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EL7154
数据表
2010年9月7日
FN7278.3
高速,单片引脚驱动器
的EL7154三态引脚驱动器,特别适合
为ATE和电平转换的应用。在4A峰值驱动
能力,使EL7154一个很好的选择,当
驱动高速电容线。
p沟道MOSFET是从完全隔离
电源,提供了高度灵活性。销( 7 )
可以接地,且输出可从销(8)的
当一个“源极跟随器”输出是期望的。 N沟道
MOSFET具有一个孤立的流失,但是共享公用总线
与前置驱动器和电平移位电路。这是必要的,以
确保N通道装置可以关掉有效
当V
L
低于GND 。在一些功率场效应管和IGBT
应用,负驱动是可取的,以确保有效
关断。该EL7154可在这些应用中所使用
返回V
L
到适度的负电位。
特点
成本相对较低
三态输出
3V和5V输入兼容
时钟速度高达10MHz
20ns的开关/延时
4A峰值驱动
隔离水渠
低输出阻抗: 2.5
低静态电流: 5毫安
宽工作电压: 4.5V to16V
隔离P沟道器件
独立的接地和V
L
引脚
引脚
EL7154
( 8 LD PDIP , 8 LD SOIC )
顶视图
无铅可(符合RoHS )
应用
加载电路板测试仪
VH
8
VDD
1
数字测试仪
下面GND电平转换
IGBT驱动器
三态
2
水平
逻辑
VL
7
CCD驱动器
3
输入
6
NOUT
4
GND
VL
5
VL
真值表
三态
0
0
1
1
输入
0
1
0
1
P
OUT
开放
开放
开放
N
OUT
开放
开放
开放
根据美国专利号5334883 , # 5341047制造,
#5,352,578, #5,352,389, #5,351,012, #5,374,898
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1996年, 2005年, 2007年, 2010年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7154
订购信息
部分
EL7154CN
EL7154CNZ
EL7154CS
EL7154CS-T7**
EL7154CS-T13**
EL7154CSZ (见注)
EL7154CSZ -T7 ** (见注)
EL7154CSZ - T13 **见注)
EL7154CN
EL7154CN
7154CS
7154CS
7154CS
7154CSZ
7154CSZ
7154CSZ
部分
记号
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP * (无铅)
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC (无铅)
MDP0031
MDP0031
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
PKG 。
DWG 。 #
*无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接工艺应用。
**添加“ -T ”或“ -TK ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意:这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板加退火 - E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
额定工作电压范围
V
L
V
DD
到V
L
V
H
到V
L
V
DD
到V
H
V
DD
-3
5
2
-0.5
5
最大
0
15
15
15
15
2
FN7278.3
2010年9月7日
EL7154
绝对最大额定值
(T
A
= +25°C)
电源(V
DD
到V
L
; V
H
到V
L
, V
H
到GND )
V +到V
H
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16.5V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V
输入引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V低于V
L
至+ 0.3V以上V
DD
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4A
热信息
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
功耗
SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .570mW
PDIP * 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1050mW
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意:
1.限制设立的特性,不生产测试。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试
是在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
输入
V
IH
I
IH
V
IL
I
IL
V
HVS
产量
R
OH
R
OL
I
OUT
I
PK
I
DC
(注1 )
电源
I
S
V
S
I
G
I
H
T
A
= + 25 ° C,V
DD
= +12V, V
H
= +12V, V
L
= -3V ,除非另有规定。
描述
测试条件
典型值
最大
单位
逻辑“1”的输入电压
逻辑“1”的输入电流
逻辑“0”输入电压
逻辑“0”输入电流
输入滞后
V
IL
= 0V
V
IH
= V
DD
2.4
0.1
10
0.6
0.1
0.3
10
V
A
V
A
V
上拉电阻
下拉电阻
输出漏电流
峰值输出电流
连续输出电流
I
OUT
= -100mA
I
OUT
= + 100毫安
V
DD
/ GND
源/汇
源/汇
200
1.5
2
0.2
4.0
4
4
10
Ω
Ω
A
A
mA
电源电流
工作电压
电流GND (引脚4 )
关闭泄漏V
H
输入= V
DD
4.5
1
2.5
16
mA
V
A
A
1
引脚8 = 0V
1
10
10
AC电气规格
参数
t
R
(注1 )
t
F
(注1 )
t
D-1
(注1 )
上升时间
下降时间
T
A
= + 25°C ,除非另有规定。
描述
测试条件
C
L
= 100pF的
C
L
= 2000pF
C
L
= 100pF的
C
L
= 2000pF
C
L
= 2000pF
典型值
4
20
4
20
20
25
25
最大
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性(V
DD
= V
H
= 12V; V
L
= -3V)
打开-O FF延迟时间
3
FN7278.3
2010年9月7日
EL7154
AC电气规格
参数
t
D-2
(注1 )
t
D-1
(注1 )
t
D-2
(注1 )
T
A
= + 25°C ,除非另有规定。
(续)
描述
导通延迟时间
三态延迟
三态延迟
测试条件
C
L
= 2000pF
典型值
10
最大
25
25
25
单位
ns
ns
ns
时序表
标准测试配置
4
FN7278.3
2010年9月7日
EL7154
典型性能曲线
图1.最大功率降额曲线
图2.开关阈值与电源电压
图3.输入电流与电压
图4.峰值驱动与电源电压
图5.静态电源电流
图6. “ON”电阻与电源电压
图7.平均电源电流与电压和
频率
图8.上升/下降时间与负载
5
FN7278.3
2010年9月7日
EL7154
数据表
2005年5月6日
FN7278.1
高速,单片引脚驱动器
的EL7154三态引脚驱动器特别适于供
ATE和电平转换的应用。在4A峰值驱动
能力,使EL7154一个很好的选择,当
驱动高速电容线。
p沟道MOSFET是从完全隔离
电源,提供了高度灵活性。销( 7 )
可以接地,且输出可从销(8)的
当一个“源极跟随器”输出是期望的。然后n沟道
MOSFET具有一个孤立的流失,但是共享公用总线
与前置驱动器和电平移位电路。这是必要的,以
确保该N沟道器件可以关闭有效时
V
L
低于GND 。在一些功率场效应管和IGBT
应用,负驱动是可取的,以确保有效
关断。该EL7154可在这些应用中所使用
返回V
L
到适度的负电位。
特点
成本相对较低
三态输出
3V和5V输入兼容
时钟速度高达10MHz
20ns的开关/延时
4A峰值驱动
隔离水渠
低输出阻抗2.5Ω
低静态电流, 5毫安
宽工作电压4.5V -16V
隔离P沟道器件
独立的接地和V
L
引脚
引脚
EL7154
( 8引脚PDIP , SOIC )
顶视图
无铅可(符合RoHS )
应用
加载电路板测试仪
数字测试仪
下面GND电平转换
IGBT驱动器
CCD驱动器
订购信息
产品型号
EL7154CN
EL7154CS
EL7154CS-T7
EL7154CS-T13
EL7154CSZ
(见注)
EL7154CSZ-T7
(见注)
EL7154CSZ-T13
(见注)
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
(无铅)
8引脚SOIC
(无铅)
8引脚SOIC
(无铅)
磁带&
REEL
-
-
7”
13”
-
7”
13”
PKG 。 DWG 。 #
MDP0031
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
真值表
3-STATE
0
0
1
1
输入
0
1
0
1
P
OUT
开放
开放
开放
N
OUT
开放
开放
开放
根据美国专利号5334883 , # 5341047制造,
#5,352,578, #5,352,389, #5,351,012, #5,374,898
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,
模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1996年, 2003年, 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7154
额定工作电压范围
V
L
V
DD
–V
L
V
H
–V
L
V
DD
–V
H
V
DD
-3
5
2
-0.5
5
最大
0
15
15
15
15
2
EL7154
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
电源(V
DD
到V
L
; V
H
–V
L
, V
H
到GND )
V +到V
H
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16.5V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V
输入引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V低于V
L
至+ 0.3V以上V
DD
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4A
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
功耗
SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .570mW
PDIP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1050mW
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试
是在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
输入
V
IH
I
IH
V
IL
I
IL
V
HVS
产量
R
OH
R
OL
I
OUT
I
PK
I
DC
电源
I
S
V
S
I
G
I
H
T
A
= 25 ° C,V
DD
= +12V, V
H
= +12V, V
L
= -3V ,除非另有说明
描述
测试条件
典型值
最大
单位
逻辑“1”的输入电压
逻辑“1”的输入电流
逻辑“0”输入电压
逻辑“0”输入电流
输入滞后
V
IL
= 0V
V
IH
= V
DD
2.4
0.1
10
0.6
0.1
0.3
10
V
A
V
A
V
上拉电阻
下拉电阻
输出漏电流
峰值输出电流
连续输出电流
I
OUT
= -100mA
I
OUT
= + 100毫安
V
DD
/ GND
来源
SINK
源/汇
200
1.5
2
0.2
4.0
4.0
4
4
10
A
A
mA
电源电流
工作电压
电流GND (引脚4 )
关闭泄漏V
H
输入= V
DD
4.5
1
2.5
16
mA
V
A
A
1
引脚8 = 0V
1
10
10
AC电气规格
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
描述
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性(V
DD
= V
H
= 12V; V
L
= -3V)
t
R
上升时间
C
L
= 100pF的
C
L
= 2000pF
t
F
下降时间
C
L
= 100pF的
C
L
= 2000pF
t
D-1
t
D-2
t
D-1
t
D-2
打开-O FF延迟时间
导通延迟时间
三态延迟
三态延迟
C
L
= 2000pF
C
L
= 2000pF
4
20
4
20
20
10
25
25
25
25
ns
ns
ns
ns
25
ns
25
ns
3
EL7154
时序表
标准测试配置
4
EL7154
典型性能曲线
MAX POWER /降额曲线
开关阈值VS
电源电压
输入电流与电压
峰值驱动与电源电压
静态电源电流
“ ON”电阻与电源电压
平均电源电流VS
电压和频率
上升/下降时间与负载
5
EL7154
数据表
2007年3月8日
FN7278.2
高速,单片引脚驱动器
的EL7154三态引脚驱动器,特别适合
为ATE和电平转换的应用。在4A峰值驱动
能力,使EL7154一个很好的选择,当
驱动高速电容线。
p沟道MOSFET是从完全隔离
电源,提供了高度灵活性。销( 7 )
可以接地,且输出可从销(8)的
当一个“源极跟随器”输出是期望的。 N沟道
MOSFET具有一个孤立的流失,但是共享公用总线
与前置驱动器和电平移位电路。这是必要的,以
确保N通道装置可以关掉有效
当V
L
低于GND 。在一些功率场效应管和IGBT
应用,负驱动是可取的,以确保有效
关断。该EL7154可在这些应用中所使用
返回V
L
到适度的负电位。
特点
成本相对较低
三态输出
3V和5V输入兼容
时钟速度高达10MHz
20ns的开关/延时
4A峰值驱动
隔离水渠
低输出阻抗: 2.5
低静态电流: 5毫安
宽工作电压: 4.5V to16V
隔离P沟道器件
独立的接地和V
L
引脚
引脚
EL7154
( 8 LD PDIP , 8 LD SOIC )
顶视图
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
加载电路板测试仪
数字测试仪
下面GND电平转换
IGBT驱动器
VDD
1
VH
8
三态
2
水平
逻辑
7
VL
6
输入
NOUT
CCD驱动器
3
4
GND
VL
5
VL
真值表
三态
0
0
1
1
输入
0
1
0
1
P
OUT
开放
开放
开放
N
OUT
开放
开放
开放
根据美国专利号5334883 , # 5341047制造,
#5,352,578, #5,352,389, #5,351,012, #5,374,898
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1996年, 2005年, 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7154
订购信息
部分
EL7154CN
EL7154CNZ
EL7154CS
EL7154CS-T7
EL7154CS-T13
EL7154CSZ
(见注)
EL7154CSZ-T7
(见注)
EL7154CSZ-T13
(见注)
部分
记号
EL7154CN
EL7154CN
7154CS
7154CS
7154CS
7154CSZ
7154CSZ
7154CSZ
磁带和
REEL
-
-
-
7”
13”
-
7”
13”
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP *
(无铅)
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
(无铅)
8 Ld的SOIC
(无铅)
8 Ld的SOIC
(无铅)
MDP0031
MDP0031
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
PKG 。
DWG 。 #
*无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接工艺应用。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品
MSL分类,可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
额定工作电压范围
V
L
V
DD
到V
L
V
H
到V
L
V
DD
到V
H
V
DD
-3
5
2
-0.5
5
最大
0
15
15
15
15
2
FN7278.2
2007年3月8日
EL7154
绝对最大额定值
(T
A
= +25°C)
电源(V
DD
到V
L
; V
H
到V
L
, V
H
到GND )
V +到V
H
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16.5V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V
输入引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V低于V
L
至+ 0.3V以上V
DD
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4A
热信息
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
功耗
SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .570mW
PDIP * 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1050mW
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试
是在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
输入
V
IH
I
IH
V
IL
I
IL
V
HVS
产量
R
OH
R
OL
I
OUT
I
PK
I
DC
电源
I
S
V
S
I
G
I
H
T
A
= + 25 ° C,V
DD
= +12V, V
H
= +12V, V
L
= -3V ,除非另有规定。
描述
测试条件
典型值
最大
单位
逻辑“1”的输入电压
逻辑“1”的输入电流
逻辑“0”输入电压
逻辑“0”输入电流
输入滞后
V
IL
= 0V
V
IH
= V
DD
2.4
0.1
10
0.6
0.1
0.3
10
V
A
V
A
V
上拉电阻
下拉电阻
输出漏电流
峰值输出电流
连续输出电流
I
OUT
= -100mA
I
OUT
= + 100毫安
V
DD
/ GND
源/汇
源/汇
200
1.5
2
0.2
4.0
4
4
10
Ω
Ω
A
A
mA
电源电流
工作电压
电流GND (引脚4 )
关闭泄漏V
H
输入= V
DD
4.5
1
2.5
16
mA
V
A
A
1
引脚8 = 0V
1
10
10
AC电气规格
参数
T
A
= + 25°C ,除非另有说明
描述
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性(V
DD
= V
H
= 12V; V
L
= -3V)
t
R
t
F
t
D-1
t
D-2
t
D-1
t
D-2
上升时间
C
L
= 100pF的
C
L
= 2000pF
下降时间
C
L
= 100pF的
C
L
= 2000pF
打开-O FF延迟时间
导通延迟时间
三态延迟
三态延迟
C
L
= 2000pF
C
L
= 2000pF
4
20
4
20
20
10
25
25
25
25
ns
ns
ns
ns
25
ns
25
ns
3
FN7278.2
2007年3月8日
EL7154
时序表
标准测试配置
4
FN7278.2
2007年3月8日
EL7154
典型性能曲线
图1.最大功率降额曲线
图2.开关阈值与电源电压
图3.输入电流与电压
图4.峰值驱动与电源电压
图5.静态电源电流
图6. “ON”电阻与电源电压
图7.平均电源电流与电压和
频率
图8.上升/下降时间与负载
5
FN7278.2
2007年3月8日
EL7154
数据表
2005年5月6日
FN7278.1
高速,单片引脚驱动器
的EL7154三态引脚驱动器特别适于供
ATE和电平转换的应用。在4A峰值驱动
能力,使EL7154一个很好的选择,当
驱动高速电容线。
p沟道MOSFET是从完全隔离
电源,提供了高度灵活性。销( 7 )
可以接地,且输出可从销(8)的
当一个“源极跟随器”输出是期望的。然后n沟道
MOSFET具有一个孤立的流失,但是共享公用总线
与前置驱动器和电平移位电路。这是必要的,以
确保该N沟道器件可以关闭有效时
V
L
低于GND 。在一些功率场效应管和IGBT
应用,负驱动是可取的,以确保有效
关断。该EL7154可在这些应用中所使用
返回V
L
到适度的负电位。
特点
成本相对较低
三态输出
3V和5V输入兼容
时钟速度高达10MHz
20ns的开关/延时
4A峰值驱动
隔离水渠
低输出阻抗2.5Ω
低静态电流, 5毫安
宽工作电压4.5V -16V
隔离P沟道器件
独立的接地和V
L
引脚
引脚
EL7154
( 8引脚PDIP , SOIC )
顶视图
无铅可(符合RoHS )
应用
加载电路板测试仪
数字测试仪
下面GND电平转换
IGBT驱动器
CCD驱动器
订购信息
产品型号
EL7154CN
EL7154CS
EL7154CS-T7
EL7154CS-T13
EL7154CSZ
(见注)
EL7154CSZ-T7
(见注)
EL7154CSZ-T13
(见注)
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
(无铅)
8引脚SOIC
(无铅)
8引脚SOIC
(无铅)
磁带&
REEL
-
-
7”
13”
-
7”
13”
PKG 。 DWG 。 #
MDP0031
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
真值表
3-STATE
0
0
1
1
输入
0
1
0
1
P
OUT
开放
开放
开放
N
OUT
开放
开放
开放
根据美国专利号5334883 , # 5341047制造,
#5,352,578, #5,352,389, #5,351,012, #5,374,898
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,
模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1996年, 2003年, 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7154
额定工作电压范围
V
L
V
DD
–V
L
V
H
–V
L
V
DD
–V
H
V
DD
-3
5
2
-0.5
5
最大
0
15
15
15
15
2
EL7154
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
电源(V
DD
到V
L
; V
H
–V
L
, V
H
到GND )
V +到V
H
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16.5V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V
输入引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V低于V
L
至+ 0.3V以上V
DD
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4A
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
功耗
SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .570mW
PDIP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1050mW
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试
是在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
参数
输入
V
IH
I
IH
V
IL
I
IL
V
HVS
产量
R
OH
R
OL
I
OUT
I
PK
I
DC
电源
I
S
V
S
I
G
I
H
T
A
= 25 ° C,V
DD
= +12V, V
H
= +12V, V
L
= -3V ,除非另有说明
描述
测试条件
典型值
最大
单位
逻辑“1”的输入电压
逻辑“1”的输入电流
逻辑“0”输入电压
逻辑“0”输入电流
输入滞后
V
IL
= 0V
V
IH
= V
DD
2.4
0.1
10
0.6
0.1
0.3
10
V
A
V
A
V
上拉电阻
下拉电阻
输出漏电流
峰值输出电流
连续输出电流
I
OUT
= -100mA
I
OUT
= + 100毫安
V
DD
/ GND
来源
SINK
源/汇
200
1.5
2
0.2
4.0
4.0
4
4
10
A
A
mA
电源电流
工作电压
电流GND (引脚4 )
关闭泄漏V
H
输入= V
DD
4.5
1
2.5
16
mA
V
A
A
1
引脚8 = 0V
1
10
10
AC电气规格
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
描述
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性(V
DD
= V
H
= 12V; V
L
= -3V)
t
R
上升时间
C
L
= 100pF的
C
L
= 2000pF
t
F
下降时间
C
L
= 100pF的
C
L
= 2000pF
t
D-1
t
D-2
t
D-1
t
D-2
打开-O FF延迟时间
导通延迟时间
三态延迟
三态延迟
C
L
= 2000pF
C
L
= 2000pF
4
20
4
20
20
10
25
25
25
25
ns
ns
ns
ns
25
ns
25
ns
3
EL7154
时序表
标准测试配置
4
EL7154
典型性能曲线
MAX POWER /降额曲线
开关阈值VS
电源电压
输入电流与电压
峰值驱动与电源电压
静态电源电流
“ ON”电阻与电源电压
平均电源电流VS
电压和频率
上升/下降时间与负载
5
EL7154C
EL7154C
高速单片引脚驱动器
特点










成本相对较低
三态输出
3V和5V输入兼容
时钟速率高达10 MHz
20 ns的开关延迟时间
4A峰值驱动
隔离水渠
低输出阻抗的2 5倍
低静态电流5毫安
宽工作电压
4 5V – 16V

隔离的P沟道器件

单独地和V
L
引脚
概述
该EL7154C三态引脚驱动器特别适于供
ATE和电平转换应用的4A峰值驱动capabil-
驱动为高电平时性,使EL7154C一个很好的选择
速度电容线
p沟道MOSFET是从电源完全隔离
供应提供高度灵活性针(7)可
接地和输出可以取自销(8)当一个
''的源极跟随''输出期望然后n沟道MOSFET
有一个孤立的流失,但有着共同的总线与预驱动器
和电平移位电路,这是必要的,以确保
n沟道器件可以关闭有效当V
L
低于
GND在某些功率场效应管和IGBT应用的负
驱动是可取的,以确保有效的关断的EL7154可
通过返回V用在这些应用中
L
到一个温和阴性
略去潜力
应用





装电路板测试仪
数字测试仪
下面GND电平转换
IGBT驱动器
CCD驱动器
接线图
订购信息
部件号
温度范围
PKG
概要
EL7154CN
b
40℃
a
85 C 8引脚P- DIP MDP0031
EL7154CS
b
40℃
a
85 C 8引脚SOIC MDP0027
标称工作
电压范围
V
L
V
DD
–V
L
V
H
– V
L
V
DD
–V
H
V
DD
b
3
最大
0
15
15
15
15
7154 – 1
5
2
b
0 5
顶视图
真值表
3-State
0
0
1
1
输入
0
1
0
1
P
OUT
开放
开放
开放
N
OUT
开放
开放
开放
1996年1月修订版B
5
根据美国专利制造
5 352 389 5 351 012 5 374 898
5 334 883
5 341 047
5 352 578
包含在此数据表中的所有信息已仔细核对并认为是准确的出版日期但此数据表不能,如果任何这些是'受控文件“ ”当前版本
规格维持在工厂,可根据您的要求,我们推荐您的设计文件定稿之前检查修订级别
1995年ELANTEC公司
EL7154C
高速单片引脚驱动器
绝对最大额定值
电源(V
DD
到V
L
V
H
–V
L
V
H
到GND)
V
a
到V
H
16 5V
b
5V
V
L
到GND
b
0 3V低于V
L
to
输入引脚
a
0 3V以上的V
DD
峰值输出电流
4A
b
65℃,以
a
150 C
存储温度范围
工作环境温度
工作结温
功耗
SOIC
PDIP
b
40℃
a
85 C
125 C
570毫瓦
1050毫瓦
重要注意事项
具有最小最大规格的所有参数都保证测试级别列表示特定的设备实际测试
生产和质检ELANTEC执行大多数电气测试采用现代高速自动测试过程中执行
设备特别是LTX77系列系统,除非另有说明,否则所有测试脉冲测试,因此牛逼
J
e
T
C
e
T
A
考试级别
I
II
III
IV
V
测试程序
100 %生产测试,质量保证每次测试计划QCX0002 QA测试样品
在T 100 %生产测试
A
e
在T 25℃, QA测试样品
A
e
25 C
T
最大
和T
每QA测试计划QCX0002
每QA测试计划QCX0002 QA测试样品
参数保证(但未经测试)通过设计和特性数据
参数是在T典型值
A
e
25℃ ,仅供参考
DC电气特性
T
A
e
25℃ V
DD
E A
12V V
H
E A
12V V
L
E B
3V ,除非另有说明
参数
输入
V
IH
I
IH
V
IL
I
IL
V
HVS
产量
R
OH
R
OL
I
OUT
I
PK
I
DC
电源
I
S
V
S
I
G
I
H
电源电流
工作电压
电流GND (引脚4 )
关闭泄漏V
H
引脚8
e
0V
输入
e
V
DD
45
1
1
1
25
16
10
10
I
I
I
I
mA
TD是3 6英寸
V
mA
mA
上拉电阻
下拉电阻
输出漏电流
峰值输出电流
连续输出电流
I
OUT
E B
百毫安
I
OUT
E A
百毫安
V
DD
GND
来源
SINK
源库
200
15
2
02
40
40
4
4
10
I
I
I
V
I
X
X
mA
A
mA
逻辑' 1', '输入电压
逻辑' 1', '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑'' 0 ''输入电流
输入滞后
V
IL
e
0V
01
03
V
IH
e
V
DD
24
01
10
06
10
I
I
I
I
V
V
mA
V
mA
V
描述
TEST
条件
典型值
最大
TEST
水平
单位
2
EL7154C
高速单片引脚驱动器
AC电气特性
T
A
e
25℃除非另有规定
参数
描述
TEST
条件
典型值
最大
TEST
水平
单位
开关特性(V
DD
e
V
H
e
12V V
L
E B
3V)
t
R
t
F
t
D-1
t
D-2
t
D-1
t
D-2
上升时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
导通延迟时间
三态延迟
三态延迟
C
L
e
100 pF的
C
L
e
2000 pF的
C
L
e
100 pF的
C
L
e
2000 pF的
C
L
e
2000 pF的
C
L
e
2000 pF的
4
20
4
20
20
10
25
IV
IV
IV
IV
IV
IV
ns
ns
ns
TD是1 9英寸
ns
ns
ns
25
25
25
25
25
时序表
7154 – 2
标准测试配置
7154 – 3
3
EL7154C
高速单片引脚驱动器
典型性能曲线
开关阈值VS
电源电压
最大功率降额曲线
7154 – 9
7154 – 10
输入电流与电压
峰值驱动与电源电压
7154 – 11
7154 – 12
静态电源电流
'' ON ''电阻与电源电压
7154 – 13
7154 – 14
4
EL7154C
高速单片引脚驱动器
典型性能曲线
平均电源电流VS
电压和频率
上升和下降时间与负载
7154 – 16
7154 – 15
典型应用
引脚驱动器
振幅可调脉冲发生器
7154 – 4
7154 – 5
5
EL7104C , EL7114C
EL7104C , EL7114C
高速单通道功率MOSFET驱动器
特点
业界标准驱动程序
更换
改进了响应时间
匹配的上升和下降时间
减少时钟歪斜
低输出阻抗
低输入电容
高噪声抗扰度
改进的时钟速率
低电源电流
宽工作范围
独立的排水管连接
概述
该EL7104C和EL7114C集成电路相匹配的完善的驱动器IC
工业标准的TC-二十九分之四千四百二时钟驱动器的操作。该
ELANTEC版本能够提供非常高速的司机
1A的峰值电流成高度容性负载。高速per-
性能会受到由专用的“涡轮驱动”电路来实现
通过敲击更宽的电压摆幅加快输入级
输出。提高速度和驱动能力由匹配增强
上升和下降的延迟时间。这些匹配的延迟保持完整
输入到输出的脉冲宽度,以减少定时误差和时钟偏移
问题。这种改进的性能是伴随着10倍
降低电源电流过双极性驱动,但没有延迟
时间的问题通常与CMOS驱动器相关联。
应用
时钟/线路驱动器
CCD驱动器
超声换能器驱动程序
功率MOSFET驱动器
开关模式电源
谐振充电
级联驱动程序
连接图
V+ 1
8 V+
7 P_OUT
6 N_OUT
5 GND
EL7104C
非反相驱动器
订购信息
产品型号
EL7154CN
EL7154CS
8引脚PDIP
8引脚SO
磁带&卷轴
大纲#
MDP0031
MDP0027
IN 2
NC 3
GND 4
V+ 1
IN 2
NC 3
GND 4
EL7114C
反相驱动器
8 V+
7 P_OUT
2001年8月20日
6 N_OUT
5 GND
注意:
包含在此数据表中的所有信息已仔细核对并认为是准确的出版日期;不过,该数据表不能是“受控文件” 。当前版本,如果有的话,这些
规格维持在工厂,可根据您的要求。我们建议您检查您的设计文件定稿之前的版本。
2001 ELANTEC半导体公司
EL7104C , EL7114C
EL7104C , EL7114C
高速单通道功率MOSFET驱动器
绝对最大额定值
(T
供应(V +至GND )
输入引脚
峰值输出电流
存储温度范围
工作环境温度
A
= 25°C)
16.5V
-0.3V至+ 0.3V以上的V +
4A
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
工作结温
功耗:
SO
PDIP
+125°C
570mW
1050mW
重要注意事项:
具有最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试都在
规定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
.
DC电气特性
T
A
= 25 ℃, V + = 15V ,除非另有规定。
参数
输入
V
IH
I
IH
V
IL
I
IL
V
HVS
产量
R
OH
R
OL
I
OUT
I
PK
I
DC
电源
I
S
V
S
电源电流
工作电压
输入= V + EL7104C
EL7114C
4.5
4.5
1
7.5
2.5
16
mA
V
上拉电阻
下拉电阻
输出漏电流
峰值输出电流
连续输出电流
I
OUT
= -100毫安
I
OUT
=百毫安
V + / GND
来源
SINK
源/汇
200
1.5
2
0.2
4.0
4.0
4
4
10
A
A
mA
逻辑“1”的输入电压
逻辑“1”的输入电流
逻辑“0”输入电压
逻辑“0”输入电流
输入滞后
@0V
0.1
0.3
@V+
2.4
0.1
10
0.8
10
V
A
V
A
V
描述
测试条件
典型值
最大
单位
AC电气特性
T
A
= 25℃ ,V = 15V ,除非另有规定。
参数
t
R
t
F
t
D- ON
t
D- OFF
上升时间
下降时间
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
描述
测试条件
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 2000 pF的
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 2000 pF的
见时序表
见时序表
典型值
7.5
10
10
15
18
18
20
25
25
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性(V
DD
= V
H
= 12V; V
L
= -3V)
2
EL7104C , EL7114C
EL7104C , EL7114C
高速单通道功率MOSFET驱动器
时序表
5V
输入
2.5V
0
产量
EL7114C
90%
10%
产量
90%
10%
t
D1
t
F
t
R
t
D2
t
R
t
F
标准测试配置
1
2
D.U.T.
8
6
4.7F
输入
信号
7
产量
信号
4
5
2000pF
3
EL7104C , EL7114C
EL7104C , EL7114C
高速单通道功率MOSFET驱动器
EL7104C原理示意图
EL7114C原理示意图
4
EL7104C , EL7114C
EL7104C , EL7114C
高速单通道功率MOSFET驱动器
典型性能曲线
MAX POWER /降额曲线
开关阈值VS
电源电压
峰值驱动与电源电压
输入电流与电压
静态电源电流
“ ON”电阻与电源电压
5
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