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EIC8596-2
已更新2007年7月25日
8.50-9.60 GHz的2瓦内部匹配功率FET
特点
8.50-9.60GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩33.5 dBm的输出功率
8.0分贝功率增益1dB压缩
30 %的功率附加效率
-46 dBc的IM3在PO = 22.5 dBm的SCL
100 %测试DC, RF ,和R
TH
电气特性(T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
注意事项:
1.
2.
3.
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
550mA
增益1dB压缩
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
550mA
增益平坦度
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
550mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
550mA
漏电流在1dB压缩
F = 8.50-9.60GHz
输出3阶互调失真
f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 22.5 dBm的S.C.L
2
V
DS
= 10 V,I
DSQ
65%的智能决策支持系统
F = 9.60GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
3
经测试,100欧姆的栅极电阻。
S.C.L. =单载波电平。
总体的Rth取决于安装的情况下。
32.5
7.0
典型值
33.5
8.0
±0.6
30
600
最大
单位
DBM
dB
+ 0.8
dB
%
700
mA
dBc的
-43
-46
1000
-2.5
11
1250
-4.0
12
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V,I
DS
= 10毫安
mA
V
o
C / W
最大的在25
°C
1,2
符号
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
15
-5
21.6mA
-3.6mA
32.5dBm
175
o
C
-65到+175
o
C
12.5W
连续
2
10V
-4V
7.2mA
-1.2mA
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65到+175
o
C
12.5W
VDS
VGS
Igsf
Igsr
总胆固醇
TSTG
Pt
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道,桑尼维尔,CA 94085
电话: 408-737-1711传真: 408-737-1868网址:
www.excelics.com
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修订后的2007年7月
EIC8596-2
已更新2007年7月25日
8.50-9.60 GHz的2瓦内部匹配功率FET
封装外形
除非另有规定尺寸以英寸,公差+ 0.005
EIC8596-2 (密封)
EIC8596-2NH (非气密性)
Excelics
EIC8596-2
Excelics
EIC8596-2NH
YYWW
YYWW
以英寸所有尺寸
以英寸所有尺寸
注意! ESD敏感器件。
注意! ESD敏感器件。
订购信息
产品型号
EIC8596-2
EIC8596-2NH
注意事项:
套餐
密闭
非密封
GRADE
1
产业
产业
f
TEST
(千兆赫)
8.50-9.60GHz
8.50-9.60GHz
P
1dB
(分钟)
32.5
32.5
IM
3
(分钟)
2
-43
-43
1.联系工厂用于军事和高可靠性等级。
2,精确的测试条件中的“电气特性”表中指定。
放弃
EXCELICS半导体保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 EXCELICS不承担任何
责任因任何产品或电路此处所述的应用或使用。
生命支持政策
EXCELICS半导体产品未被授权用于生命中的关键部件
支持设备或系统,而无需EXCELICS半导体的明确书面批准,
INC AS在这里:
1.生命支持设备或系统指:( a)打算通过外科手术移植到设备或系统
体,或(b )支持或维持生命,或(c )其不履行时,按照正常使用
在标签规定的使用说明,可以合理预期造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统,其不履行可以是任何组件
合理预期造成生命支持设备或系统的故障,或者影响其安全性或
效用
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修订后的2007年7月
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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