60MHz的轨至轨输入输出运算放大器
EL5211T
该EL5211T是一种高电压轨至轨输入输出
放大器具有低功耗。该EL5211T
包含两个放大器。每个放大器的展品之外
轨输入能力，轨到轨输出能力，
是单位增益稳定。
最大工作电压范围为4.5V至
19V 。它可用于单电源或双电源配置
操作时，典型功耗只有每3毫安
放大器。该EL5211T具有输出短路
± 300毫安能力和连续输出电流
± 65毫安的能力。
该EL5211T特色100V / μs的高压摆率，并且
快速建立时间。此外，该设备提供了通用
模式输入能力超越电源轨，轨到轨
输出能力，并且为60MHz （ -3dB ）的带宽。这
使放大器能够提供最大的动态范围
在任意电源电压。这些特性使得EL5211T
用于TFT-LCD面板作为一个理想的放大器解决方案
V
COM
驾驶员或静态伽玛缓冲器，并在高速
滤波和信号调节应用程序。其他
应用包括电池供电的便携式设备，
特别是在低功率消耗是很重要的。
该EL5211T是采用热增强型8 Ld的
HMSOP封装，热增强型8 Ld的DFN
封装。既配备了标准的运算放大器
引脚排列。该器件工作在一个环境
温度范围-40C至+ 85C的。
EL5211T
特点
为60MHz （ -3dB ）带宽
4.5V至19V最大电源电压范围
100V / μs压摆率
3毫安电源电流（每个放大器）
± 65毫安连续输出电流
± 300毫安输出短路电流
单位增益稳定
除了轨输入功能
轨到轨输出摆幅
内置热保护
-40 ° C至+ 85°C的环境温度范围
无铅（符合RoHS ）
应用*
（见第13页）
TFT -LCD面板
V
COM
放大器器
静态Gamma缓冲器
驱动程序进行A / D转换器
数据采集
- 视频处理
音频处理
有源滤波器
测试设备
- 电池供电应用
- 便携式设备
10
8
6
4
增益（dB ）
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
100k
560Ω
150Ω
V
S
= ±5V
A
V
= 1
C
L
=取1.5pF
R
L
|| 1kΩ的（探针）
1kΩ
1M
10M
频率（Hz）
100M
图1.典型的TFT -LCD V
COM
应用
图2.频率响应各种
L
2010年5月12日
FN6893.0
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2010.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL5211T
引脚配置
EL5211T
（ 8 LD HMSOP ）
顶视图
VOUTA 1
VINA- 2
VINA + 3
VS- 4
-
+
-
+
8 VS +
7 VOUTB
6 VINB-
5 VINB +
VOUTA 1
VINA- 2
VINA + 3
VS- 4
PD
EL5211T
（ 8 LD DFN ）
顶视图
8 VS +
7 VOUTB
6 VINB-
5 VINB +
THERMAL PAD电
连接到VS-
THERMAL PAD电
连接到VS-
引脚说明
引脚数
（ HMSOP ， DFN ）
1
2
3
4
5
6
7
8
PAD
针
名字
VOUTA
VINA-
VINA +
VS-
VINB +
VINB-
VOUTB
VS +
PD
放大器A输出
放大器反相输入
放大器的非反相输入
负电源
放大器B的非反相输入
放大器B反相输入
放大器B的输出
正电源。
充当散热器。电连接到
VS- 。连接散热垫VS-平面上
PCB以达到最佳的散热性能。
V
S+
V
S+
功能
等效电路
（参考电路1 ）
（参考电路2）
（参考电路2）
（参考电路2）
（参考电路2）
（参考电路1 ）
V
的OUTx
V
INX
GND
V
S-
V
S-
电路1
电路2
订购信息
产品型号
（注2,3）
EL5211TILZ - T13 （注1 ）
EL5211TIYEZ
EL5211TIYEZ - T7 （注1 ）
EL5211TIYEZ - T13 （注1 ）
注意事项：
1.请参考
TB347
对卷筒规格的详细信息。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属
材料和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既兼容
锡铅和无铅焊接操作） 。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
3.潮湿敏感度等级（MSL ） ，请参阅设备信息页
EL5211T.
有关MSL更多信息，请参阅
techbrief
TB363.
11T
BBBNA
BBBNA
BBBNA
部分
记号
8 Ld的DFN
8 Ld的HMSOP
8 Ld的HMSOP
8 Ld的HMSOP
包
（无铅）
L8.2x3
MDP0050
MDP0050
MDP0050
PKG 。
DWG 。 ＃
2
FN6893.0
2010年5月12日
EL5211T
绝对最大额定值
(T
A
= +25°C)
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
8 Ld的HMSOP （注4,5） 。 。 。 。 。 。 。
62
13
8 Ld的DFN （注4,5） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
8
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图34和35
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
电源电压V之间
S
+和V
S
- . . . . . . . . . . . .+19.8V
输入电压范围（V
INx的+
, V
INx-
) . . . V
S
- - 0.5V, V
S
+ + 0.5V
输入差分电压（V
INx的+
- V
INx-
) . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
S
+ + 0.5V)-(V
S
- - 0.5V)
最大连续输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 65毫安
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3000V
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能产生不利影响的
在故障产品的可靠性和结果不在保修范围内。
注意事项：
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板与部件“直接连接”
功能。参见技术简介TB379 。
5.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
重要提示：为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试都
在特定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
电气规格
参数
输入特性
V
OS
TCV
OS
I
B
R
IN
C
IN
CMIR
CMRR
A
VOL
V
OL
V
OH
I
SC
I
OUT
(V
S
+) - (V
S
-)
I
S
PSRR
V
S
+ = +5V, V
S
- = -5V ，R
L
= 1kΩ的为0V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有规定。
条件
民
典型值
最大单位
描述
输入失调电压
平均失调电压漂移（注6 ）
V
CM
= 0V
8 Ld的HMSOP包
8 Ld的DFN封装
5
13
9
2
1
2
-5.5
18
mV
μV/°C
μV/°C
输入偏置电流
输入阻抗
输入电容
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
V
CM
= 0V
60
nA
GΩ
pF
+5.5
73
78
V
dB
dB
对于V
IN
从-5.5V至5.5V
-4.5V
≤
V
的OUTx
≤
4.5V
I
L
= -5mA
I
L
= + 5毫安
V
CM
= 0V ，资料来源： V
的OUTx
短到V
S
-,
水槽： V
的OUTx
短到V
S
+
50
62
输出特性
输出摆幅低
输出摆幅高
短路电流
输出电流
-4.95 -4.85
4.85
4.95
±300
±65
V
V
mA
mA
电源性能
电源电压范围
电源电流
电源抑制比
V
CM
= 0V ，无负荷
供应从± 2.25V转移至± 9.5V
60
4.5
5.5
75
19
7.5
V
mA
dB
动态性能
SR
t
S
BW
压摆率（注7 ）
沉降到+ 0.1 ％ （注8 ）
-3dB带宽
-4.0V
≤
V
的OUTx
≤
4.0V ， 20 ％至80％
A
V
= +1, V
的OUTx
= 2V一步，
R
L
= 1kΩ
||
为1kΩ （探头） ，C
L
=取1.5pF
R
L
= 1kΩ的，C
L
=取1.5pF
100
85
60
V / μs的
ns
兆赫
3
FN6893.0
2010年5月12日
EL5211T
电气规格
参数
输入特性
V
OS
TCV
OS
输入失调电压
V
CM
= 9V
7
14
11
2
1
2
-0.5
对于V
IN
从-0.5V至18.5V
0.5V
≤
V
的OUTx
≤
17.5V
53
62
75
104
+18.5
60
18
mV
μV/°C
μV/°C
nA
GΩ
pF
V
dB
dB
V
S
+ = +18V, V
S
- = 0V ，R
L
= 1kΩ的到9V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有规定。
条件
民
典型值
最大
单位
描述
平均失调电压漂移（注6 ） 8 Ld的HMSOP包
8 Ld的DFN封装
I
B
R
IN
C
IN
CMIR
CMRR
A
VOL
输入偏置电流
输入阻抗
输入电容
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
V
CM
= 9V
输出特性
V
OL
V
OH
I
SC
I
OUT
输出摆幅低
输出摆幅高
短路电流
输出电流
I
L
= -6mA
I
L
= + 6毫安
V
CM
= 9V ，资料来源： V
的OUTx
短到V
S
-,
水槽： V
的OUTx
短到V
S
+
80
17.85 17.92
±300
±65
150
mV
V
mA
mA
电源性能
(V
S
+) - (V
S
-)
I
S
PSRR
电源电压范围
电源电流
电源抑制比
V
CM
= 9V ，空载
供应从4.5V转移到19V
60
4.5
6.0
75
19
7.5
V
mA
dB
动态性能
SR
t
S
BW
增益带宽积
PM
CS
注意事项：
6，测量温度范围在-40 ° C至+ 85°C的工作温度范围。看到典型的TCV
OS
所示的生产布局
“典型性能曲线”第6页。
7.典型的压摆率是平均的上升测得（20％至80％）的转换速率和下降（80％至20％）的边缘
输出信号。
8.沉降测量为从当输出电平相交的上升沿/下降沿的最终值的时间的时间时，输出
水平安定为± 0.1 ％误差范围内。终值（V）的± 〔满刻度（Ⅴ） * 0.1 ％]的误差带的范围由下式确定。
压摆率（注7 ）
沉降到+ 0.1 ％ （注8 ）
-3dB带宽
增益带宽积
相位裕度
声道分离
1V
≤
V
的OUTx
≤
17V ， 20 ％至80％
A
V
= +1, V
的OUTx
= 2V一步，
R
L
= 1kΩ
||
为1kΩ （探头） ，C
L
=取1.5pF
R
L
= 1kΩ的，C
L
=取1.5pF
A
V
= -10, R
F
= 1kΩ的，R
G
= 100Ω
R
L
= 1kΩ
||
为1kΩ （探头） ，C
L
=取1.5pF
A
V
= -10, R
F
= 1kΩ的，R
G
= 100Ω
R
L
= 1kΩ
||
为1kΩ （探头） ，C
L
=取1.5pF
F = 5MHz时
100
100
60
32
50
90
V / μs的
ns
兆赫
兆赫
°
dB
5
FN6893.0
2010年5月12日
QQ：2881677436 复制
