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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第882页 > EKV550
50V N沟道
MOSFET
EKV550
■特点
低导通电阻
雪崩能源保障能力
内置防止静电门保护二极管
放电（ESD ）
一月。 2006年
【包装规格】
TO-220
■应用
DC-DC变换器
高开关速度
●等效
电路
D (2)
G (1)
S (3)
绝对最大额定值
(Ta=25°C）
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
1)
P
D
E
AS
2)
I
AS
T
ch
T
英镑
等级
50
±20
±50A
±150A
85 （TC = 25 ° C）
150
20
150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
mJ
A
°C
°C
1 ） PW≤100μs ，值班cycle≤1 ％
2) V
DD
= 20V ， L = 72μH ，我
Lp
= 50A ，松开，R
G
= 50Ω 。见图1
.
三垦电气有限公司。
http://www.sanken-ele.co.jp/en/
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T02-005JA-060111
50V N沟道
MOSFET
EKV550
电气特性
参数
符号
测试条件
一月。 2006年
(Ta=25°C）
范围
分钟。
250
±10
100
3.0
17
12
2000
1200
500
30
I
D
= 25A ，V
DD
≈25V
R
L
=1, V
GS
=10V
R
G
=10
见图2
120
I
SD
=50A,V
GS
=0V
1.0
1.5
V
360
ns
130
pF
15
4.2
典型值。
马克斯。
单位
V
μA
μA
V
S
m
漏源击穿电压
门源漏电流
漏极至源极漏电流
栅极阈值电压
正向跨导
静态漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管正向电压
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
回复（Y
fs
)
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
D
=100μA,V
GS
=0V
V
GS
=±20V
V
DS
=50V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=250μA
V
DS
= 10V ，我
D
=25A
I
D
= 25A ，V
GS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
.
三垦电气有限公司。
T02-005JA-060111
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50V N沟道
MOSFET
EKV550
特性曲线
ID- VDS特性（典型值）
RDS （ ON） -ID特性（典型值）
150
12V
9V
一月。 2006年
(Tc=25°C)
VGS=10V
14
12
10V
8V
RDS （ ON） （ MΩ）
10
8
6
4
2
0
0
10
20
ID （ A）
30
40
50
100
ID （ A）
7V
50
6V
VGS=5
V
0
0
2
4
VDS （ V）
20
RDS （ ON） （ MΩ）
25
RDS （ ON） -Tc特性（典型值）
ID=25A
VGS=10V
6
8
10
15
10
ID- VGS特性（典型值）
VDS=10V
50
5
0
-75
-50
-25
0
25
50
TC （ ℃ ）
75
100
125
150
40
VDS - VGS特性（典型值）
30
1.5
ID （ A）
Tc=125℃
20
25℃
VDS （ V）
0.5
ID=50A
ID=25A
1
10
-55℃
0
0
2
4
VGS （ V）
6
8
10
0
1
10
VGS （ V）
100
三垦电气有限公司。
T02-005JA-060111
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50V N沟道
MOSFET
EKV550
特性曲线
回复（ YFS ） -ID特性（典型值）
VDS=10V
100
Tc=-55℃
25℃
125℃
10
重（ YFS ）（S）
VDS=10V
一月。 2006年
(Tc=25°C)
电容- VDS特性（典型值）
10000
VGS=0V
f=1MHz
1
西塞
电容（pF）
1000
科斯
0.1
0.1
1
ID （ A）
10
100
IDR - VSD特性（典型值）
50
CRSS
VGS=10V
40
100
0
10
20
VDS （ V）
30
40
50
30
IDR （ A）
安全工作区
1000
20
VGS=5V
VGS=0V
ID （脉冲）最大。
10
100
PW=1ms
0
PW=10ms
ID （ A）
0
0.2
0.4
0.6
VSD （V）的
0.8
1
1.2
10
RDS （ ON）有限公司
PD-钽特性
90
無限大放熱板付
80
1
Tc=25℃
1shot
70
60
ＰＤ (W)
50
0.1
0.1
1
VDS （ V）
10
100
40
30
20
10
放熱板無し
0
0
50
TA（ ℃ ）
100
150
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50V N沟道
MOSFET
EKV550
图1非钳位感应测试方法
L
一月。 2006年
E
AS
=
V
（ BR ） DSS
1
V
（ BR ） DSS
·
L
·
I
LP
2
·
2
V
（ BR ） DSS
V
DD
I
L
V
DS
I
Lp
R
G
V
GS
0V
V
DD
I
L
V
DS
V
DD
（ a）测试电路
（二）波形
Fig.2
开关时间测试方法
R
L
I
D
V
DS
R
G
V
GS
0V
P.W.=10μs
占空比= 1 ％
V
DD
V
DD
≈25V
I
D
=25A
R
L
=1
V
GS
=10V
R
G
=5
（ a）测试电路
90%
V
GS
10%
90%
V
DS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
（二）波形
三垦电气有限公司。
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