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EL7512C - 初步
EL7512C - 初步
高频PWM升压调节器
特点
90 % EF网络效率
高达600mA的我
OUT
5V < V
OUT
& LT ; 18V
V
IN
& GT ; 2V
高达1.2MHz可调
频率
< 3μA关断电流
可调软启动
低电池电量检测
内部热保护
最高1.1mm高10引脚MSOP封装
概述
该EL7512C是一种高频率,高效率的升压型DC : DC
在固定频率PWM模式调节操作。带集成
1A MOSFET ,可提供高达600mA的输出电流高达90 %
效率。可调节开关频率高达1.2MHz , mak-
荷兰国际集团成为理想的DSL应用。
当关闭时,它吸引的电流<3μA 。这个特性,连同
2V的最低启动电压,使得它适用于便携式
设备动力由一个锂离子电池或3 4节镍氢电池。
该EL7512C是在一个10引脚MSOP封装,最大
为1.1mm的高度。有了适当的外部元件,整个CON-
变频器需要不到0.25英寸
2
PCB空间。
该器件在-40 ° C温度范围为+ 85°C
温度范围。
应用
3V至5V , 12V , 18V和
转换器
5V至12V和16V的转换器
TFT -LCD
DSL
- 便携式设备
桌面设备
典型应用图
订购信息
部件号
EL7512CY
10引脚MSOP
磁带&卷轴
大纲#
MDP0043
V
IN
(2V-
9V)
10H
10F
1 PGND
2 SGND
100k
3 RT
4 EN
5 LBI
EL7512C
LX 10
VDD 9
FB 8
20nF
SS 7
LBO 6
80.6k
10k
V
OUT
(高达12V
to
47μF 400毫安)
4.7nF
2001年10月2日
注意:
包含在此数据表中的所有信息已仔细核对并认为是准确的出版日期;不过,该数据表不能是“受控文件” 。当前版本,如果有的话,这些
规格维持在工厂,可根据您的要求。我们建议您检查您的设计文件定稿之前的版本。
2001 ELANTEC半导体公司
EL7512C - 初步
EL7512C - 初步
高频PWM升压调节器
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
超过绝对最大额定值值可能导致设备被预
成熟的损坏。绝对最大额定值仅为应力额定值
和功能设备操作不暗示
V
IN
, LBI ,V
DD
+18V
LX电压
储存温度
工作温度
焊接温度
20V
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
300°C
重要注意事项:
具有最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试都在
规定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
电气特性
V
IN
= 5V, V
OUT
= 12V,我
OUT
= 0毫安,女
OSC
= 600kHz的,T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
参数
IQ1
IQ2
VFB
IB
V
IN
D
最大
I
LIM
I
SHDN
V
LBI
V
OL- LBO
I
泄漏LBO
R
DS -ON
I
防漏开关
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/I
OUT
F
OSC -RANGE
F
OSC1
VHI - SHDN
VLO - SHDN
描述
静态电流 - 停业
Quiensent电流
反馈电压
反馈输入偏置电流
输入电压范围
最大占空比
电流限制 - 最大平均输入电流
关机输入偏置电流
LBI阈值电压
LBO输出低电平
LBO输出漏电流
开关导通电阻
开关漏电流
线路调整
负载调整率
频带
开关频率
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
R
OSC
= 100k
530
1.6
0.5
670
3V < V
IN
< 6V ,V
OUT
= 12V,无负载
I
OUT
< 250μA
0.5
日报= 1毫安
VLBI = 250mV的, VLBO = 5V
在12V输出
190
220
0.1
0.02
300
1
0.15
1
1200
800
2
84
1000
90
1250
1500
1
250
0.2
1
VSHDN = 0V
VSHDN = 2V ,频率= 600kHz的
1.31
2.5
1.35
条件
典型值
最大
3
4
1.39
0.10
单位
A
mA
V
A
V
%
mA
A
mV
V
A
m
A
%/V
%
千赫
千赫
V
V
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
保护地
SGND
RT
EN
LBI
LBO
SS
FB
VDD
LX
引脚功能
电源地;连接到内部N沟道功率MOSFET的源
信号地;对于所有的控制电路参考地;需要有唯一的一个连接到PGND
定时电阻来调整该转换器的振荡频率
芯片使能;置逻辑高电平( >1.6V )芯片的功能
低电量输入;连接到感测电压,或向左打开,如果不使用函数
低电池电量检测输出;连接到MOSFET的漏极开路;能够吸收1mA电流
软启动;连接到一个电容器,以控制转换器的开始
电压反馈输入;需要连接到电阻分压器来决定V
O
控制电路的正电源
电感器驱动销;连接到内部的N沟道功率MOSFET的漏极
2
EL7512C - 初步
EL7512C - 初步
高频PWM升压调节器
框图
V
OUT
80.6k
10k
4.7nF
47F
15F
V
IN
10F
FB
VDD
LX
MAX_DUTY
RT
100k
参考
发电机
关机
VREF
VRAMP
PWM
COMPARATO
PWM
逻辑
0.3
EN
LBO
12A
LBI
-
+
启动
振荡器
I
糊涂人
-
+
7.2k
80m
210mV
SGND
SS
20nF
保护地
3
EL7512C - 初步
EL7512C - 初步
高频PWM升压调节器
典型性能曲线
效率
V
IN
=3.3V, V
O
=12V
效率
V
IN
=3.3V, V
O
=5V
100
80
效率(%)
60
40
20
100
80
效率(%)
60
40
20
F
S
=670kHz
0
10
60
110
I
O
(MA )
F
S
VS V
DD
1400
1200
1000
F
S
(千赫)
800
600
400
200
0
5
7
9
11
13
15
17
19
R
T
=200k
R
T
=51.1k
80
效率(%)
R
T
=71.5k
R
T
=100k
60
40
20
100
160
210
0
10
F
S
=670kHz
110
210
I
O
(MA )
效率
V
IN
=5V, V
O
=12V
310
410
510
F
S
=670kHz
0
10
60
110
160
210
260
310
360
V
DD
(V)
内部V
REF
VS牛逼
J
1.4
1.35
1.3
1.25
V
REF
(V)
1.2
1.15
1.1
1.05
1
-50
660
V
DD
=12V
0
50
T
J
(°C)
100
150
640
-50
R
T
=100k
0
F
S
(千赫)
720
700
680
760
740
F
S
与温度
I
O
(MA )
V
DD
=5V
V
DD
=10V
V
DD
=15V
50
T
J
(°C)
100
150
4
EL7512C - 初步
EL7512C - 初步
高频PWM升压调节器
典型性能曲线
稳态运行(电感连续导通)
V
IN
=5V, V
O
= 12V,我
O
=300mA
稳态运行(电感连续导通)
V
IN
=5V, V
O
= 12V,我
O
=25mA
V
I
V
I
V
LX
V
O
i
L
V
LX
V
O
i
L
上电
V
IN
=5V, V
O
= 12V,我
O
=300mA
负载瞬态响应
V
IN
=5V, V
O
= 12V,我
O
=50mA-300mA
V
IN
V
O
i
O
V
O
i
L
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EL7512C
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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