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EID1414A1-8
已更新07/12/2007
14.00-14.50 GHz的8瓦内部匹配功率FET
特点
14.00-14.50 GHz的带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩39.5 dBm的输出功率
6.5分贝功率增益1dB压缩
27 %的功率附加效率
全封闭金属法兰包装
100 %测试DC, RF ,和R
TH
描述
该EID1414A1-8是一款高功率,高线性,
在一个凸缘的单级MFET放大器安装
封装。该放大器具有Excelics独特
PHEMT晶体管技术。
注意! ESD敏感器件。
电气特性(T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
G
PAE
Id
1dB
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 14.00-14.50GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
2200mA
增益1dB压缩
F = 14.00-14.50GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
2200mA
增益平坦度
F = 14.00-14.50GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
2200mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 14.00-14.50GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
2200mA
漏电流在1dB压缩F = 14.00-14.50GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
2
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V,I
DS
= 40毫安
38.5
5.5
典型值
39.5
6.5
±0.6
27
2800
4200
-1.2
3.5
3600
5760
-2.5
4.0
o
最大
单位
DBM
dB
dB
%
mA
mA
V
C / W
注意事项:
1.测试与100欧姆的栅极电阻。
2.总体的Rth取决于安装的情况下。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道,桑尼维尔,CA 94085
电话: 408-737-1711传真: 408-737-1868网址:
www.excelics.com
第1页4
修订后的2007年7月
EID1414A1-8
已更新07/12/2007
14.00-14.50 GHz的8瓦内部匹配功率FET
特征
价值
10 V
-4.5 V
IDSS
80毫安
@ 3分贝压缩
35 W
150°C
-65/+150°C
绝对最大额定值为连续运行
1,2
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GSF
P
IN
P
T
T
CH
T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
总功耗
通道温度
储存温度
注意事项:
1.操作设备超出上述任何收视率可能会导致永久性的损坏或减少MTTF的。
2.偏置条件也必须满足下面的等式P
T
< (T
CH
–T
PKG
)/R
TH
;其中t
PKG
包=温度,并
P
T
= (V
DS
* I
DS
) – (P
OUT
– P
IN
).
性能数据
典型的S参数(T = 25℃ , 50Ω系统,解嵌入到封装的边缘)
V
DS
= 10 V,I
DSQ
2200mA
S11和S22
0.
6
SWP最大
15GHz
2.
0
0.8
20
S21和S12
1.0
-1.0
-0.8
-0
.6
-3
.0
-4
- 5.
0 .2
.0
-10.
0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.4
.0
S[2,2] *
EID1414-8
.6
0.
-0
6
-0.8
0.
4
-2
-1.0
频率
(千兆赫)
--- S11 ---
MAG
13.60
13.70
13.80
13.90
14.00
14.10
14.20
14.30
14.40
14.50
14.60
14.70
14.80
14.90
0.4077
0.3666
0.3254
0.2798
0.2373
0.1971
0.1656
0.1424
0.1325
0.1346
0.1456
0.1612
0.1724
0.1832
-145.55
-155.39
-166.06
-178.28
168.69
152.39
132.83
109.53
86.10
61.35
41.09
23.89
9.26
-3.80
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道,桑尼维尔,CA 94085
电话: 408-737-1711传真: 408-737-1868网址:
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-3
.
0
S[1,1] *
EID1414-8
SWP敏
13.5GHz
- 5.
-4
0
.0
3.
0
4.
5 .0
- 0.
2
0. 2
--- S21 ---
MAG
-10.
-0.
0
5 .0
2
S21和12 (分贝)
0
-0
-2
.0
.4
0.
4
3.
0
10
4.
0
10 .0
0
-10
DB ( | S [ 2,1 ] | ) *
EID1414-8
DB( | S [1,2] | ) *
EID1414-8
10.0
0
10.0
5.0
4.0
2.
0
3.0
2.0
1.0
1.0
0.8
0.6
0.8
0.4
0.2
2.5516
2.6444
2.6910
2.7499
2.7742
2.7890
2.7922
2.7801
2.7470
2.7206
2.6903
2.6450
2.5955
2.5416
0
-20
-30
13.5
14
频率(GHz )
14.5
15
--- S12 ---
MAG
--- S22 ---
MAG
132.84
123.30
114.68
104.97
95.48
86.00
76.30
66.44
57.12
47.94
38.72
29.91
20.97
12.02
0.0504
0.0528
0.0542
0.0560
0.0561
0.0580
0.0610
0.0601
0.0615
0.0610
0.0610
0.0606
0.0602
0.0587
118.29
105.14
97.21
87.14
76.29
65.56
55.52
46.74
37.32
27.10
15.70
5.80
-2.53
-14.26
0.4354
0.3997
0.3624
0.3259
0.2990
0.2760
0.2647
0.2660
0.2747
0.2865
0.3018
0.3201
0.3389
0.3527
159.24
149.67
138.73
126.21
111.82
96.10
80.39
63.22
48.13
35.06
23.52
13.11
4.09
-4.26
第2页4
修订后的2007年7月
EID1414A1-8
已更新07/12/2007
14.00-14.50 GHz的8瓦内部匹配功率FET
功率降容曲线
功耗与温度的关系
40
35
总功耗( W)
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
外壳温度( ° C)
125
150
安全工作
地区
潜在的不安全
工作区
典型的电力数据(V
DS
= 10 V,I
DSQ
= 2200毫安)
42
41
P- 1分贝( DBM)
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
11
10
9
8
7
G- 1分贝(分贝)
40
39
38
P- 1分贝( DBM)
37
13.6
13.8
14.0
14.2
G- 1分贝(分贝)
14.4
6
14.6
频率(GHz )
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已更新07/12/2007
14.00-14.50 GHz的8瓦内部匹配功率FET
包装外形
除非另有规定尺寸以英寸,公差+ 0.005
来源
.060 MIN 。
Excelics
EID1414A1-8
.060 MIN 。
.650±.008 .512
.319
YYWW
SN
.094
.382
.022
.045
.004
.070 ±.008
.129
以英寸所有尺寸
订购信息
产品型号
GRADE
1
f
TEST
(千兆赫)
P
1dB
(分钟)
EID1414A1-8
注意事项:
产业
14.00-14.50 GHz的
38.5
1.联系工厂用于军事和高可靠性等级。
2,精确的测试条件中的“电气特性”表中指定。
放弃
EXCELICS半导体保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 EXCELICS不承担任何
责任因任何产品或电路此处所述的应用或使用。
生命支持政策
EXCELICS半导体产品未被授权用于生命中的关键部件
支持设备或系统,而无需EXCELICS半导体的明确书面批准,
INC AS在这里:
1.生命支持设备或系统指:( a)打算通过外科手术移植到设备或系统
体,或(b )支持或维持生命,或(c )其不履行时,按照正常使用
在标签规定的使用说明,可以合理预期造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统,其不履行可以是任何组件
合理预期造成生命支持设备或系统的故障,或者影响其安全性或
效用
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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