EL7551C - 初步
EL7551C - 初步
单片1安培直流： DC降压稳压器
特点
集成的同步MOSFET
和电流模式控制器
1A的连续输出电流
高达95 ％的效率
4.5V至5.5V的输入电压
可调输出从1V到3.8V
逐周期电流限制
精密基准
± 0.5 ％，负载和线路调整
可调开关频率
1MHz
振荡器同步
可能
内部软启动
- 过温保护
欠压锁定
采用16引脚QSOP封装
概述
该EL7551C是一个综合的，具有同步降压型稳压器
输出电压从1.0V至3.8V可调。它能够提供的
图1A的连续电流以高达95 ％的效率。该EL7551C工作
在恒定频率脉宽调制（PWM）模式，使得
外部同步。专利的片上无电阻电流
租金感应实现电流模式控制，可提供周期逐
周期电流限制，过电流保护，以及优良的步骤负载
反应。该EL7551C是在熔融铅16引脚QSOP提供
封装。有了适当的外部元件，整个转换器适合
成小于0.4的
2
区。在极少的外部元件，并
小尺寸使这EL7551C适用于台式机和便携式
应用程序。
该EL7551C工作在-40 ° C至+ 85°C温规定工作
温度范围内。
应用
DSP ， CPU核心和IO用品
逻辑/总线用品
便携式设备
DC ： DC转换器模块
GTL +总线供电
典型应用图
C3
C4
1 SGND
2 COSC
3 VDD
4 PGND
保护地16
C5
VREF 15
0.1F
FB 14
VDRV 13
LX 12
LX 11
VHI 10
PGND 9
C6
0.1F
R1
1k
L1
R2
2.37k
订购信息
部件号
EL7551CU
包
采用16引脚QSOP
磁带&卷轴
大纲＃
MDP0040
0.1μF 270pF
R3
39
C1
10F
陶瓷的
V
IN
(4.5V-
5.5V)
5 PGND
6 VIN
7 VIN
8 EN
10H
C
7
V
O
47μF （ 3.3V ，
1A)
2001年10月3日
EL7551C
美国专利号57323974下制造
注意：
包含在此数据表中的所有信息已仔细核对并认为是准确的出版日期;不过，该数据表不能是“受控文件” 。当前版本，如果有的话，这些
规格维持在工厂，可根据您的要求。我们建议您检查您的设计文件定稿之前的版本。
2001 ELANTEC半导体公司
EL7551C - 初步
EL7551C - 初步
单片1安培直流： DC降压稳压器
绝对最大额定值
(T
电源电压V之间
IN
或V
DD
和GND
V
LX
电压
输入电压
V
HI
电压
A
= 25°C)
+6.5V
V
IN
+0.3V
GND -0.3V ，V
DD
+0.3V
GND -0.3V ，V
LX
+6V
储存温度
工作环境温度
工作结温
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
+135°C
重要注意事项：
具有最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试都在
规定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
.
DC特性
V
DD
= V
IN
= 5V ，T
A
= T
J
= 25
°
C, C
OSC
= 1.2nF ，除非另有规定。
参数
V
REF
V
REFTC
V
REFload
V
坡道
I
OSC_CHG
I
OSC_DIS
I
VDD
+V
DRV
I
VDD_OFF
V
DD_OFF
V
DD_ON
T
OT
T
HYS
I
泄漏
I
LMAX
R
DSON
R
DSONTC
V
FB
V
FB_LINE
V
FB_LOAD
V
FB_TC
I
FB
V
EN_HI
V
EN_LO
I
EN
描述
参考精度
参考温度系数
参考负载调节
振荡器斜坡幅度
振荡器充电电流
振荡器放电电流
V
DD
+V
DRV
电源电流
V
DD
待机电流
V
DD
对于关闭
V
DD
对于启动
在温度阈值
在温度迟滞
内部FET漏电流
峰值电流限制
FET导通电阻
R
DSON
温度系数
输出初始精度
输出线路调整
输出负载调整
输出温度稳定性
反馈输入上拉电流
EN输入高电平
EN输入低电平
启用上拉电流
V
EN
= 0
1
-4
-2.5
I
负载
= 0A
V
IN
= 5V,
V
IN
= 10%, I
负载
= 0A
0.1A <我
负载
< 1A
-40°C <牛逼
A
< 85 ° C，I
负载
= 0.5A
V
FB
= 0V
0.960
仅晶圆级测试
EN = 0时，L
X
= 5V （低的FET ）中，L
X
= 0V （高FET）
2
45
0.2
0.975
0.5
0.5
±1
100
3.2
200
4
0.99
95
0.1V < V
OSC
< 1.25V
0.1V < V
OSC
< 1.25V
V
EN
= 4V ，女
OSC
= 120kHz的
EN = 0
3.5
3.95
135
20
10
0℃，我
REF
＆ LT ; 50μA
-1
1.15
200
8
3.5
1
5
1.5
4
4.45
条件
民
1.24
典型值
1.26
50
最大
1.28
单位
V
PPM /°C的
%
V
A
mA
mA
mA
V
V
°C
°C
A
A
m
MΩ/ C
V
%
%
%
nA
V
V
A
闭环AC电气特性
V
S
= V
IN
= 5V ，T
A
= T
J
= 25°C, C
OSC
= 1.2nF ，除非另有规定。
参数
F
OSC
t
SYNC
M
SS
t
BRM
t
LEB
D
最大
描述
振荡器初始精度
最小的振荡器同步宽度
软启动斜率
化妆前的延迟断裂FET
高侧FET最小导通时间
最大占空比
条件
民
105
典型值
117
25
0.5
15
150
95
最大
130
单位
千赫
ns
V / ms的
ns
ns
%
2
EL7551C - 初步
EL7551C - 初步
单片1安培直流： DC降压稳压器
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
SGND
COSC
VDD
保护地
保护地
VIN
VIN
EN
保护地
VHI
LX
LX
VDRV
FB
VREF
保护地
控制电路负电源。
振荡器的定时电容。 FOSC （千赫） = 0.1843 / COSC ， COSC在1μF： FOSC可以近似。
控制电路的正电源。
接地回路调节器。连接到低侧同步NMOS功率FET的源极。
接地回路调节器。连接到低侧同步NMOS功率FET的源极。
稳压器的电源输入。连接到高侧NMOS功率FET的漏极。
稳压器的电源输入。连接到高侧NMOS功率FET的漏极。
芯片使能，高电平有效。一个2μA内部上拉电流使该器件在管脚悬空。
接地回路调节器。
正电源的高边驱动器的。
电感器的驱动器引脚。高电流数字输出，其平均电压等于稳压输出电压。
电感器的驱动器引脚。高电流数字输出，其平均电压等于稳压输出电压。
正电源的低侧驱动器和输入电压为高侧的引导带。
电压反馈输入。连接到VOUT和GND之间的外部电阻分压器。一个125nA的上拉电流
力VOUT为VS在FB是浮动的情况下。
带隙基准旁路电容。通常0.1μF至GND 。
接地回路调节器。
引脚功能
3
EL7551C - 初步
EL7551C - 初步
单片1安培直流： DC降压稳压器
典型性能曲线
英法fi效率VS我
O
V
IN
=5V
V
O
=2.5V
V
O
=1.8V
V
O
=1.5V
功率损耗VS我
O
V
IN
=5V
100
95
90
效率（％）
85
80
75
70
65
0.25
0.2
功率损耗（ W）
0.15
V
O
=3.3V
V
O
=1.2V
V
O
=1V
V
O
=3.3V
0.1
0.05
V
O
=1V
0
60
0.1
F
S
=500kHz
L =的Coilcraft DO3316P -472
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
负载电流I
O
(A)
英法fi效率VS我
O
V
O
=3.3V
V
IN
=4.5V
负载调整率
V
O
=3.3V
输出电流I
O
(A)
100
95
90
效率（％）
85
80
75
70
65
60
0.6
0.4
输出电压（％）
V
IN
=5.5V
V
IN
=5V
V
IN
=5.5V
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
V
IN
=5V
V
IN
=4.5V
F
S
=500kHz
L =的Coilcraft DO3316P -472
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
负载电流I
O
(A)
线路调整
V
O
=3.3V
负载电流I
O
(A)
V
REF
与温度
1.258
1.256
0.6
0.5
0.4
0.3
V
O
(%)
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
I
O
=0.1A
V
REF
(V)
5.1
V
IN
(V)
5.3
5.5
1.254
1.252
1.25
1.248
1.246
1.244
I
O
=1A
-0.4
4.5
4.7
4.9
1.242
-40
10
60
温度（℃）
110
160
4
QQ：2881677436 复制
