N
FO
NDE L7554
M M ê哦哦哦
EC
S
数据表
OT
W
NE
IG
ES
NS
EL7563
2005年5月13日
FN7296.2
单片4安培的DC / DC降压型
调节器
该EL7563是一个综合的，全功能的同步步进
与输出电压可调范围为1.0V至降压型稳压器
2.5V 。它能够提供4A连续电流高达的
到95 ％的效率。的EL7563工作在一个恒定的
频率的脉冲宽度调制（PWM）模式，使得
外部同步。专利的芯片
无电阻的电流检测实现电流模式控制，
它提供了逐周期电流限制，过电流
保护和卓越的阶跃负载响应。该EL7563
特点功率跟踪，这使得启动
多个转换器的测序成为可能。一个接线
温度指示器方便地监视硅片
温度，大大节省了设计时间上的繁琐
热特性。在极少的外部元件
和完整的功能使这个EL7563理想的台式机和
便携式应用。
该EL7563提供20引脚SO和28引脚HTSSOP
包。
特点
集成的同步MOSFET和电流模式
调节器
4A的连续输出电流
高达95 ％的效率
内部专利的电流检测
逐周期电流限制
3V至3.6V的输入电压
可调输出电压1V至2.5V
精密基准
± 0.5 ％，负载和线路调整
可调开关频率1MHz的
振荡器同步可能
内部软启动
过电压保护
结温指示器
过温保护
引脚
EL7563
（ 20引脚SO ）
顶视图
欠压锁定
多种电源启动跟踪
电源良好指示器
C5
1 VREF
0.1F
C4
3 COSC
R4
C3
22
0.22F
390pF
C2
2.2nF
6 PGND
V
IN
3.3V
C1
330F
7 PGND
8输入电压
9 STP
10 STN
LX 15
LX 14
保护地13
保护地12
保护地11
C7
330F
4 VDD
5 VTJ
VDRV 17
VHI 16
C6
0.22F
L1
4.7H
C10
2.2nF
D1
D3
C9
0.1F
V
OUT
R2
1.58k
R1
1k
2.5V
4A
PG 18
D2
D4
C8
0.22F
2 SGND
EN 20
FB 19
20引脚SO （ 0.300 “ ）封装
28引脚HTSSOP封装
无铅可（符合RoHS ）
应用
DSP ， CPU内核和I / O电源
逻辑/总线用品
- 便携式设备
的DC / DC转换器模块
GTL +总线电源
典型应用图继续第3页
制在美国专利号5,7323,974
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2003年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7563
订购信息
产品型号
EL7563CM
EL7563CMZ
（见注）
EL7563CMZ-T13
（见注）
EL7563CRE
EL7563CRE-T7
EL7563CRE-T13
EL7563CREZ
（见注）
EL7563CREZ-T7
（见注）
EL7563CREZ-T13
（见注）
包
20引脚SO （ 0.300 “ ）
20引脚SO （ 0.300 “ ）
（无铅）
20引脚SO （ 0.300 “ ）
（无铅）
28引脚HTSSOP
28引脚HTSSOP
28引脚HTSSOP
28引脚HTSSOP
（无铅）
28引脚HTSSOP
（无铅）
28引脚HTSSOP
（无铅）
磁带&
REEL
-
-
13”
-
7”
13”
-
7”
13”
PKG 。 DWG 。 ＃
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2
FN7296.2
2005年5月13日
EL7563
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
电源电压V之间
IN
或V
DD
和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V
V
LX
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
IN
+0.3V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V ，V
DD
+0.3V
V
HI
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V ，V
LX
+6V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 135℃
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示：为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试
是在特定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
V
REF
V
REFTC
V
REFload
V
坡道
I
OSC_CHG
I
OSC_DIS
I
VDD
+V
DRV
I
VDD_OFF
V
DD_OFF
V
DD_ON
T
OT
T
HYS
I
泄漏
I
LMAX
R
DSON
R
DSONTC
I
STP
I
STN
V
PGP
V
PGN
V
PG_hi
V
PG_LO
V
OVP
V
FB
V
FB_LINE
V
FB_LOAD
V
FB_TC
I
FB
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
V
DD
= V
IN
= 3.3V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 390pF ，除非另有规定。
条件
民
1.24
典型值
1.26
50
0℃，我
REF
＆ LT ; 50μA
-1
1.15
0.1V < V
OSC
< 1.25V
0.1V < V
OSC
< 1.25V
V
EN
= 2.7V ，女
OSC
= 120kHz的
EN = 0
2.4
2.6
135
20
EN = 0时，L
X
= 3.3V （低的FET ）中，L
X
= 0V
（高FET ）
5
仅晶圆级测试
30
0.2
V
STP
= V
IN
/2
V
STN
= V
IN
/2
相对于目标输出电压
相对于目标输出电压
I
PG
= 1毫安
I
PG
= -1mA
10
I
负载
= 0A
V
IN
= 3.3V,
V
IN
= 10%, I
负载
= 0A
0.5A <我
负载
＆ LT ; 4A
-40°C <牛逼
A
< 85 ° C，I
负载
= 2A
V
FB
= 0V
0.977
0.992
0.5
0.5
±1
100
200
2.7
1
V
EN
= 0
-4
-2.5
1.007
6
-16
2.7
0.5
-4
2.5
2.5
4
16
-6
60
10
2
200
8
5.5
1
6.5
1.5
2.65
2.95
最大
1.28
单位
V
PPM /°C的
%
V
A
mA
mA
mA
V
V
°C
°C
A
A
m
MΩ/ C
A
A
%
%
V
V
%
V
%
%
%
nA
V
V
A
描述
参考精度
参考温度系数
参考负载调节
振荡器斜坡幅度
振荡器充电电流
振荡器放电电流
V
DD
+V
DRV
电源电流
V
DD
待机电流
V
DD
对于关闭
V
DD
对于启动
在温度阈值
在温度迟滞
内部FET漏电流
峰值电流限制
FET导通电阻
R
DSON
温度系数
辅助电源跟踪器正输入
下拉电流
辅助电源跟踪器反相输入端
上拉电流
正电源正常阈值
负电源正常阈值
电源良好驱动高
电源良好驱动低
过电压保护
输出初始精度
输出线路调整
输出负载调整
输出温度稳定性
反馈输入上拉电流
EN输入高电平
EN输入低电平
启用上拉电流
3
FN7296.2
2005年5月13日
EL7563
引脚说明
20引脚SO
(0.300”)
1
2
3
4
5
6, 7
8
9
10
11, 12, 13
14, 15
16
17
18
19
20
28-PIN
HTSSOP
1
2
3
4
5
6, 7, 8, 9
10, 11
13
14
15, 16
18, 19, 20, 21,
22, 23
24
25
26
27
28
引脚名称
VREF
SGND
COSC
VDD
VTJ
保护地
VIN
STP
STN
保护地
LX
VHI
VDRV
PG
FB
EN
引脚功能
带隙基准旁路电容;通常0.1μF至SGND
控制电路负电源或信号地
振荡器的定时电容（见性能曲线）
控制电路正电源;通过一个RC滤波器通常连接到VIN
结点温度监测;与2.2nF连接为3.3nF到SGND
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS的源极
功率场效应管
稳压器的电源输入;连接到高侧NMOS功率FET的漏
辅助电源跟踪正输入端;绑在稳压器输出同步与启动
第二供应;悬空的独立操作; 2μA内部下拉电流
辅助电源跟踪的负输入端;连接到第二电源的输出进行同步
启动;悬空的独立操作; 2μA内部上拉电流
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS的源极
功率场效应管
电感器驱动销;高电流输出的平均电压等于稳压输出
电压
高边驱动器的正电源;开机自VDRV绑在LX与外部0.22μF
电容
低端驱动器和输入电压的高压侧自举电源正极
电源良好窗口比较器的输出;逻辑1时，调节器输出电压为目标的± 10％的
输出电压
电压反馈输入;连接到VOUT和SGND之间的外部电阻分压器;一
125nA的上拉电流迫使VOUT至SGND ，倘FB是浮动的
芯片使能，高电平有效;一个2μA内部上拉电流使该器件在管脚悬空;
电容可以在这个引脚上增加延迟器的开始
典型性能曲线（ 20引脚SO封装）
注： 28引脚HTSSOP封装提供更佳性能
V
IN
=3.3V
100
95
效率（％）
90
85
80
75
70
V
O
=1.2V
V
O
=1V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
O
=2.5V
V
O
=1.8V
效率（％）
100
95
90
85
80
75
70
65
60
0.1
0.6
1.1
1.6
2.1
I
O
(A)
2.6
3.1
3.6
4
V
O
=1.8V
V
O
=1.2V
V
O
=2.5V
V
IN
=3.3V
负载电流I
O
(A)
图1. EL7563CM效率与我
O
图2 EL7563CRE效率
5
FN7296.2
2005年5月13日
N
FO
NDE L7554
M M ê哦哦哦
EC
S
数据表
OT
W
NE
IG
ES
NS
EL7563
2005年5月13日
FN7296.2
单片4安培的DC / DC降压型
调节器
该EL7563是一个综合的，全功能的同步步进
与输出电压可调范围为1.0V至降压型稳压器
2.5V 。它能够提供4A连续电流高达的
到95 ％的效率。的EL7563工作在一个恒定的
频率的脉冲宽度调制（PWM）模式，使得
外部同步。专利的芯片
无电阻的电流检测实现电流模式控制，
它提供了逐周期电流限制，过电流
保护和卓越的阶跃负载响应。该EL7563
特点功率跟踪，这使得启动
多个转换器的测序成为可能。一个接线
温度指示器方便地监视硅片
温度，大大节省了设计时间上的繁琐
热特性。在极少的外部元件
和完整的功能使这个EL7563理想的台式机和
便携式应用。
该EL7563提供20引脚SO和28引脚HTSSOP
包。
特点
集成的同步MOSFET和电流模式
调节器
4A的连续输出电流
高达95 ％的效率
内部专利的电流检测
逐周期电流限制
3V至3.6V的输入电压
可调输出电压1V至2.5V
精密基准
± 0.5 ％，负载和线路调整
可调开关频率1MHz的
振荡器同步可能
内部软启动
过电压保护
结温指示器
过温保护
引脚
EL7563
（ 20引脚SO ）
顶视图
欠压锁定
多种电源启动跟踪
电源良好指示器
C5
1 VREF
0.1F
C4
3 COSC
R4
C3
22
0.22F
390pF
C2
2.2nF
6 PGND
V
IN
3.3V
C1
330F
7 PGND
8输入电压
9 STP
10 STN
LX 15
LX 14
保护地13
保护地12
保护地11
C7
330F
4 VDD
5 VTJ
VDRV 17
VHI 16
C6
0.22F
L1
4.7H
C10
2.2nF
D1
D3
C9
0.1F
V
OUT
R2
1.58k
R1
1k
2.5V
4A
PG 18
D2
D4
C8
0.22F
2 SGND
EN 20
FB 19
20引脚SO （ 0.300 “ ）封装
28引脚HTSSOP封装
无铅可（符合RoHS ）
应用
DSP ， CPU内核和I / O电源
逻辑/总线用品
- 便携式设备
的DC / DC转换器模块
GTL +总线电源
典型应用图继续第3页
制在美国专利号5,7323,974
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2003年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7563
订购信息
产品型号
EL7563CM
EL7563CMZ
（见注）
EL7563CMZ-T13
（见注）
EL7563CRE
EL7563CRE-T7
EL7563CRE-T13
EL7563CREZ
（见注）
EL7563CREZ-T7
（见注）
EL7563CREZ-T13
（见注）
包
20引脚SO （ 0.300 “ ）
20引脚SO （ 0.300 “ ）
（无铅）
20引脚SO （ 0.300 “ ）
（无铅）
28引脚HTSSOP
28引脚HTSSOP
28引脚HTSSOP
28引脚HTSSOP
（无铅）
28引脚HTSSOP
（无铅）
28引脚HTSSOP
（无铅）
磁带&
REEL
-
-
13”
-
7”
13”
-
7”
13”
PKG 。 DWG 。 ＃
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
MDP0048
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2
FN7296.2
2005年5月13日
EL7563
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
电源电压V之间
IN
或V
DD
和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V
V
LX
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
IN
+0.3V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V ，V
DD
+0.3V
V
HI
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V ，V
LX
+6V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 135℃
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示：为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试
是在特定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
V
REF
V
REFTC
V
REFload
V
坡道
I
OSC_CHG
I
OSC_DIS
I
VDD
+V
DRV
I
VDD_OFF
V
DD_OFF
V
DD_ON
T
OT
T
HYS
I
泄漏
I
LMAX
R
DSON
R
DSONTC
I
STP
I
STN
V
PGP
V
PGN
V
PG_hi
V
PG_LO
V
OVP
V
FB
V
FB_LINE
V
FB_LOAD
V
FB_TC
I
FB
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
V
DD
= V
IN
= 3.3V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 390pF ，除非另有规定。
条件
民
1.24
典型值
1.26
50
0℃，我
REF
＆ LT ; 50μA
-1
1.15
0.1V < V
OSC
< 1.25V
0.1V < V
OSC
< 1.25V
V
EN
= 2.7V ，女
OSC
= 120kHz的
EN = 0
2.4
2.6
135
20
EN = 0时，L
X
= 3.3V （低的FET ）中，L
X
= 0V
（高FET ）
5
仅晶圆级测试
30
0.2
V
STP
= V
IN
/2
V
STN
= V
IN
/2
相对于目标输出电压
相对于目标输出电压
I
PG
= 1毫安
I
PG
= -1mA
10
I
负载
= 0A
V
IN
= 3.3V,
V
IN
= 10%, I
负载
= 0A
0.5A <我
负载
＆ LT ; 4A
-40°C <牛逼
A
< 85 ° C，I
负载
= 2A
V
FB
= 0V
0.977
0.992
0.5
0.5
±1
100
200
2.7
1
V
EN
= 0
-4
-2.5
1.007
6
-16
2.7
0.5
-4
2.5
2.5
4
16
-6
60
10
2
200
8
5.5
1
6.5
1.5
2.65
2.95
最大
1.28
单位
V
PPM /°C的
%
V
A
mA
mA
mA
V
V
°C
°C
A
A
m
MΩ/ C
A
A
%
%
V
V
%
V
%
%
%
nA
V
V
A
描述
参考精度
参考温度系数
参考负载调节
振荡器斜坡幅度
振荡器充电电流
振荡器放电电流
V
DD
+V
DRV
电源电流
V
DD
待机电流
V
DD
对于关闭
V
DD
对于启动
在温度阈值
在温度迟滞
内部FET漏电流
峰值电流限制
FET导通电阻
R
DSON
温度系数
辅助电源跟踪器正输入
下拉电流
辅助电源跟踪器反相输入端
上拉电流
正电源正常阈值
负电源正常阈值
电源良好驱动高
电源良好驱动低
过电压保护
输出初始精度
输出线路调整
输出负载调整
输出温度稳定性
反馈输入上拉电流
EN输入高电平
EN输入低电平
启用上拉电流
3
FN7296.2
2005年5月13日
EL7563
引脚说明
20引脚SO
(0.300”)
1
2
3
4
5
6, 7
8
9
10
11, 12, 13
14, 15
16
17
18
19
20
28-PIN
HTSSOP
1
2
3
4
5
6, 7, 8, 9
10, 11
13
14
15, 16
18, 19, 20, 21,
22, 23
24
25
26
27
28
引脚名称
VREF
SGND
COSC
VDD
VTJ
保护地
VIN
STP
STN
保护地
LX
VHI
VDRV
PG
FB
EN
引脚功能
带隙基准旁路电容;通常0.1μF至SGND
控制电路负电源或信号地
振荡器的定时电容（见性能曲线）
控制电路正电源;通过一个RC滤波器通常连接到VIN
结点温度监测;与2.2nF连接为3.3nF到SGND
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS的源极
功率场效应管
稳压器的电源输入;连接到高侧NMOS功率FET的漏
辅助电源跟踪正输入端;绑在稳压器输出同步与启动
第二供应;悬空的独立操作; 2μA内部下拉电流
辅助电源跟踪的负输入端;连接到第二电源的输出进行同步
启动;悬空的独立操作; 2μA内部上拉电流
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS的源极
功率场效应管
电感器驱动销;高电流输出的平均电压等于稳压输出
电压
高边驱动器的正电源;开机自VDRV绑在LX与外部0.22μF
电容
低端驱动器和输入电压的高压侧自举电源正极
电源良好窗口比较器的输出;逻辑1时，调节器输出电压为目标的± 10％的
输出电压
电压反馈输入;连接到VOUT和SGND之间的外部电阻分压器;一
125nA的上拉电流迫使VOUT至SGND ，倘FB是浮动的
芯片使能，高电平有效;一个2μA内部上拉电流使该器件在管脚悬空;
电容可以在这个引脚上增加延迟器的开始
典型性能曲线（ 20引脚SO封装）
注： 28引脚HTSSOP封装提供更佳性能
V
IN
=3.3V
100
95
效率（％）
90
85
80
75
70
V
O
=1.2V
V
O
=1V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
O
=2.5V
V
O
=1.8V
效率（％）
100
95
90
85
80
75
70
65
60
0.1
0.6
1.1
1.6
2.1
I
O
(A)
2.6
3.1
3.6
4
V
O
=1.8V
V
O
=1.2V
V
O
=2.5V
V
IN
=3.3V
负载电流I
O
(A)
图1. EL7563CM效率与我
O
图2 EL7563CRE效率
5
FN7296.2
2005年5月13日
EL7563C
EL7563C
单片4安培直流： DC降压稳压器
特点
集成的同步MOSFET
和电流模式控制器
4A的连续输出电流
高达95 ％的效率
内部专利的电流检测
逐周期电流限制
3V至3.6V的输入电压
可调输出电压为1V
2.5V
精密基准
± 0.5 ％，负载和线路调整
可调开关频率
1MHz
振荡器同步
可能
内部软启动
过电压保护
结温指示器
过温保护
欠压锁定
多种电源启动跟踪
电源良好指示器
20引脚SO （ 0.300 “ ）封装
28引脚HTSSOP封装
概述
该EL7563C是一个综合的，全功能的同步降压型
稳压器的输出电压从1.0V至2.5V可调。这是capa-
均衡器提供4A的连续电流以高达95 ％的效率。该
EL7563C工作在一个恒定频率的脉冲宽度调制
（ PWM ）模式下，可以实现外部同步。专利的导通
芯片的无电阻的电流检测实现电流模式控制，这
提供逐周期电流限制，过电流保护，
优秀的阶跃负载响应。该EL7563C特点功率跟踪，
这使得多个转换器的启动顺序可能。
结温指示器方便地监视硅片
温度，节省设计人员时间上的繁琐热字符
12642：1996 。在极少的外部组件和完整的功能
使这个EL7563C非常适合台式机和便携式应用。
该EL7563C是在整个-40 ° C温度范围为+ 85°C
温度范围。
典型应用电路（ EL7563CM ）
C5
1 CREF
0.1F
2 SGND
C4
3 COSC
R4
22
C3
0.22F
390pF
4 VS
C2
5 PSHR
2.2nF
6 PGND
V
IN
3.3V
C1
330F
7 PGND
8输入电压
9 STP
LX 15
LX 14
PGNDP 13
保护地12
保护地11
VHI 16
C6
0.22F
L1
4.7H
C10
2.2nF
C7
330F
D1
VDRV 17
D3
C9
0.1F
V
OUT
R2
1.54k
R1
1k
2.5V
4A
PG 18
D2
D4
C8
0.22F
FB 19
EN 20
应用
DSP ， CPU内核和I / O电源
逻辑/总线用品
便携式设备
DC ： DC转换器模块
GTL +总线供电
订购信息
部件号
EL7563CM
EL7563CM-T13
EL7563CRE-T7
EL7563CRE-T13
包
20引脚SO （ 0.300 “ ）
20引脚SO （ 0.300 “ ）
28引脚HTSSOP
28引脚HTSSOP
磁带&
REEL
-
13”
7”
13”
大纲＃
MDP0027
MDP0027
MDP0048
MDP0048
10 STN
2001年10月5日
EL7563CM
典型应用图继续第3页
制在美国专利号5,7323,974
注意：
包含在此数据表中的所有信息已仔细核对并认为是准确的出版日期;不过，该数据表不能是“受控文件” 。当前版本，如果有的话，这些
规格维持在工厂，可根据您的要求。我们建议您检查您的设计文件定稿之前的版本。
2001 ELANTEC半导体公司
EL7563C
EL7563C
单片4安培直流： DC降压稳压器
绝对最大额定值
(T
电源电压V之间
IN
或V
DD
和GND
V
LX
电压
输入电压
V
HI
电压
A
= 25°C)
+4.5V
V
IN
+0.3V
GND -0.3V ，V
DD
+0.3V
GND -0.3V ，V
LX
+6V
储存温度
工作环境温度
工作结温
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
+135°C
重要注意事项：
具有最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试都在
规定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
.
DC特性
V
DD
= V
IN
= 3.3V ，T
A
= T
J
= 25
°
C, C
OSC
= 1.2nF ，除非另有规定。
参数
V
REF
V
REFTC
V
REFload
V
坡道
I
OSC_CHG
I
OSC_DIS
I
VDD
+V
DRV
I
VDD_OFF
V
DD_OFF
V
DD_ON
T
OT
T
HYS
I
泄漏
I
LMAX
R
DSON
R
DSONTC
I
STP
I
STN
V
PGP
V
PGN
V
PG_hi
V
PG_LO
V
OVP
V
FB
V
FB_LINE
V
FB_LOAD
V
FB_TC
I
FB
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
描述
参考精度
参考温度系数
参考负载调节
振荡器斜坡幅度
振荡器充电电流
振荡器放电电流
V
DD
+V
DRV
电源电流
V
DD
待机电流
V
DD
对于关闭
V
DD
对于启动
在温度阈值
在温度迟滞
内部FET漏电流
峰值电流限制
FET导通电阻
R
DSON
温度系数
的辅助电源跟踪器正输入上拉
断电流
的辅助电源跟踪负输入上拉
电流
正电源正常阈值
负电源正常阈值
电源良好驱动高
电源良好驱动低
过电压保护
输出初始精度
输出线路调整
输出负载调整
输出温度稳定性
反馈输入上拉电流
EN输入高电平
EN输入低电平
启用上拉电流
V
EN
= 0
1
-4
-2.5
I
负载
= 0A
V
IN
= 3.3V,
V
IN
= 10%, I
负载
= 0A
0.5A<我
负载
<4A
-40°C <牛逼
A
<85 ° C，I
负载
= 2A
V
FB
= 0V
0.977
V
STP
= V
IN
/2
V
STN
= V
IN
/2
相对于目标输出电压
相对于目标输出电压
I
PG
= 1毫安
I
PG
= -1mA
10
0.992
0.5
0.5
±1
100
200
2.7
1.007
8
-16
2.7
0.5
-4
仅晶圆级测试
EN = 0时，L
X
= 3.3V （低的FET ）中，L
X
= 0V
（高FET ）
5
30
0.2
2.5
2.5
4
16
-8
60
0.1V<V
OSC
<1.25V
0.1V<V
OSC
<1.25V
V
EN
= 4V ，女
OSC
= 120kHz的
EN = 0
2.4
2.6
135
20
10
2
0<I
REF
<50A
-1
1.15
200
8
3.5
1
5
1.5
2.65
2.95
条件
民
1.24
典型值
1.26
50
最大
1.28
单位
V
PPM /°C的
%
V
A
mA
mA
mA
V
V
°C
°C
A
A
m
MΩ/ C
A
A
%
%
V
V
%
V
%
%
%
nA
V
V
A
2
EL7563C
EL7563C
单片4安培直流： DC降压稳压器
闭环AC电气特性
V
S
= V
IN
= 3.3V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 1.2nF ，除非另有规定。
参数
F
OSC
t
SYNC
M
SS
t
BRM
t
LEB
D
最大
描述
振荡器初始精度
最小的振荡器同步宽度
软启动斜率
化妆前的延迟断裂FET
高侧FET最小导通时间
最大占空比
条件
民
100
典型值
115
25
0.5
15
150
95
最大
125
单位
千赫
ns
V / ms的
ns
ns
%
典型应用图（续）
C5
1 CREF
0.1F
2 SGND
C4
3 COSC
R4
22
C3
0.22F
390pF
4 VS
C2
5 PSHR
2.2nF
6 PGND
C1
330F
7 PGND
8 PGND
9 PGND
10 VIN
11 VIN
12 NC
13 STP
14 STN
LX 23
LX 22
LX 21
LX 20
LX 19
LX 18
NC 17
保护地16
保护地15
EL7563CRE
VHI 24
C6
0.22F
L1
4.7H
C10
2.2nF
C7
330F
D1
VDRV 25
D3
C9
0.1F
V
OUT
2.5V
4A
R2
1.54k
R1
1k
PG 26
D2
D4
C8
0.22F
FB 27
EN 28
V
IN
3.3V
对于包的信息，请参阅ELANTEC网站http://www.elantec.com/pages/package_outline.html
3
EL7563C
EL7563C
单片4安培直流： DC降压稳压器
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
引脚名称
VREF
SGND
COSC
VDD
VTJ
保护地
保护地
VIN
STP
STN
保护地
保护地
保护地
LX
LX
VHI
VDRV
PG
FB
EN
控制电路负电源或信号地
振荡器的定时电容（见性能曲线）
控制电路正电源;通过一个RC滤波器通常连接到VIN
结点温度监测;与2.2nF连接为3.3nF到SGND
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
稳压器的电源输入;连接到高侧NMOS功率FET的漏
的辅助电源跟踪正输入端;绑稳压输出同步与第二供给启动;离开开放
独立操作; 2μA内部下拉电流
的辅助电源跟踪负输入端;连接到同步启动第二电源的输出;离开开放的立场
单独操作; 2μA内部上拉电流
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
接地回路调节器;连接到低侧同步NMOS功率FET的源极
电感器驱动销;高电流输出的平均电压等于稳压器的输出电压
电感器驱动销;高电流输出的平均电压等于稳压器的输出电压
高边驱动器的正电源;开机自VDRV绑在LX与外部0.22μF电容
低端驱动器和输入电压的高压侧自举电源正极
电源良好窗口比较器的输出;逻辑1时，调节器输出电压为目标输出电压的± 10％的
电压反馈输入;连接到VOUT和SGND之间的外部电阻分压器;一个125nA的上拉电流势力
VOUT到SGND ，倘FB是浮动的
芯片使能，高电平有效;一个2μA内部上拉电流使该器件在管脚悬空;电容可以在添加
该引脚延迟转换的开始
引脚功能
带隙基准旁路电容;通常0.1μF至SGND
4
QQ：2880707522 复制
