产品speci fi cation
PE64905
产品说明
该PE64905是沙丘 - 增强的数字可调
电容器（ DTC ）的基础上Peregrine公司的UltraCMOS
技术。 DTC产品提供了单片
为要求苛刻的RF集成的阻抗调谐解决方案
应用程序。
该PE64905提供高RF功率处理和
耐用性，同时满足具有挑战性的和谐
线性度要求。
这种高度灵活的产品可串联或并联使用
配置，以支持多种不同的调谐电路的
拓扑结构。
该设备通过广泛的支持2线控制
(I
2
IC兼容）接口，并有两种可选地址
对于具有多个故障码的实现。所有的解码和
偏压被集成在芯片上，而无需外部旁路，或
滤波元件是必需的。
百富勤公司的DuNE 技术可实现出色的线性度
和出色的谐波性能。的DuNE设备
提供的性能优于GaAs器件与
经济一体化和传统的CMOS 。
的UltraCMOS
数字可调电容器
（ DTC ） 100 - 3000兆赫
特点
2线（ I C兼容）串行接口
2
图1.功能框图
用内置的偏置电压的产生和
ESD保护
的DuNE - 增强的UltraCMOS设备
5位32国家数字可调电容器
系列配置C = 0.60 - 4.60 pF的
在离散129 fF的步骤为：（ 7.7 1调谐比）
并联结构C = 1.10 - 5.10 pF的
在离散129 fF的步骤为：（ 4.6 1调谐比）
高RF功率容量（高达38 dBm时，
30 V
pk
RF）和高线性度
宽电源电压范围（ 2.3 3.6V ）
和低电流消耗
（典型值140
μA
在2.6V ）
对优秀1.5 kV的HBM ESD容差
所有引脚
2 ×2× 0.45毫米QFN封装
应用包括：
可调谐滤波器网络
可调谐天线
RFID
可调匹配网络
移相器
无线通信
RF +
ESD
ESD
RF-
图2.封装类型
10L 2 ×2× 0.45毫米QFN封装
串行
接口
CMOS控制
驱动器和ESD
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PE64905
产品speci fi cation
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 2.6V
参数
工作频率范围
最小电容
最大电容
寄生电容
调谐比
步长
等效串联电阻
CON组fi guration
两
系列
分流
系列
分流
系列
系列
分流
两
系列
状态= 00000 ， 100 MHz的射频（RF +到RF- ）
状态= 00000 ， 100 MHz的射频（RF +接地的RF- ）
状态= 11111 ， 100 MHz的射频（RF +到RF- ）
状态= 11111 ， 100 MHz的射频（RF +接地的RF- ）
所有国家， 100兆赫（ RF +至GND ， RF-到GND）
100兆赫
100兆赫
5位（ 32个国家） ，恒步长（ 100兆赫）
国家= 00000
国家= 11111
100兆赫，带L
s
删除
1 GHz的，带L
s
删除
2千兆赫，带L
s
删除
3 GHz的，带L
s
删除
100兆赫，带L
s
删除
1 GHz的，带L
s
删除
2千兆赫，带L
s
删除
3 GHz的，带L
s
删除
州00000
州11111
100兆赫 - 3 GHz的
100兆赫 - 3 GHz的
100兆赫 - 3 GHz的，每个音+18 dBm时， 1 MHz的间距
100兆赫 - 3 GHz的，每个音+18 dBm时， 1 MHz的间距
任何两个之间的50％ CTRL 10 /90％增量电容
国
从V时代
DD
在规范之内的所有演出
规范
从待机模式状态更改为RF状态，所有perfor-
在规定范围内mances
105
65
12
100
100
条件
民
100
0.49
0.99
4.09
4.59
0.60
1.10
4.60
5.10
0.5
7.7:1
4.6:1
0.129
1.40
1.33
10
35
32
25
27
25
11
6
7.5
3.1
-36
-36
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
s
s
s
pF
典型值
最大
3000
0.71
1.21
5.11
5.61
单位
兆赫
pF
pF
pF
品质因数（C
民
)
1
分流
品质因数（C
最大
)
1
分流
自谐振频率
谐波（ 2FO ）
2
谐波（ 3fo ）
2
输入截取点（二阶）
输入截取点（ 3阶）
开关时间
3, 4
启动时间
3
唤醒时间
3, 4
分流
系列
系列
系列
两
两
两
备注：基于一个系列的RLC等效电路1.问一个并联的DTC 。
Q = X
C
/ R = （ X-X的
L
） / R，其中X = X
L
+X
C
, X
L
= 2 * PI * F * L，X
C
= -1 /（2 * PI * F * C）中，它等于除去的寄生电感L的效果
S.
2.在串联或并联50Ω端口之间。脉冲RF输入，带4620
s
期间，占空比为50％ ，根据3GPP TS 45.005测量。
必须提供3.直流接地路径的RF +和RF-以达到规定的性能。
4.状态改变激活了以下数据字SCL上升边缘的ACK位。
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RFIC解决方案
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图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
表4.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
V
ESD
参数/条件
电源电压
任何直流输入电压
电压ESD （HBM ， MIL_STD
883方法3015.7 ）
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
4.0
1500
单位
V
V
V
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应限制
在操作范围表的限制。
工作范围最大和经贸合作
绝对最大长时间可能会降低
可靠性。
表2.引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
RF-
RF-
DGND
V
DD
SCL
ADDR
SDA
RF +
RF +
GND
描述
负RF端口
1
负RF端口
1
地
电源引脚
串行接口的时钟输入
串行接口地址输入
串行接口数据输入
正RF端口
1
正RF端口
射频地
1
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS
设备，观察
你将与其他使用相同的注意事项
ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，而UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级
PE64905在10引脚2×2× 0.45毫米QFN
包MSL1 。
注1 ：引脚1-2和8-9必须绑在一起PCB上实现最佳性能。
表3.工作范围
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流（V
DD
= 2.6V)
I
DD
待机电流（V
DD
= 2.6V)
V
IH
控制电压高
V
IL
控制电压低
RF输入功率（ 50Ω ）
1
民
2.3
典型值
2.6
140
25
最大
3.6
200
3.6
0.57
+34
+32
30
30
30
单位
V
A
A
V
V
DBM
DBM
VPK
VPK
VPK
°C
°C
1.2
0
698 - 915兆赫
1710 -1910 MHz的
1.8
0
峰值工作电压RF
2
V
P
到V
M
V
P
到RFGND
V
M
到RFGND
T
OP
工作温度范围
T
ST
存储温度范围
-40
-65
+85
+150
注： 1，最大功率可从50Ω来源。脉冲射频输入，
4620 μS期间，占空比为50％ ，根据3GPP TS 45.005测量。
每个等效电路模型示意图2.定义节点电压
（图
18).
当DTC被用作反应性网络，阻抗的一部分
转化可以导致内部的RF电压（Ⅴ
P
, V
M
）超过峰值
工作电压RF甚至与指定的射频输入功率电平。为
操作高于约20 dBm的（100毫瓦） ，完整的射频电路必须
利用实际输入功率和负载情况下进行模拟，并且内部
节点电压（V
P
, V
M
in
图18）
监控，以不超过30 V峰值。
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性能图解@ 25 ℃， 2.6V ，除非另有说明
图4.测量并联C（ @ 100MHz）的VS
状态（温度）
测量并联主场迎战状态（温度）
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
电容（pF）
C（ pF）的在+ 85℃
C（ pF）的在+ 25℃
C（ pF）的在-40℃
台达C（％）在+ 85℃
德尔塔C（％）在-40℃下
图5.测量分流S
11
（大国）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-1
-2
台达C（ ％ ） ，相对于C上+ 25℃
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
状态
18
20
22
24
26
28
30
32
图6.测量步长VS
国家（频率）
1048
917
786
655
524
步长（ FF）
100兆赫
1000兆赫
2000兆赫
2500兆赫
图7.测量系列S
11
/S
22
（大国）
393
262
131
0
-131
-262
0
2
4
6
8
10
12
14
状态
16
18
20
22
24
26
28
30
32
图8.测量并联VS
频率（大国）
20.0
17.5
C0
C1
C2
C4
C8
C16
C31
图9.测量系列S
21
与频率
（大国）
15.0
12.5
电容（pF）
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
频率（GHz ）
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图10.测量分流Q VS
频率（大国）
60
Q0
图11.测量VS分流Q（状态0 ）
频率（温度）
60
Q（ C0 ）
在+ 85℃
50
45
40
35
30
25
50
Q1
Q2
Q4
50
Q（ C0 ）
在+ 25℃
-40C
Q（ C0 ）
在-40℃
+25C
三角洲Q
（％）在+ 85℃下
在+ 85℃
40
Q8
Q16
Q31
40
三角洲Q
（％）在-40℃下
在-40℃
Q
Q
30
30
20
15
德尔塔Q（ ％）相对于25℃下
20
20
10
5
10
10
0
-5
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
0
0.00
-10
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
频率[ GHz的]
频率（GHz ）
图12.测量VS分流Q（状态31 ）
频率（温度）
60
Q（ C31 ） ，在+ 85℃
75
70
65
60
在-40℃下Q值（ C 0 ）
50
55
50
45
40
Q（ C0）在+ 25℃
在+ 85℃三角洲Q（ ％ ）
40
35
30
Q
在-40℃三角洲Q（ ％ ）
30
25
20
20
15
10
5
10
0
-5
-10
0
0.00
-15
C
5
2
o
t
e
v
i
t
a
l
e
R
)
%
(
Q
a
t
l
e
D
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
频率（GHz ）
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第11个5
QQ：2881677436 复制
