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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第125页 > EL7551CU-T13
ESI摹
EW
RN
FO EL7536
ND ê
MME
R
数据
L7531
EC E E
OT
N
SE
NS
EL7551
2002年1月24日
FN7291
单片1Amp DC : DC降压
调节器
该EL7551是一个综合的,
与同步降压型稳压器
输出电压可调范围为1.0V至
3.8V 。它能够提供1A的连续电流高达的
到95 %的效率。的EL7551工作在一个恒定的
频率的脉冲宽度调制(PWM)模式,使得
外部同步。专利的芯片
无电阻的电流检测实现电流模式控制,
它提供了逐周期电流限制,过电流
保护和卓越的阶跃负载响应。该EL7551是
可在熔融铅16引脚QSOP封装。有了适当的
外部元件,整个转换器装配到一个更小
比0.4
2
区。在极少的外部元件,并
小尺寸使这EL7551适用于台式机和便携式
应用程序。
该EL7551工作在-40 ° C至指定的操作
+ 85 °C温度范围。
特点
集成的同步MOSFET和电流模式
调节器
1A的连续输出电流
高达95 %的效率
4.5V至5.5V的输入电压
可调输出从1V到3.8V
逐周期电流限制
精密基准
± 0.5 %,负载和线路调整
可调开关频率为1.2MHz的
振荡器同步可能
内部软启动
- 过温保护
欠压锁定
采用16引脚QSOP封装
引脚
EL7551
( 16引脚QSOP )
顶视图
应用
DSP , CPU核心和IO用品
逻辑/总线用品
C3
C4
1 SGND
2 COSC
3 VDD
保护地16
C5
VREF 15
0.1F
FB 14
VDRV 13
LX 12
LX 11
VHI 10
PGND 9
C6
0.1F
R2
R1 2.37kΩ
1k
L1
- 便携式设备
DC : DC转换器模块
GTL +总线电源
0.1μF 270pF
R3
39
4 PGND
C1
10F
陶瓷的
V
IN
(4.5V-5.5V)
5 PGND
6 VIN
7 VIN
8 EN
10H
C
7
V
O
47μF ( 3.3V , 1A )
订购信息
产品型号
EL7551CU
EL7551CU-T7
EL7551CU-T13
采用16引脚QSOP
采用16引脚QSOP
采用16引脚QSOP
磁带&卷轴
-
7”
13”
PKG 。号
MDP0040
MDP0040
MDP0040
美国专利号57323974下制造
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有。 ELANTEC是ELANTEC半导体公司的注册商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7551
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
电源电压V之间
IN
或V
DD
和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6.5V
V
LX
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
IN
+0.3V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V ,V
DD
+0.3V
V
HI
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V ,V
LX
+6V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 135 °
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试
是在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
V
REF
V
REFTC
V
REFload
V
坡道
I
OSC_CHG
I
OSC_DIS
I
VDD
+V
DRV
I
VDD_OFF
V
DD_OFF
V
DD_ON
T
OT
T
HYS
I
泄漏
I
LMAX
R
DSON
R
DSONTC
V
FB
V
FB_LINE
V
FB_LOAD
V
FB_TC
I
FB
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
参考精度
V
DD
= V
IN
= 5V ,T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 1.2nF ,除非另有规定。
条件
1.24
典型值
1.26
50
0℃,我
REF
& LT ; 50μA
-1
1.15
0.1V < V
OSC
< 1.25V
0.1V < V
OSC
< 1.25V
V
EN
= 4V ,女
OSC
= 120kHz的
EN = 0
3.5
3.95
135
20
EN = 0时,L
X
= 5V (低的FET )中,L
X
= 0V (高FET)
2
仅晶圆级测试
45
0.2
I
负载
= 0A
V
IN
= 5V,
V
IN
= 10%, I
负载
= 0A
0.1A <我
负载
< 1A
-40°C <牛逼
A
< 85 ° C,I
负载
= 0.5A
V
FB
= 0V
0.960
0.975
0.5
0.5
±1
100
3.2
1
V
EN
= 0
-4
-2.5
200
4
0.99
95
10
200
8
3.5
1
5
1.5
4
4.45
最大
1.28
单位
V
PPM /°C的
%
V
A
mA
mA
mA
V
V
°C
°C
A
A
m
MΩ/ C
V
%
%
%
nA
V
V
A
描述
参考温度系数
参考负载调节
振荡器斜坡幅度
振荡器充电电流
振荡器放电电流
V
DD
+V
DRV
电源电流
V
DD
待机电流
V
DD
对于关闭
V
DD
对于启动
在温度阈值
在温度迟滞
内部FET漏电流
峰值电流限制
FET导通电阻
R
DSON
温度系数
输出初始精度
输出线路调整
输出负载调整
输出温度稳定性
反馈输入上拉电流
EN输入高电平
EN输入低电平
启用上拉电流
2
EL7551
闭环AC电气规格
参数
F
OSC
t
SYNC
M
SS
t
BRM
t
LEB
D
最大
描述
振荡器初始精度
最小的振荡器同步宽度
软启动斜率
化妆前的延迟断裂FET
高侧FET最小导通时间
最大占空比
V
S
= V
IN
= 5V ,T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 1.2nF ,除非另有规定。
条件
105
典型值
117
25
0.5
15
150
95
最大
130
单位
千赫
ns
V / ms的
ns
ns
%
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
SGND
COSC
VDD
保护地
保护地
VIN
VIN
EN
保护地
VHI
LX
LX
VDRV
FB
VREF
保护地
控制电路负电源。
振荡器的定时电容。 FOSC (千赫) = 0.1843 / COSC , COSC在1μF: FOSC可以近似。
控制电路的正电源。
接地回路调节器。连接到低侧同步NMOS功率FET的源极。
接地回路调节器。连接到低侧同步NMOS功率FET的源极。
稳压器的电源输入。连接到高侧NMOS功率FET的漏极。
稳压器的电源输入。连接到高侧NMOS功率FET的漏极。
芯片使能,高电平有效。一个2μA内部上拉电流使该器件在管脚悬空。
接地回路调节器。
正电源的高边驱动器的。
电感器的驱动器引脚。高电流数字输出,其平均电压等于稳压输出电压。
电感器的驱动器引脚。高电流数字输出,其平均电压等于稳压输出电压。
正电源的低侧驱动器和输入电压为高侧的引导带。
电压反馈输入。连接到VOUT和GND之间的外部电阻分压器。一个125nA的上拉电流
力VOUT为VS在FB是浮动的情况下。
带隙基准旁路电容。通常0.1μF至GND 。
接地回路调节器。
引脚功能
3
EL7551
典型性能曲线
英法fi效率VS我
O
V
IN
=5V
100
V
O
=2.5V
95
0.2
90
85
V
O
=1.2V
80
75
70
0.05
65
60
0.1
F
S
=500kHz
L =的Coilcraft DO3316P -472
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
负载电流I
O
(A)
英法fi效率VS我
O
V
O
=3.3V
100
V
IN
=4.5V
95
输出电压(%)
90
效率(%)
V
IN
=5V
85
80
75
70
65
60
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
负载电流I
O
(A)
线路调整
V
O
=3.3V
0.6
0.5
0.4
0.3
V
O
(%)
0.2
0.1
0
-0.1
1.246
-0.2
-0.3
-0.4
4.5
4.7
4.9
V
IN
(V)
5.1
5.3
5.5
1.244
1.242
-40
I
O
=1A
I
O
=0.1A
V
REF
(V)
1.254
1.252
1.25
1.248
1.258
1.256
F
S
=500kHz
L =的Coilcraft DO3316P -472
-0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
负载电流I
O
(A)
V
REF
与温度
V
IN
=5.5V
0.4
0.2
V
IN
=5V
0
-0.2
-0.4
V
IN
=4.5V
V
IN
=5.5V
0.6
输出电流I
O
(A)
负载调整率
V
O
=3.3V
V
O
=1V
V
O
=3.3V
V
O
=1V
功率损耗( W)
效率(%)
0.15
V
O
=3.3V
0.1
V
O
=1.8V
V
O
=1.5V
0.25
功率损耗VS我
O
V
IN
=5V
10
60
温度(℃)
110
160
4
EL7551
典型性能曲线
390
385
380
375
370
365
360
-40
输入电流(mA )
(续)
输入电流与温度
(允许连接到GND )
0.96
0.94
0.92
0.9
0.88
0.86
0.84
0.82
0.8
-40
V
IN
=5V
V
IN
=4.5V
V
IN
=5.5V
振荡器频率与温度
振荡器频率(kHz )
0
40
温度(℃)
80
120
10
60
温度(℃)
110
160
开关频率对C
OSC
1400
1200
1000
F
S
(千赫)
800
600
400
200
0
0
200
400
600
800
1000
C
OSC
(PF )
瞬态响应
V
IN
=5V, V
O
= 3.8V ,我
O
=0A-1A
V
O
i
L
V
I
V
LX
开关波形
V
IN
=5V, V
O
= 3.8V ,我
O
=1A
上电
V
IN
=5V, V
O
= 3.8V ,我
O
=1A
i
O
V
IN
V
O
V
O
5
ESI摹
EW
RN
FO EL7536
ND ê
MME
R
数据
L7531
EC E E
OT
N
SE
NS
EL7551
2006年3月21日
FN7291.1
单片1Amp DC : DC降压
调节器
该EL7551是一款集成的同步降压
稳压器的输出电压从1.0V至3.8V可调。它
能够提供1A的连续电流以高达95%的
效率。的EL7551工作在一个恒定的频率
脉冲宽度调制( PWM)方式,使得外部
同步成为可能。专利的片上无电阻
电流检测实现电流模式控制,这
提供逐周期电流限制,过电流
保护和卓越的阶跃负载响应。该EL7551是
可在熔融铅16引脚QSOP封装。有了适当的
外部元件,整个转换器装配到一个更小
比0.4
2
区。在极少的外部元件,并
小尺寸使这EL7551适用于台式机和便携式
应用程序。
该EL7551工作在-40 ° C至指定的操作
+ 85 °C温度范围。
特点
集成的同步MOSFET和电流模式
调节器
1A的连续输出电流
高达95 %的效率
4.5V至5.5V的输入电压
可调输出从1V到3.8V
逐周期电流限制
精密基准
± 0.5 %,负载和线路调整
可调开关频率为1.2MHz的
振荡器同步可能
内部软启动
- 过温保护
欠压锁定
引脚
EL7551
( 16引脚QSOP )
顶视图
采用16引脚QSOP封装
无铅加退火用(符合RoHS)
应用
DSP , CPU核心和IO用品
C3
C4
1 SGND
2 COSC
3 VDD
39
4 PGND
C1
10F
陶瓷的
V
IN
(4.5V-5.5V)
5 PGND
6 VIN
7 VIN
8 EN
VDRV 13
LX 12
LX 11
VHI 10
PGND 9
C6
0.1F
保护地16
C5
VREF 15
0.1F
FB 14
R2
0.1μF 270pF
R3
逻辑/总线用品
- 便携式设备
DC : DC转换器模块
GTL +总线电源
V
O
47μF ( 3.3V , 1A )
C
7
R1 2.37kΩ
1k
L1
10H
订购信息
部分
部件号标记
EL7551CU
EL7551CU-T7
EL7551CU-T13
7551CU
7551CU
7551CU
7551CUZ
7551CUZ
采用16引脚QSOP
采用16引脚QSOP
采用16引脚QSOP
采用16引脚QSOP
(无铅)
采用16引脚QSOP
(无铅)
采用16引脚QSOP
(无铅)
磁带&
REEL
-
7”
13”
-
7”
13”
PKG 。
DWG 。 #
MDP0040
MDP0040
MDP0040
MDP0040
MDP0040
MDP0040
美国专利号57323974下制造
EL7551CUZ
(见注)
EL7551CUZ-T7
(见注)
EL7551CUZ - T13 7551CUZ
(见注)
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡兼容
和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品分类MSL
在达到或超过了无铅无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2002年, 2003年, 2006年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7551
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
电源电压V之间
IN
或V
DD
和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6.5V
V
LX
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
IN
+0.3V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V ,V
DD
+0.3V
V
HI
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V ,V
LX
+6V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 135 °
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试
是在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
V
REF
V
REFTC
V
REFload
V
坡道
I
OSC_CHG
I
OSC_DIS
I
VDD
+V
DRV
I
VDD_OFF
V
DD_OFF
V
DD_ON
T
OT
T
HYS
I
泄漏
I
LMAX
R
DSON
R
DSONTC
V
FB
V
FB_LINE
V
FB_LOAD
V
FB_TC
I
FB
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
参考精度
V
DD
= V
IN
= 5V ,T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 1.2nF ,除非另有规定。
条件
1.24
典型值
1.26
50
0℃,我
REF
& LT ; 50μA
-1
1.15
0.1V < V
OSC
< 1.25V
0.1V < V
OSC
< 1.25V
V
EN
= 4V ,女
OSC
= 120kHz的
EN = 0
3.5
3.95
135
20
EN = 0时,L
X
= 5V (低的FET )中,L
X
= 0V (高FET)
2
仅晶圆级测试
45
0.2
I
负载
= 0A
V
IN
= 5V,
V
IN
= 10%, I
负载
= 0A
0.1A <我
负载
< 1A
-40°C <牛逼
A
< 85 ° C,I
负载
= 0.5A
V
FB
= 0V
0.960
0.975
0.5
0.5
±1
100
3.2
1
V
EN
= 0
-4
-2.5
200
4
0.99
95
10
200
8
3.5
1
5
1.5
4
4.45
最大
1.28
单位
V
PPM /°C的
%
V
A
mA
mA
mA
V
V
°C
°C
A
A
m
MΩ/ C
V
%
%
%
nA
V
V
A
描述
参考温度系数
参考负载调节
振荡器斜坡幅度
振荡器充电电流
振荡器放电电流
V
DD
+V
DRV
电源电流
V
DD
待机电流
V
DD
对于关闭
V
DD
对于启动
在温度阈值
在温度迟滞
内部FET漏电流
峰值电流限制
FET导通电阻
R
DSON
温度系数
输出初始精度
输出线路调整
输出负载调整
输出温度稳定性
反馈输入上拉电流
EN输入高电平
EN输入低电平
启用上拉电流
2
EL7551
闭环AC电气规格
参数
F
OSC
t
SYNC
M
SS
t
BRM
t
LEB
D
最大
描述
振荡器初始精度
最小的振荡器同步宽度
软启动斜率
化妆前的延迟断裂FET
高侧FET最小导通时间
最大占空比
V
S
= V
IN
= 5V ,T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 1.2nF ,除非另有规定。
条件
105
典型值
117
25
0.5
15
150
95
最大
130
单位
千赫
ns
V / ms的
ns
ns
%
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
SGND
COSC
VDD
保护地
保护地
VIN
VIN
EN
保护地
VHI
LX
LX
VDRV
FB
VREF
保护地
控制电路负电源。
振荡器的定时电容。 FOSC (千赫) = 0.1843 / COSC , COSC在1μF: FOSC可以近似。
控制电路的正电源。
接地回路调节器。连接到低侧同步NMOS功率FET的源极。
接地回路调节器。连接到低侧同步NMOS功率FET的源极。
稳压器的电源输入。连接到高侧NMOS功率FET的漏极。
稳压器的电源输入。连接到高侧NMOS功率FET的漏极。
芯片使能,高电平有效。一个2μA内部上拉电流使该器件在管脚悬空。
接地回路调节器。
正电源的高边驱动器的。
电感器的驱动器引脚。高电流数字输出,其平均电压等于稳压输出电压。
电感器的驱动器引脚。高电流数字输出,其平均电压等于稳压输出电压。
正电源的低侧驱动器和输入电压为高侧的引导带。
电压反馈输入。连接到VOUT和GND之间的外部电阻分压器。一个125nA的上拉电流
力VOUT为VS在FB是浮动的情况下。
带隙基准旁路电容。通常0.1μF至GND 。
接地回路调节器。
引脚功能
3
EL7551
典型性能曲线
英法fi效率VS我
O
V
IN
=5V
100
V
O
=2.5V
95
0.2
90
85
V
O
=1.2V
80
75
70
0.05
65
60
0.1
F
S
=500kHz
L =的Coilcraft DO3316P -472
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
负载电流I
O
(A)
英法fi效率VS我
O
V
O
=3.3V
100
V
IN
=4.5V
95
输出电压(%)
90
效率(%)
V
IN
=5V
85
80
75
70
65
60
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
负载电流I
O
(A)
线路调整
V
O
=3.3V
0.6
0.5
0.4
0.3
V
O
(%)
0.2
0.1
0
-0.1
1.246
-0.2
-0.3
-0.4
4.5
4.7
4.9
V
IN
(V)
5.1
5.3
5.5
1.244
1.242
-40
I
O
=1A
I
O
=0.1A
V
REF
(V)
1.254
1.252
1.25
1.248
1.258
1.256
F
S
=500kHz
L =的Coilcraft DO3316P -472
-0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
负载电流I
O
(A)
V
REF
与温度
V
IN
=5.5V
0.4
0.2
V
IN
=5V
0
-0.2
-0.4
V
IN
=4.5V
V
IN
=5.5V
0.6
输出电流I
O
(A)
负载调整率
V
O
=3.3V
V
O
=1V
V
O
=3.3V
V
O
=1V
功率损耗( W)
效率(%)
0.15
V
O
=3.3V
0.1
V
O
=1.8V
V
O
=1.5V
0.25
功率损耗VS我
O
V
IN
=5V
10
60
温度(℃)
110
160
4
EL7551
典型性能曲线
390
385
380
375
370
365
360
-40
输入电流(mA )
(续)
输入电流与温度
(允许连接到GND )
0.96
0.94
0.92
0.9
0.88
0.86
0.84
0.82
0.8
-40
V
IN
=5V
V
IN
=4.5V
V
IN
=5.5V
振荡器频率与温度
振荡器频率(kHz )
0
40
温度(℃)
80
120
10
60
温度(℃)
110
160
开关频率对C
OSC
1400
1200
1000
F
S
(千赫)
800
600
400
200
0
0
200
400
600
800
1000
C
OSC
(PF )
瞬态响应
V
IN
=5V, V
O
= 3.8V ,我
O
=0A-1A
V
O
i
L
V
I
V
LX
开关波形
V
IN
=5V, V
O
= 3.8V ,我
O
=1A
上电
V
IN
=5V, V
O
= 3.8V ,我
O
=1A
i
O
V
IN
V
O
V
O
5
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