EL7564C
EL7564C
单片4安培直流： DC降压稳压器
特点
集成的同步MOSFET
和电流模式控制器
4A的连续输出电流
高达95 ％的效率
4.5V至5.5V的输入电压
可调输出从1V到3.8V
逐周期电流限制
精密基准
± 0.5 ％，负载和线路调整
可调开关频率
1MHz
振荡器同步
可能
内部软启动
过电压保护
结温指示器
- 过温保护
欠压锁定
多种电源启动跟踪
电源良好指示器
20引脚SO （ 0.300 “ ）封装
28引脚HTSSOP封装
概述
该EL7564C是一个综合的，全功能的同步降压型
稳压器的输出电压从1.0V至3.8V可调。这是capa-
均衡器提供4A的连续电流以高达95 ％的效率。该
EL7564C工作在一个恒定频率的脉冲宽度调制
（ PWM ）模式下，可以实现外部同步。专利的导通
芯片的无电阻的电流检测实现电流模式控制，这
提供逐周期电流限制，过电流保护，
优秀的阶跃负载响应。该EL7564C特点功率跟踪，
这使得多个转换器的启动顺序可能。
结温指示器方便地监视硅片
温度，节省设计人员时间上的繁琐热字符
12642：1996 。在极少的外部组件和完整的功能
使这个EL7564C非常适合台式机和便携式应用。
该EL7564C工作在-40 ° C至+ 85°C温规定工作
温度范围内。
典型应用图
C5
0.1F
1 VREF
C4
390pF
R4
22
2 SGND
3 COSC
C3
4 VDD
0.22F
5 VTJ
C2
2.2nF
V
IN
5V
C1
330F
6 PGND
7 PGND
8输入电压
9 STP
10 STN
EN 20
FB 19
PG 18
VDRV 17
VHI 16
LX 15
LX 14
保护地13
保护地12
保护地11
C6
0.22F
L1
4.7H
C7
330F
R2
2.37k
C10
2.2nF
D1
V
OUT
3.3V,
4A
应用
DSP ， CPU核心和IO用品
逻辑/总线用品
便携式设备
DC ： DC转换器模块
GTL +总线供电
订购信息
部件号
EL7564CM
EL7564CM-T13
EL7564CRE
EL7564CRE-T7
EL7464CRE-T13
包
20引脚SO
20引脚SO
28引脚HTSSOP
28引脚HTSSOP
28引脚HTSSOP
磁带&
REEL
-
13”
-
7”
13”
大纲＃
MDP0027
MDP0027
MDP0048
MDP0048
MDP0048
R1
1k
2001年10月3日
EL7564CM
（ 20引脚SO ）
典型应用图继续第3页
制在美国专利号5,7323,974
注意：
包含在此数据表中的所有信息已仔细核对并认为是准确的出版日期;不过，该数据表不能是“受控文件” 。当前版本，如果有的话，这些
规格维持在工厂，可根据您的要求。我们建议您检查您的设计文件定稿之前的版本。
2001 ELANTEC半导体公司
EL7564C
EL7564C
单片4安培直流： DC降压稳压器
绝对最大额定值
(T
电源电压V之间
IN
或V
DD
和GND
V
LX
电压
输入电压
V
HI
电压
A
= 25°C)
+6V
V
IN
+0.3V
GND -0.3V ，V
DD
+0.3V
GND -0.3V ，V
LX
+6V
储存温度
工作环境温度
工作结温
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
+135°C
重要注意事项：
具有最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试都在
规定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
.
DC特性
V
DD
= V
IN
= 5V ，T
A
= T
J
= 25
°
C, C
OSC
= 1.2nF ，除非另有规定。
参数
V
REF
V
REFTC
V
REFload
V
坡道
I
OSC_CHG
I
OSC_DIS
I
VDD
+V
DRV
I
VDD_OFF
V
DD_OFF
V
DD_ON
T
OT
T
HYS
I
泄漏
I
LMAX
R
DSON
R
DSONTC
I
STP
I
STN
V
PGP
V
PGN
V
PG_hi
V
PG_LO
V
OVP
V
FB
V
FB_LINE
V
FB_LOAD
V
FB_TC
I
FB
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
描述
参考精度
参考温度系数
参考负载调节
振荡器斜坡幅度
振荡器充电电流
振荡器放电电流
V
DD
+V
DRV
电源电流
V
DD
待机电流
V
DD
对于关闭
V
DD
对于启动
在温度阈值
在温度迟滞
内部FET漏电流
峰值电流限制
FET导通电阻
R
DSON
温度系数
的辅助电源跟踪器正输入
下拉电流
的辅助电源跟踪器反相输入端
上拉电流
正电源正常阈值
负电源正常阈值
电源良好驱动高
电源良好驱动低
过电压保护
输出初始精度
输出线路调整
输出负载调整
输出温度稳定性
反馈输入上拉电流
EN输入高电平
EN输入低电平
启用上拉电流
V
EN
= 0
1
-4
-2.5
I
负载
= 0A
V
IN
= 5V,
V
IN
= 10%, I
负载
= 0A
0.5A<我
负载
<4A
-40°C <牛逼
A
<85 ° C，I
负载
= 2A
V
FB
= 0V
0.960
V
STP
= V
IN
/2
V
STN
= V
IN
/2
相对于目标输出电压
相对于目标输出电压
I
PG
= 1毫安
I
PG
= -1mA
10
0.975
0.5
0.5
±1
100
3.2
200
4
0.99
6
-14
4
0.5
-4
仅晶圆级测试
EN = 0时，L
X
= 5V （低的FET ）中，L
X
= 0V （高FET）
5
30
0.2
2.5
2.5
4
14
-6
60
0.1V<V
OSC
<1.25V
0.1V<V
OSC
<1.25V
V
EN
= 4V ，女
OSC
= 120kHz的
EN = 0
3.5
4
135
20
10
2
0<I
REF
<50A
-1
1.15
200
8
3.5
1
5
1.5
3.9
4.35
条件
民
1.24
典型值
1.26
50
最大
1.28
单位
V
PPM /°C的
%
V
A
mA
mA
mA
V
V
°C
°C
A
A
m
MΩ/ C
A
A
%
%
V
V
%
V
%
%
%
nA
V
V
A
2
EL7564C
EL7564C
单片4安培直流： DC降压稳压器
闭环AC电气特性
V
S
= V
IN
= 5V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 1.2nF ，除非另有规定。
参数
F
OSC
t
SYNC
M
SS
t
BRM
t
LEB
D
最大
描述
振荡器初始精度
最小的振荡器同步宽度
软启动斜率
化妆前的延迟断裂FET
高侧FET最小导通时间
最大占空比
条件
民
105
典型值
117
25
0.5
15
150
95
最大
130
单位
千赫
ns
V / ms的
ns
ns
%
典型应用图（续）
C5
0.1F
1 VREF
C4
390pF
R4
22
C3
0.22F
2 SGND
3 COSC
4 VDD
5 VTJ
C2
2.2nF
V
IN
5V
6 PGND
7 PGND
8 PGND
9 PGND
10 VIN
11 VIN
12 NC
13 STP
14 STN
EN 28
FB 27
PG 26
VDRV 25
VHI 24
LX 23
LX 22
LX 21
LX 20
LX 19
LX 18
NC 17
保护地16
保护地15
C6
0.22F
L1
4.7H
C7
330F
R2
2.37k
C10
2.2nF
D1
V
OUT
3.3V,
4A
330F
R1
1k
EL7564CRE
（28引脚HTSSOP ）
对于包的信息，请参阅ELANTEC网站http://www.elantec.com/pages/package_outline.html
3
EL7564C
EL7564C
单片4安培直流： DC降压稳压器
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
引脚名称
VREF
SGND
COSC
VDD
VTJ
保护地
保护地
VIN
STP
STN
保护地
保护地
保护地
LX
LX
VHI
VDRV
PG
FB
EN
控制电路负电源或信号地
振荡器的定时电容（见性能曲线）
控制电路正电源;通过一个RC滤波器通常连接到VIN
结点温度监测;与2.2nF连接为3.3nF到SGND
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
稳压器的电源输入;连接到高侧NMOS功率FET的漏
的辅助电源跟踪正输入端;绑稳压输出同步与第二供给启动;平仓离场
对于独立运行; 2μA内部下拉电流
的辅助电源跟踪负输入端;连接到同步启动第二电源的输出;离开开放
独立操作; 2μA内部上拉电流
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
电感器驱动销;高电流输出的平均电压等于稳压器的输出电压
电感器驱动销;高电流输出的平均电压等于稳压器的输出电压
高边驱动器的正电源;开机自VDRV绑在LX与外部0.22μF电容
低端驱动器和输入电压的高压侧自举电源正极
电源良好窗口比较器的输出;逻辑1时，调节器输出电压为目标输出电压的± 10％的
电压反馈输入;连接到VOUT和SGND之间的外部电阻分压器;一个125nA的上拉电流势力
VOUT到SGND ，倘FB是浮动的
芯片使能，高电平有效;一个2μA内部上拉电流使该器件在管脚悬空;一个电容器可以被添加
在这个引脚延迟转换的开始
引脚功能
带隙基准旁路电容;通常0.1μF至SGND
4
QQ：2880707522 复制
