EIC7785-4
已更新2007年8月21日
7.70-8.50GHz
4瓦内部匹配功率FET
特点
7.70-8.50GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩36.5 dBm的输出功率
8.5分贝功率增益1dB压缩
34 ％的功率附加效率
-46 dBc的IM3在PO = 25.5 dBm的SCL
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 7.70-8.50GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益1dB压缩
F = 7.70-8.50GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益平坦度
F = 7.70-8.50GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
F = 7.70-8.50GHz
漏电流在1dB压缩F = 7.70-8.50GHz
输出3阶互调失真
f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 25.5 dBm的S.C.L
2
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
F = 8.50GHz
饱和漏极电流
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
捏-O FF电压
热阻
3
V
DS
= 3 V，I
DS
= 20毫安
注意！ ESD敏感器件。
民
35.5
7.5
典型值
36.5
8.5
±0.6
34
1100
-43
-46
2000
-2.5
5.5
2500
-4.0
6.0
o
最大
单位
DBM
dB
dB
%
1300
mA
dBc的
mA
V
C / W
注： 1。测试与100欧姆的栅极电阻。
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定EFE
符号
参数
绝对
1
15V
-5V
48mA
-9.6mA
36dBm
175C
-65℃至+ 175℃
25W
连续
2
10V
-4V
14.4mA
-2.4mA
@ 3分贝压缩
175C
-65℃至+ 175℃
25W
VDS
VGS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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4瓦内部匹配功率FET
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
S11和S22
6
0.
SWP最大
8.7GHz
2.
0
1.0
20
S21和S12
0. 8
5. 0
0. 2
S21和S12 （ dB）的
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
.4
-0
-0 .8
S[2,2]
EIC7785-4
-1.0
.0
-2
-0
.6
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
7.5
7.6
7.7
7.8
7.9
8
8.1
8.2
8.3
8.4
8.5
8.6
8.7
0.6034
0.5516
0.4935
0.4264
0.3594
0.29
0.2323
0.1942
0.1858
0.2013
0.2311
0.2635
0.2953
-149.14
-159.75
-172.49
173.09
156.04
135.54
109.56
77.04
42.24
9.94
-14.73
-35.41
-51.98
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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-3
.0
S[1,1]
EIC7785-4
2.6409
2.7534
2.8842
2.9901
3.0911
3.152
3.1785
3.1614
3.0973
3.0181
2.9014
2.7724
2.6626
-4
.0
-5 .
0
2
-0 .
SWP敏
7.5GHz
MAG
-10.0
0.
4
0
3.
10
0
4.
0
DB(|S[2,1]|)
EIC7785-4
DB(|S[1,2]|)
EIC7785-4
10 .0
-10
-20
-30
7.5
7.8
8.1
频率（GHz ）
8.4
8.7
--- S21 ---
昂
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
-81.54
-93.4
-105.71
-118.6
-132.17
-146.09
-159.96
-174.31
171.66
157.94
144.33
131.4
119.31
0.0862
0.0948
0.1006
0.1076
0.1154
0.1203
0.1233
0.1262
0.1277
0.1256
0.1242
0.1232
0.1178
-138.31
-149.69
-161.26
-174.38
172.85
159.84
146.34
132.54
118.21
105.29
92.6
79.73
66.75
0.5314
0.5287
0.5183
0.5005
0.4752
0.4444
0.4117
0.3812
0.3633
0.3511
0.3517
0.3594
0.3726
32.49
20.36
7.57
-6.22
-21.19
-37.73
-56.07
-75.72
-96.19
-117.08
-137.38
-155.44
-171.45
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4瓦内部匹配功率FET
功率降容曲线和IM3定义
功耗与温度的关系
30
三阶
截取点IP3
25
总功耗（ W）
潜在的不安全
工作区
IP
3
=噘+ IM3 / 2
F1或F2
20
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
噘
针
IM3
15
安全工作
地区
10
IM3
f1 f2
(2f1-f2) f1 f2 (2f2-f1)
5
（ 2F2 - 为f1 ）或（ 2F1 - f2）上
0
0
25
50
75
100
125
外壳温度（ ° C）
150
175
销[ S.C.L. ] （ DBM）
典型的电力数据（V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 1100毫安）
38
37
典型的IM3数据（V
DS
= 10 V,
I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
)
12
11
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
IM3与输出功率
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
20
21
22
23
F1 = 8.50千兆赫， F2 = 8.51 GHz的
P- 1分贝（ DBM）
G- 1分贝（分贝）
36
35
34
P- 1分贝（ DBM）
33
7.6
7.8
8.0
8.2
8.4
8.6
G- 1分贝（分贝）
10
9
8
7
IM3 （ DBC）
IM3 （ DBC）
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
频率（GHz ）
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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4瓦内部匹配功率FET
封装外形
除非另有规定尺寸以英寸，公差+ 0.005
EIC7785-4 （密封）
EIC7785-4NH （非气密性）
Excelics
EIC7785-4
.827±.010 .669
0.120敏
.024
.421
Excelics
EIC7785-4NH
YYWW
SN
0.120敏
YYWW
SN
.125
.508±.008
.442
.168±.010
以英寸所有尺寸
.004
.063
.004
.105±.008
以英寸所有尺寸
注意！ ESD敏感器件。
注意！ ESD敏感器件。
订购信息
产品型号
EIC7785-4
EIC7785-4NH
注意事项：
套餐
密闭
非密封
GRADE
1
产业
产业
f
TEST
（千兆赫）
7.70-8.50GHz
7.70-8.50GHz
P
1dB
（分钟）
35.5
35.5
IM
3
（分钟）
2
-43
-43
1.联系工厂用于军事和高可靠性等级。
2，精确的测试条件中的“电气特性”表中指定。
放弃
EXCELICS半导体保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 EXCELICS不承担任何
责任因任何产品或电路此处所述的应用或使用。
生命支持政策
EXCELICS半导体产品未被授权用于生命中的关键部件
支持设备或系统，而无需EXCELICS半导体的明确书面批准，
INC AS在这里：
1.生命支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到设备或系统
体，或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以是任何组件
合理预期造成生命支持设备或系统的故障，或者影响其安全性或
效用
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