产品speci fi cation
PE42540
产品说明
该PE42540是竖琴技术的增强型
在发达的UltraCMOS吸收SP4T射频开关
工艺技术。这个开关是专门设计
支持测试设备的要求，并
ATE市场。它是由四个对称的RF端口
并且具有非常高的隔离度。片上CMOS解码
逻辑方便了两针低压CMOS控制
接口和一个可选的外部Vss的功能。高
ESD耐受性，无隔直电容的要求
使这个极致的集成和耐用性。
该PE42540是在百富勤的制造
的UltraCMOS
过程中，一个专利的变体硅导通
绝缘体（SOI）技术，在蓝宝石衬底上，
提供与经济的GaAs的性能
整合传统的CMOS 。
的UltraCMOS
SP4T射频开关
10赫兹 - 8 GHz的吸收
特点
竖琴技术增强
快速建立时间
消除栅极与相位滞后
在插入损耗和相位无漂移
高线性度： 58 dBm的IIP3
低插入损耗为0.8 dB的3千兆赫，
1.0分贝@ 6 GHz和1.2分贝@ 8 GHz的
高隔离度45 dB的3千兆赫，
39分贝@ 6 GHz的31 dB的8 GHz的
最大承受功率： 30 dBm的@
8 GHz的
吸收式开关设计
2kV的HBM对RFC高ESD耐受性
而千伏HBM上的所有其他引脚
图1.功能框图
RFC
图2.封装类型
32引脚5×5毫米LGA
RF1
ESD
ESD
RF2
50
50
RF3
ESD
ESD
RF4
50
CMOS控制/
驱动器和ESD
50
V
DD
V1
V2
VSS
EXT
71-0067
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PE42540
产品speci fi cation
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3.3V ， Vss的
EXT
= 0V （Z
S
= Z
L
= 50)
参数
工作频率
10 Hz至9千赫
3000兆赫
6000兆赫
7500兆赫
8000兆赫
10 Hz至9千赫
3000兆赫
6000兆赫
7500兆赫
8000兆赫
10 Hz至9千赫
3000兆赫
6000兆赫
7500兆赫
8000兆赫
10 Hz至9千赫
3000兆赫
6000兆赫
7500兆赫
8000兆赫
10 Hz至9千赫
3000兆赫
6000兆赫
7500兆赫
8000兆赫
50％的CTRL键0.05分贝终值（ -40至85°C ）
上升沿
50％的CTRL键0.05分贝终值（ -40至85°C ）
下降沿
50％ CTRL ％至90％或10％的射频
所有带@ 1 ：1的VSWR ， 100％占空比
8000兆赫
8000兆赫
31
70
40
34
27
25
74
40
28
24
21
条件
民
10赫兹
1
0.7
0.8
1.0
1.1
1.2
80
45
39
32
31
84
45
33
29
27
24
23
18
14
13
35
18
13
11
10
14
15
5
33
58
100
18
45
8
典型值
最大
8 GHz的
1.0
1.1
1.3
1.5
1.6
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
μs
μs
μs
DBM
DBM
DBM
单位
RFC - RFX插入损耗
RFX- RFX隔离
RFC- RFX隔离
回波损耗（ RFC到活动端口）
回波损耗（终止端口）
建立时间
切换时间（T
SW
)
P1dB
1
输入1 dB压缩
RFX- RFC
输入IP3
输入IP2
注1 ：最大工作引脚（ 50Ω ）所示
表3中。
请参阅
图4，图5 ，
和
6
操作部分在低频时
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的UltraCMOS
RFIC解决方案
PE42540
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图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
VSS
EXT
GND
GND
GND
GND
V1
V
DD
V2
表3.工作范围
参数
V
DD
电源电压
VSS
EXT
负电源
电压
1
ISS负电源电流
I
DD
电源电流
V
DD
= 3.3V ， Vss的
EXT
= 0V,
温度= 85°C
I
DD
电源电流
V
DD
= 3.6V ， Vss的
EXT
二手
V
CTRL
控制电压高
V
CTRL
控制电压低
I
CTRL
控制电流
P
IN
直通路径
2
（ 50Ω ，射频功率的）
在9 kHz - 8 GHz的
P
最大
最大功率为终止
(50)
9千赫
≤
6兆赫
2,3
6兆赫 - 8 GHz的
2,3
P
最大
最大功率，热切换（ 50Ω ）
9千赫
≤
6兆赫
2,3
6兆赫 - 8 GHz的
2,3
T
OP
工作温度范围
注意事项：
民
3.0
-3.6
典型值
3.3
-3.3
-10
90
最大
3.55
-3.0
-40
160
50
单位
V
V
A
A
A
V
V
A
1.2
0
1.5
0
V
DD
0.4
1
无花果。
4,5,6
无花果。
4,5,6
20
无花果。
4,5,6
20
GND
GND
GND
GND
GND
RFC
GND
GND
表2.引脚说明
针＃
1, 3-6, 8,
9-12, 14-17,
19-22, 24-26,
28, 32
2
7
13
18
23
27
29
30
31
桨
注意事项：
DBM
引脚名称
描述
DBM
°C
GND
地
-40
+85
RF4
2
RF I / O
RF I / O
射频共
RF I / O
RF I / O
供应
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
外部VSS负电压
控制
裸露焊盘：接地
正确操作
RF2
2
RFC
2
RF1
2
RF3
2
V
DD
V1
V2
VSS
EXT1
GND
1.只适用于外接VSS电源使用。否则，
VSS
EXT
= 0
2. 100％占空比（ -40+ 85 ℃， 1： 1的VSWR ）
3.不要超过20 dBm的
1.使用VSS
EXT
（引脚31和VSS
EXT
= -V
DD
），以绕过和禁用内部
负电压发生器。在VSS
EXT
（引脚31 ）到GND
（ VSS
EXT
= 0V ），以使内部负电压发生器
2.所有RF引脚必须阻止直流通过外部串联电容
或保持为0 VDC
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产品speci fi cation
表4.绝对最大额定值
参数/条件
T
ST
存储温度范围
V
DD
电源电压
V
CTRL
控制电压V1和V2
P
IN
通径（ 50Ω ，射频功率的）
在9 kHz - 8 GHz的
P
最大
最大功率为终止（ 50Ω ）
9千赫
≤
6兆赫
1
6兆赫 - 8 GHz的
V
ESD
ESD HBM电压
RFC
所有引脚
2
开关频率
最大
+150
4
4
无花果。
4,5,6
无花果。
4,5,6
20
2000
1000
100
单位
°C
V
V
民
-60
-0.3
该PE42540具有最大25 kHz的开关
率时，内部负电压发生器
被使用（销31 = GND）。的速率的
PE42540可以切换为仅限定于
切换时间（表
1)
如果一个外部负
供给于（销31 = Vss的设置
EXT
).
可选的外部滑模变结构控制（VSS
EXT
)
DBM
V
V
V
V
ESD
ESD电压的MM ，所有引脚
3
注意事项： 1，不要超过20 dBm的
2. HBM ， MIL -STD 883方法3015.7
3. MM JEDEC JESD22 - A115 -A
对于正确的操作，在VSS
EXT
控制引脚必须
接地或连接到指定的VSS电压
in
表3中。
当在VSS
EXT
控制引脚
接地，在所述开关的FET偏置用
内部电压发生器。对于应用程序
需要尽可能低的杂散性能
VSS
EXT
可以从外部施加到旁路
内部负电压发生器。
杂散性能
该PE42540的典型杂散性能
是时-144 dBm的Vss的
EXT
= 0V （引脚31 = GND）。如果
进一步的改进是所希望的，内部
负电压发生器可以由被禁用
Vss的设置
EXT
= -V
DD
.
表5.真值表
状态
RF1上
RF2上
RF3上
RF4上
V1
0
1
0
1
V2
0
0
1
1
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应
仅限于限制在工作范围
表。工作范围的操作
最高和绝对最大的扩展
期间可能会降低可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS
设备，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，而UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级
PE42540在32引脚5×5毫米LGA封装是
MSL3.
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低频运行
表6
示出了最小和最大
在操作设备时的电压限制
各种V
DD
和Vss
EXT
以下电压等级的条件
9千赫。请参阅
图4，图5 ，
和
6
确定
的最大工作功率在频率
范围的装置。
表6.瞬时RF引脚的电压限制
运行下面为9 kHz
V
DD
≥
3.0
3.0
3.3
3.5
3.6
VSS
EXT
0.0
-3.0
-3.3
-3.5
-3.6
最小峰值
电压RF端口
-0.2
-0.6
-0.3
-0.1
0.0
最大峰值
电压RF端口
1.2
1.6
1.3
1.1
1.0
最大工作功率与频率的关系
图4，图5 ，
和
6
显示的功率限制
设备会随着频率而增加。作为
频率增加时，轮廓和最大
功率上限将增加如图中曲线。
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