7566
工作在固定频率PWM模式，可以实现外部
同步成为可能。软启动功能被集成在
该EL7566以限制浪涌电流，并允许平稳
斜坡电压从零到规定。其他初创功能
整合增加灵活性，许多同步
供应多种配置。该EL7566还提供了一个
从而改变输出电压的± 5 ％的电压裕量调节功能
对于制卡的性能和可靠性验证过程
生产测试。结温指示器
方便监控硅片温度，节省了时间
在热特性。
一个易于使用的仿真工具可用于
下载
和
可用于修改的设计参数如开关
频率，电压纹波，环境温度，以及
查看原理图的波形，效率图和
完成BOM与格柏布局。
特点
集成的MOSFET
6A的连续输出电流
高达96 ％的效率
多种电源启动跟踪
内置± 5 ％的电压裕量
3V至6V的输入电压
0.72
2
足迹与PCB板的一侧组件
可调开关频率1MHz的
振荡器同步可能
100％占空比
结温指示器
过温保护
内部软启动
可变输出电压低至0.8V
电源良好指示器
28 Ld的HTSSOP封装
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
点调节电源
FPGA内核和I / O电源
DSP ， CPU内核， IO用品
逻辑/总线用品
- 便携式设备
相关文档
技术简介415 - 使用EL7566演示板
易于使用的应用程序软件仿真工具，可
at
www.intersil.com/dc-dc
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年， 2006年版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7566
订购信息
产品型号
EL7566DRE
EL7566DRE-T7
EL7566DRE-T13
EL7566DREZ （注）
EL7566DREZ -T7 （注）
EL7566DREZ - T13 （注）
EL7566AIREZ （注）
EL7566AIREZ -T7 （注）
EL7566AIREZ - T13 （注）
最热
7566DRE
7566DRE
7566DRE
7566DREZ
7566DREZ
7566DREZ
7566AIREZ
7566AIREZ
7566AIREZ
7”
13”
TAPE & REEL温度范围（ ℃）
-
7”
13”
-
7”
13”
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
28 Ld的HTSSOP
28 Ld的HTSSOP
28 Ld的HTSSOP
28 Ld的HTSSOP （无铅）
28 Ld的HTSSOP （无铅）
28 Ld的HTSSOP （无铅）
28 Ld的HTSSOP （无铅）
28 Ld的HTSSOP （无铅）
28 Ld的HTSSOP （无铅）
PKG 。 DWG 。 ＃
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
典型应用图
C
C
R
2
10K
R
1
21.5K
8200pF
0.047F
3 FB
4 VO
5 VTJ
6 TM
7 SEL
8 LX
2.7H
V
OUT
（ 2.5V ， 6A ）
150F
9 LX
10 LX
11 LX
12 LX
13 LX
14 NC
STN 26
STP 25
0.22F
EN 24
PG 23
VDD 22
VIN 21
VIN 20
VIN 19
保护地18
保护地17
保护地16
NC 15
V
IN
（ 3V至
6V)
100F
R
C
1 COMP
10K
2 VREF
COSC 27
SGND 28
270pF
2
FN7102.7
2006年5月8日
EL7566
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V
IN
, V
DD
到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.5V
VX至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
IN
+0.3V
SGND至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
COMP ，V
REF
， FB ，V
O
, V
TJ
， TM ，
SEL ， PG ， EN ， STP ， STN ，C
OSC
到SGND 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+0.3V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
工作环境温度DRE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 85°C
工作环境Temperatute AIRE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示：为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试都
在特定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
V
IN
V
REF
V
REFTC
V
REFload
V
坡道
I
OSC_CHG
I
OSC_DIS
I
VDD
I
VDD_OFF
V
DD_OFF
V
DD_ON
T
OT
T
HYS
I
泄漏
I
LMAX
R
DSON1
R
DSONTC2
R
DSONTC
I
STP
I
STN
V
PGP
V
PGN
V
PG_hi
V
PG_LO
V
OVP
V
FB
V
FB_LINE
GM
EA
V
FB_TC
F
S
I
FB
V
DD
= V
IN
= 3.3V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 390pF ，除非另有说明
条件
民
3
1.24
1.26
50
0℃，我
REF
＆ LT ; 50μA
-1
1.15
0.1V < V
OSC
< 1.25V
0.1V < V
OSC
< 1.25V
V
EN
= 1 （L断开）
EN = 0
2.4
2.6
135
20
EN = 0时，L
X
= 6V （低的FET ）中，L
X
= 0V （高FET）
7.8
29
25
0.2
V
STP
= V
IN
/2
V
STN
= V
IN
/2
相对于目标输出电压
相对于目标输出电压
I
PG
= 1毫安
I
PG
= -1mA
10
I
负载
= 0A
V
IN
= 3.3V,
ΔV
IN
= 10%, I
负载
= 0A
V
CC
= 0.65V
0° ℃下牛逼
A
< 85 ° C，I
负载
= 3A
300
V
FB
= 0V
85
0.79
0.8
0.2
125
±1
370
100
440
200
0.81
0.5
165
6
-14
2.6
0.5
-4
2.5
2.5
4
14
-6
50
10
2
200
8
2.7
1
5
1.5
2.65
2.95
典型值
最大
6
1.28
单位
V
V
PPM /°C的
%
V
A
mA
mA
mA
V
V
°C
°C
A
A
mΩ
mΩ
MΩ/ C
A
A
%
%
V
V
%
V
%
s
%
千赫
nA
描述
输入电压范围
参考精度
参考温度系数
参考负载调节
振荡器斜坡幅度
振荡器充电电流
振荡器放电电流
V
DD
电源电流
V
DD
待机电流
V
DD
对于关闭
V
DD
对于启动
过温阈值
过温迟滞
内部FET漏电流
峰值电流限制
PMOS导通电阻
NMOS导通电阻
R
DSON
温度系数
STP引脚输入下拉电流
STN引脚输入上拉电流
正电源正常阈值
负电源正常阈值
电源良好驱动高
电源良好驱动低
输出过压保护
输出初始精度
输出线路调整
误差放大器跨导器
输出温度稳定性
开关频率
反馈输入上拉电流
3
FN7102.7
2006年5月8日
EL7566
DC电气规格
参数
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
TM ，S
EL_HI
TM ，S
EL_LO
V
DD
= V
IN
= 3.3V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 390pF ，除非另有说明
（续）
条件
民
2.6
1
V
EN
= 0
-4
2.6
1
-2.5
典型值
最大
单位
V
V
A
V
V
描述
EN输入高门槛
EN输入低阈值
使能上拉电流
输入高电平
输入低电平
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8, 9, 10, 11, 12, 13
14, 15
16, 17, 18
19, 20, 21
22
23
24
25
26
27
28
引脚名称
COMP
VREF
FB
VO
VTJ
TM
SEL
LX
NC
保护地
VIN
VDD
PG
EN
STP
STN
COSC
SGND
引脚功能
误差放大器的输出;地方环路补偿元件在这里
带隙基准旁路电容;通常0.022μF至0.047μF至SGND
电压反馈输入;连接到V之间的外部电阻分压器
OUT
和SGND可调
输出;也可用于加速电容器连接
输出有意义的固定输出选项。该引脚可打开EL7566
结温监视器输出
压力测试能;允许的±5 ％的输出运动;连接至SGND ，如果不使用函数
正或负压力选择;见文
电感器驱动销;高电流输出的平均电压等于稳压器的输出电压
未使用
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
稳压器的电源输入;连接到高侧的PMOS功率FET的漏
控制电路正电源;连接到V
IN
通过内部20Ω电阻
电源就绪窗口比较器的输出;逻辑1时，调节器输出电压为目标输出的± 10％的
电压
芯片使能，高电平有效;一个2.5μA内部上拉电流使该器件在管脚悬空;一
电容器可在该管脚被添加到延迟转换器的开始
的辅助电源跟踪正输入端;绑调节器输出与一个第二同步启动
供应;悬空的独立操作; 2μA内部上拉电流
辅助电源跟踪的负输入端;连接到同步启动第二电源的输出;
悬空的独立操作; 2μA内部上拉电流
振荡器的定时电容（见性能曲线）
控制电路负电源或信号地
4
FN7102.7
2006年5月8日
EL7566
数据表
2004年12月1日
FN7102.5
单片6安培的DC-DC降压型
调节器
该EL7566是一个全功能的同步降压型稳压器
能够高达6A和96 ％的效率。该器件的工作
从3V至6V的输入电压（V
IN
） 。内部CMOS电源
场效应晶体管，该设备能够以高达100％的占空比操作，
允许0.8V至近V的输出电压范围
IN
。一
可调开关频率高达1MHz允许使用
小元件，从而减小了电路板面积消耗
到下0.72sq -在PCB上的一个侧面。该EL7566
工作在固定频率PWM模式，可以实现外部
同步成为可能。软启动功能被集成在
该EL7566以限制浪涌电流，并允许平稳
斜坡电压从零到规定。其他初创功能
整合增加灵活性，许多同步
供应多种配置。该EL7566还提供了一个
从而改变输出电压的± 5 ％的电压裕量调节功能
对于制卡的性能和可靠性验证过程
生产测试。结温指示器
方便监控硅片温度，节省了时间
在热特性。
一个易于使用的仿真工具可用于
下载
和
可用于修改的设计参数如开关
频率，电压纹波，环境温度，以及
查看原理图的波形，效率图和
完成BOM与格柏布局。
特点
集成的MOSFET
6A的连续输出电流
高达96 ％的效率
多种电源启动跟踪
内置± 5 ％的电压裕量
3V至6V的输入电压
0.72
2
足迹与PCB板的一侧组件
可调开关频率1MHz的
振荡器同步可能
100％占空比
结温指示器
过温保护
内部软启动
可变输出电压低至0.8V
电源良好指示器
28引脚HTSSOP封装
无铅可（符合RoHS ）
应用
点调节电源
FPGA内核和I / O电源
DSP ， CPU内核， IO用品
逻辑/总线用品
- 便携式设备
订购信息
部分
数
EL7566DRE
EL7566DRE-T7
EL7566DRE-T13
EL7566DREZ （注）
包
28-HTSSOP
28-HTSSOP
28-HTSSOP
28 HTSSOP （无铅）
磁带&
REEL
-
7”
13”
-
7”
13”
PKG 。
DWG 。 ＃
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
7”
13”
MDP0048
MDP0048
相关文档
技术简介415 - 使用EL7566演示板
易于使用的应用程序软件仿真工具，可
at
www.intersil.com/dc-dc
EL7566DREZ -T7 （注） 28 HTSSOP （无铅）
EL7566DREZ - T13 （注） 28 HTSSOP （无铅）
EL7566AIREZ （注）
28 HTSSOP （无铅）
-40 ° C至85°C
EL7566AIREZ -T7 （注） 28 HTSSP （无铅）
-40 ° C至85°C
EL7566AIREZ-T13
（注）
28 HTSSOP （无铅）
-40 ° C至85°C
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既兼容
锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL分类，可达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004.保留所有权利。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7566
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V
IN
, V
DD
到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.5V
VX至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
IN
+0.3V
SGND至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
COMP ，V
REF
， FB ，V
O
, V
TJ
， TM ，
SEL ， PG ， EN ， STP ， STN ，C
OSC
到SGND 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+0.3V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 135℃
工作环境温度DRE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 85°C
工作环境Temperatute AIRE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示：为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试都
在特定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
V
IN
V
REF
V
REFTC
V
REFload
V
坡道
I
OSC_CHG
I
OSC_DIS
I
VDD
I
VDD_OFF
V
DD_OFF
V
DD_ON
T
OT
T
HYS
I
泄漏
I
LMAX
R
DSON1
R
DSONTC2
R
DSONTC
I
STP
I
STN
V
PGP
V
PGN
V
PG_hi
V
PG_LO
V
OVP
V
FB
V
FB_LINE
GM
EA
V
FB_TC
F
S
I
FB
输入电压范围
参考精度
V
DD
= V
IN
= 3.3V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 390pF ，除非另有说明
条件
民
3
1.24
1.26
50
0℃，我
REF
＆ LT ; 50μA
-1
1.15
0.1V < V
OSC
< 1.25V
0.1V < V
OSC
< 1.25V
V
EN
= 1 （L断开）
EN = 0
2.4
2.6
135
20
EN = 0时，L
X
= 6V （低的FET ）中，L
X
= 0V （高FET）
7.8
29
25
0.2
V
STP
= V
IN
/2
V
STN
= V
IN
/2
相对于目标输出电压
相对于目标输出电压
I
PG
= 1毫安
I
PG
= -1mA
10
I
负载
= 0A
V
IN
= 3.3V,
V
IN
= 10%, I
负载
= 0A
V
CC
= 0.65V
0° ℃下牛逼
A
< 85 ° C，I
负载
= 3A
300
V
FB
= 0V
85
0.79
0.8
0.2
125
±1
370
100
440
200
0.81
0.5
165
6
-14
2.6
0.5
-4
2.5
2.5
4
14
-6
50
10
2
200
8
2.7
1
5
1.5
2.65
2.95
典型值
最大
6
1.28
单位
V
V
PPM /°C的
%
V
A
mA
mA
mA
V
V
°C
°C
A
A
m
m
MΩ/ C
A
A
%
%
V
V
%
V
%
s
%
千赫
nA
描述
参考温度系数
参考负载调节
振荡器斜坡幅度
振荡器充电电流
振荡器放电电流
V
DD
电源电流
V
DD
待机电流
V
DD
对于关闭
V
DD
对于启动
过温阈值
过温迟滞
内部FET漏电流
峰值电流限制
PMOS导通电阻
NMOS导通电阻
R
DSON
温度系数
STP引脚输入下拉电流
STN引脚输入上拉电流
正电源正常阈值
负电源正常阈值
电源良好驱动高
电源良好驱动低
输出过压保护
输出初始精度
输出线路调整
误差放大器跨导器
输出温度稳定性
开关频率
反馈输入上拉电流
3
FN7102.5
2004年12月1日
EL7566
DC电气规格
参数
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
TM ，S
EL_HI
TM ，S
EL_LO
V
DD
= V
IN
= 3.3V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 390pF ，除非另有说明
（续）
条件
民
2.6
1
V
EN
= 0
-4
2.6
1
-2.5
典型值
最大
单位
V
V
A
V
V
描述
EN输入高门槛
EN输入低阈值
使能上拉电流
输入高电平
输入低电平
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8, 9, 10, 11, 12, 13
14, 15
16, 17, 18
19, 20, 21
22
23
24
25
26
27
28
引脚名称
COMP
VREF
FB
VO
VTJ
TM
SEL
LX
NC
保护地
VIN
VDD
PG
EN
STP
STN
COSC
SGND
引脚功能
误差放大器的输出;地方环路补偿元件在这里
带隙基准旁路电容;通常0.022μF至0.047μF至SGND
电压反馈输入;连接到V之间的外部电阻分压器
OUT
和SGND可调
输出;也可用于加速电容器连接
输出有意义的固定输出选项。该引脚可打开EL7566
结温监视器输出
压力测试能;允许的±5 ％的输出运动;连接至SGND ，如果不使用函数
正或负压力选择;见文
电感器驱动销;高电流输出的平均电压等于稳压器的输出电压
未使用
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
稳压器的电源输入;连接到高侧的PMOS功率FET的漏
控制电路正电源;连接到V
IN
通过内部20Ω电阻
电源就绪窗口比较器的输出;逻辑1时，调节器输出电压为目标输出的± 10％的
电压
芯片使能，高电平有效;一个2.5μA内部上拉电流使该器件在管脚悬空;一
电容器可在该管脚被添加到延迟转换器的开始
的辅助电源跟踪正输入端;绑调节器输出与一个第二同步启动
供应;悬空的独立操作; 2μA内部上拉电流
辅助电源跟踪的负输入端;连接到同步启动第二电源的输出;
悬空的独立操作; 2μA内部上拉电流
振荡器的定时电容（见性能曲线）
控制电路负电源或信号地
4
FN7102.5
2004年12月1日
EL7566
数据表
2004年12月1日
FN7102.5
单片6安培的DC-DC降压型
调节器
该EL7566是一个全功能的同步降压型稳压器
能够高达6A和96 ％的效率。该器件的工作
从3V至6V的输入电压（V
IN
） 。内部CMOS电源
场效应晶体管，该设备能够以高达100％的占空比操作，
允许0.8V至近V的输出电压范围
IN
。一
可调开关频率高达1MHz允许使用
小元件，从而减小了电路板面积消耗
到下0.72sq -在PCB上的一个侧面。该EL7566
工作在固定频率PWM模式，可以实现外部
同步成为可能。软启动功能被集成在
该EL7566以限制浪涌电流，并允许平稳
斜坡电压从零到规定。其他初创功能
整合增加灵活性，许多同步
供应多种配置。该EL7566还提供了一个
从而改变输出电压的± 5 ％的电压裕量调节功能
对于制卡的性能和可靠性验证过程
生产测试。结温指示器
方便监控硅片温度，节省了时间
在热特性。
一个易于使用的仿真工具可用于
下载
和
可用于修改的设计参数如开关
频率，电压纹波，环境温度，以及
查看原理图的波形，效率图和
完成BOM与格柏布局。
特点
集成的MOSFET
6A的连续输出电流
高达96 ％的效率
多种电源启动跟踪
内置± 5 ％的电压裕量
3V至6V的输入电压
0.72
2
足迹与PCB板的一侧组件
可调开关频率1MHz的
振荡器同步可能
100％占空比
结温指示器
过温保护
内部软启动
可变输出电压低至0.8V
电源良好指示器
28引脚HTSSOP封装
无铅可（符合RoHS ）
应用
点调节电源
FPGA内核和I / O电源
DSP ， CPU内核， IO用品
逻辑/总线用品
- 便携式设备
订购信息
部分
数
EL7566DRE
EL7566DRE-T7
EL7566DRE-T13
EL7566DREZ （注）
包
28-HTSSOP
28-HTSSOP
28-HTSSOP
28 HTSSOP （无铅）
磁带&
REEL
-
7”
13”
-
7”
13”
PKG 。
DWG 。 ＃
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
7”
13”
MDP0048
MDP0048
相关文档
技术简介415 - 使用EL7566演示板
易于使用的应用程序软件仿真工具，可
at
www.intersil.com/dc-dc
EL7566DREZ -T7 （注） 28 HTSSOP （无铅）
EL7566DREZ - T13 （注） 28 HTSSOP （无铅）
EL7566AIREZ （注）
28 HTSSOP （无铅）
-40 ° C至85°C
EL7566AIREZ -T7 （注） 28 HTSSP （无铅）
-40 ° C至85°C
EL7566AIREZ-T13
（注）
28 HTSSOP （无铅）
-40 ° C至85°C
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既兼容
锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL分类，可达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004.保留所有权利。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7566
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V
IN
, V
DD
到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.5V
VX至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
IN
+0.3V
SGND至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
COMP ，V
REF
， FB ，V
O
, V
TJ
， TM ，
SEL ， PG ， EN ， STP ， STN ，C
OSC
到SGND 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+0.3V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 135℃
工作环境温度DRE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 85°C
工作环境Temperatute AIRE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示：为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试都
在特定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
V
IN
V
REF
V
REFTC
V
REFload
V
坡道
I
OSC_CHG
I
OSC_DIS
I
VDD
I
VDD_OFF
V
DD_OFF
V
DD_ON
T
OT
T
HYS
I
泄漏
I
LMAX
R
DSON1
R
DSONTC2
R
DSONTC
I
STP
I
STN
V
PGP
V
PGN
V
PG_hi
V
PG_LO
V
OVP
V
FB
V
FB_LINE
GM
EA
V
FB_TC
F
S
I
FB
输入电压范围
参考精度
V
DD
= V
IN
= 3.3V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 390pF ，除非另有说明
条件
民
3
1.24
1.26
50
0℃，我
REF
＆ LT ; 50μA
-1
1.15
0.1V < V
OSC
< 1.25V
0.1V < V
OSC
< 1.25V
V
EN
= 1 （L断开）
EN = 0
2.4
2.6
135
20
EN = 0时，L
X
= 6V （低的FET ）中，L
X
= 0V （高FET）
7.8
29
25
0.2
V
STP
= V
IN
/2
V
STN
= V
IN
/2
相对于目标输出电压
相对于目标输出电压
I
PG
= 1毫安
I
PG
= -1mA
10
I
负载
= 0A
V
IN
= 3.3V,
V
IN
= 10%, I
负载
= 0A
V
CC
= 0.65V
0° ℃下牛逼
A
< 85 ° C，I
负载
= 3A
300
V
FB
= 0V
85
0.79
0.8
0.2
125
±1
370
100
440
200
0.81
0.5
165
6
-14
2.6
0.5
-4
2.5
2.5
4
14
-6
50
10
2
200
8
2.7
1
5
1.5
2.65
2.95
典型值
最大
6
1.28
单位
V
V
PPM /°C的
%
V
A
mA
mA
mA
V
V
°C
°C
A
A
m
m
MΩ/ C
A
A
%
%
V
V
%
V
%
s
%
千赫
nA
描述
参考温度系数
参考负载调节
振荡器斜坡幅度
振荡器充电电流
振荡器放电电流
V
DD
电源电流
V
DD
待机电流
V
DD
对于关闭
V
DD
对于启动
过温阈值
过温迟滞
内部FET漏电流
峰值电流限制
PMOS导通电阻
NMOS导通电阻
R
DSON
温度系数
STP引脚输入下拉电流
STN引脚输入上拉电流
正电源正常阈值
负电源正常阈值
电源良好驱动高
电源良好驱动低
输出过压保护
输出初始精度
输出线路调整
误差放大器跨导器
输出温度稳定性
开关频率
反馈输入上拉电流
3
FN7102.5
2004年12月1日
EL7566
DC电气规格
参数
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
TM ，S
EL_HI
TM ，S
EL_LO
V
DD
= V
IN
= 3.3V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 390pF ，除非另有说明
（续）
条件
民
2.6
1
V
EN
= 0
-4
2.6
1
-2.5
典型值
最大
单位
V
V
A
V
V
描述
EN输入高门槛
EN输入低阈值
使能上拉电流
输入高电平
输入低电平
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8, 9, 10, 11, 12, 13
14, 15
16, 17, 18
19, 20, 21
22
23
24
25
26
27
28
引脚名称
COMP
VREF
FB
VO
VTJ
TM
SEL
LX
NC
保护地
VIN
VDD
PG
EN
STP
STN
COSC
SGND
引脚功能
误差放大器的输出;地方环路补偿元件在这里
带隙基准旁路电容;通常0.022μF至0.047μF至SGND
电压反馈输入;连接到V之间的外部电阻分压器
OUT
和SGND可调
输出;也可用于加速电容器连接
输出有意义的固定输出选项。该引脚可打开EL7566
结温监视器输出
压力测试能;允许的±5 ％的输出运动;连接至SGND ，如果不使用函数
正或负压力选择;见文
电感器驱动销;高电流输出的平均电压等于稳压器的输出电压
未使用
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
稳压器的电源输入;连接到高侧的PMOS功率FET的漏
控制电路正电源;连接到V
IN
通过内部20Ω电阻
电源就绪窗口比较器的输出;逻辑1时，调节器输出电压为目标输出的± 10％的
电压
芯片使能，高电平有效;一个2.5μA内部上拉电流使该器件在管脚悬空;一
电容器可在该管脚被添加到延迟转换器的开始
的辅助电源跟踪正输入端;绑调节器输出与一个第二同步启动
供应;悬空的独立操作; 2μA内部上拉电流
辅助电源跟踪的负输入端;连接到同步启动第二电源的输出;
悬空的独立操作; 2μA内部上拉电流
振荡器的定时电容（见性能曲线）
控制电路负电源或信号地
4
FN7102.5
2004年12月1日
QQ：2881677436 复制
