产品speci fi cation
PE43702
产品说明
该PE43702是竖琴 - 增强的，高线性度， 7位RF
数字步进衰减器（ DSA ） 。这种高度灵活的DSA
占地面积0.25 dB步进一个31.75分贝衰减范围。该
百富勤50Ω射频DSA提供了串行和并行
CMOS控制接口。它保持了较高的衰减精度
在频率和温度，并显示出非常低的插入
损耗和低功耗。表现不
与Vdd的变化，由于板上稳压器。下一个
代勤DSA可在一个4x4毫米24引脚
QFN足迹。
该PE43702制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.封装类型
24引脚4x4x0.85毫米QFN封装
50
射频数字衰减器
7位， 31.75分贝， DC- 4.0 GHz的
特点
竖琴 - 增强的UltraCMOS 设备
衰减0.25 dB步进到31.75分贝
高线性度：典型+57 dBm的IIP3
出色的低频表现
3.3 V或5.0 V电源电压
快速开关稳定时间
编程模式：
直接并行
锁存并行
串行
高衰减状态@电（ PUP ）
CMOS兼容
无需隔直流电容器
封装在一个24引脚4x4x0.85毫米QFN
图2.功能示意图
RF输入
RF输出
并行控制
在串行
CLK
LE
7
控制逻辑接口
P / S
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PE43702
产品speci fi cation
表1.电气规格@ + 25 ° C，V
DD
= 3.3 V或5.0 V
参数
频带
衰减范围
插入损耗
衰减错误
回波损耗
相对相位
P1dB
IIP3
典型的伪价值
视频馈通
开关时间
RF素养/ TFALL
建立时间
50 ％的直流CTRL至10 ％ / 90 ％， RF
10％/ 90％的射频
RF解决到最终值0.05分贝。
RBW = 5兆赫，平均ON 。
所有国家
输入
两个色调在+18 dBm时， 20 MHz的间距
0分贝 - 7.75分贝衰减设置
8分贝 - 31.75分贝衰减设置
0.25分贝步骤
DC - 4 GHz的
DC - 4 GHz的
DC - 4 GHz的
DC - 4 GHz的
DC - 4 GHz的
20兆赫 - 4 GHz的
20兆赫 - 4 GHz的
1MHz
30
18
44
32
57
-110
10
650
400
4
测试条件
频率
民
典型
DC - 4
0 – 31.75
2.0
最大
单位
GHz的
dB
2.5
±(0.2
+ 3%)
±(0.3
+ 4%)
dB
dB
dB
dB
度
DBM
DBM
DBM
mVpp的
ns
ns
s
性能曲线
图3. 0.25分贝步骤错误与频率的关系*
200MHz
2200MHz
0.7
0.6
900MHz
3000MHz
1800MHz
4000MHz
图4. 0.25分贝衰减与衰减状态
PE43702衰减
35
30
900兆赫
2200兆赫
3800兆赫
dB的衰减
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
0.5
步骤错误（分贝）。
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
衰减设置（分贝）。
*单调举行，只要步误差不跨越零点
衰减状态
图5. 0.25分贝国家重点误码
0.25分贝国家
4分贝国家
0.5分贝国家
8分贝国家
1分贝国家
16分贝国家
2分贝国家
31.75分贝国家
图6. 0.25分贝衰减误差与频率的关系
200MHz
2
1.5
错误的衰减（分贝）。
1
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
0
5
10
15
20
25
30
35
衰减设置（分贝）。
2200MHz
3000MHz
4000MHz
2.00
1.50
1.00
位误差（分贝）。
0.50
0.00
-0.50
-1.00
-1.50
-2.00
0.0
1.0
2.0
频率（GHz ）
3.0
4.0
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE43702
产品speci fi cation
图7.插入损耗与温度的关系
-40C
0
-0.5
+25C
+85C
图8.输入回波损耗与衰减
@ T = + 25℃
0dB
0.25dB
8dB
0.5dB
16dB
1dB
31.75dB
2dB
0
-5
输入回波损耗（分贝）。
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
4dB
-1
Insertin_Loss （分贝）。
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
频率（GHz ）。
-40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
频率（GHz ）。
图9.输出回波损耗与衰减
@ T = + 25℃
0dB
4dB
0
-5
-10
图10.相对相位与频率的关系
0dB
4dB
0.25dB
8dB
0.5dB
16dB
1dB
31.75dB
2dB
0.25dB
8dB
0.5dB
16dB
1dB
31.75dB
2dB
140
相对相位误差（度）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）。
回波损耗（分贝）。
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
频率（GHz ）。
图11.衰减误差与温度的关系
@ 4GHz的
-40C
2
1.5
错误的衰减（分贝）。
+25C
+85C
图12.输入IP3与频率的关系
0dB
4dB
0.25dB
8dB
0.5dB
16dB
1dB
31.75dB
2dB
70
65
输入IP3 （ dBm的。 ）
60
55
50
45
40
35
30
0
5
10
15
20
25
30
35
1
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
衰减设置（分贝）。
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500
FRE阙NCY （M赫兹）
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PE43702
产品speci fi cation
图13.引脚配置（顶视图）
C 0.5
C16
C1
C2
C4
C8
表3.工作范围
参数
V
DD
电源电压
民
3.0
典型值
3.3
5.0
50
2.6
5.5
350
5.5
图。 14
+23
-40
0
25
85
1
15
最大
单位
V
V
A
V
DBM
DBM
°C
V
A
24
23
22
21
20
19
C0.25
VDD
P / S
GND
RF1
GND
1
2
3
4
5
6
10
11
12
7
8
9
18
17
SI
CLK
LE
GND
RF2
GND
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
数字输入高
P
IN
输入功率（ 50Ω ） ：
1赫兹
≤
20兆赫
20兆赫
≤
4 GHz的
T
OP
工作温度范围
数字输入低电平
数字输入泄漏
1
注意：每个控制引脚1输入漏电流
裸露
SOLDER
PAD
16
15
14
13
GND
GND
GND
GND
GND
表2.引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6 - 13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
桨
GND
引脚名称
C0.25
V
DD
P / S
GND
RF1
GND
RF2
GND
LE
CLK
SI
C16
C8
C4
C2
C1
C0.5
GND
描述
衰减控制位， 0.25分贝
电源引脚
串行/并行模式选择
地
RF1端口
地
RF2端口
地
锁存使能输入
串行接口的时钟输入
串行接口输入
衰减控制位， 16分贝
衰减控制位， 8分贝
衰减控制位， 4分贝
衰减控制位， 2分贝
衰减控制位， 1分贝
衰减控制位，0.5分贝
地正确操作
表4.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
ST
P
IN
V
ESD
参数/条件
电源电压
在任何数字输入电压
存储温度范围
输入功率（ 50Ω ）
1赫兹
≤
20兆赫
20兆赫
≤
4 GHz的
电压ESD （HBM ）
1
ESD电压（机器型号）
民
-0.3
-0.3
-65
最大
6.0
5.8
150
图。 14
+23
500
100
单位
V
V
°C
DBM
DBM
V
V
注： 1。人体模型（ HBM ， MIL_STD 883方法3015.7 ）
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应仅限于
在操作的限制范围表。手术
工作范围最大和绝对值之间
最长时间可能会降低可靠性。
图14.最大功率处理能力
30.0
25.0
裸露焊盘连接
dBm的脚
20.0
15.0
10.0
在封装的底面露出的焊盘
必须接地的器件正常工作。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级PE43702中
24引脚4×4 QFN封装是MSL1 。
5.0
0.0
1.0E+03
1.0E+04
1.0E+05
1.0E+06
Hz
1.0E+07
1.0E+08
1.0E+09
开关频率
该PE43702具有最大25 kHz的开关频率。
交换率被定义为所述速度而
DSA可以在衰减状态进行切换。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 设备，观察
你将与其他使用相同的ESD防范措施
敏感的设备。虽然这个装置包含
电路，以保护其免受损坏，由于ESD ，
应采取预防措施，以避免超过
规定的额定值。
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
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第11 4
PE43702
产品speci fi cation
表5.控制电压
状态
低
高
偏置条件
0至+1.0伏在2
A
（典型值）
2.6至+5 VDC 10
A
（典型值）
表9.串行衰减字真值表
衰减字
D7
X
X
D6
L
L
L
L
L
L
L
H
H
D5
L
L
L
L
L
L
H
L
H
D4
L
L
L
L
L
H
L
L
H
D3
L
L
L
L
H
L
L
L
H
D2
L
L
L
H
L
L
L
L
H
D1
L
L
H
L
L
L
L
L
H
D0
（ LSB ）
L
H
L
L
L
L
L
L
H
衰减
环境
RF1-RF2
参考I.L.
0.25分贝
0.5分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31.75分贝
表6.锁存器和时钟规格
LATCH ENABLE
0
↑
X
X
X
X
X
X
移位时钟
↑
X
功能
移位寄存器时钟控制
移位寄存器的内容
转移到衰减器的核心
表7.平行真值表
并行控制设置
D6
L
L
L
L
L
L
L
H
H
X
D5
L
L
L
L
L
L
H
L
H
D4
L
L
L
L
L
H
L
L
H
D3
L
L
L
L
H
L
L
L
H
D2
L
L
L
H
L
L
L
L
H
D1
L
L
H
L
L
L
L
L
H
D0
L
H
L
L
L
L
L
L
H
衰减
环境
RF1-RF2
参考I.L.
0.25分贝
0.5分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31.75分贝
表8.串行寄存器映射
MSB （后入）
Q7
D7
Q6
D6
Q5
D5
Q4
D4
Q3
D3
Q2
D2
LSB （第一）
Q1
D1
Q0
D0
比特可以被设置为逻辑高或逻辑低
衰减字
衰减字被从衰减值直接导出。例如，编程12.5分贝状态：
衰减字：乘以4 ，并转换为二进制
→
4 * 12.5分贝
→
50
→
X0110010
串行输入： X0110010
文档编号70-0244-03
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www.psemi.com
2008-2009 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11个5
QQ：2880707522 复制
