EIC6472-4
已更新2007年8月21日
6.40-7.20GHz 4瓦内部匹配功率FET
特点
6.40-7.20GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩36.5 dBm的输出功率
9.5分贝功率增益1dB压缩
36 ％的功率附加效率
-46 dBc的IM3在PO = 25.5 dBm的SCL
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 6.40-7.20GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益1dB压缩
F = 6.40-7.20GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益平坦度
F = 6.40-7.20GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
F = 6.40-7.20GHz
漏电流在1dB压缩F = 6.40-7.20GHz
输出3阶互调失真
f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 25.5 dBm的S.C.L
2
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
F = 7.20GHz
饱和漏极电流
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
捏-O FF电压
热阻
3
V
DS
= 3 V，I
DS
= 20毫安
注意！ ESD敏感器件。
民
35.5
8.5
典型值
36.5
9.5
±0.6
36
1100
-43
-46
2000
-2.5
5.5
2500
-4.0
6.0
o
最大
单位
DBM
dB
dB
%
1300
mA
dBc的
mA
V
C / W
注： 1。测试与100欧姆的栅极电阻。
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定EFE
符号
参数
绝对
1
15V
-5V
48mA
-9.6mA
36dBm
175C
-65℃至+ 175℃
25W
连续
2
10V
-4V
14.4mA
-2.4mA
@ 3分贝压缩
175C
-65℃至+ 175℃
25W
VDS
VGS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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6.40-7.20GHz 4瓦内部匹配功率FET
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
S11和S22
0.
6
SWP最大
7.4GHz
2.
0
0 .8
1.0
20
S21和S12
5 .0
S21和S12 （ dB）的
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.4
.0
S[1,1]
EIC6472-4
.6
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
-1.0
S[2,2]
EIC6472-4
-0
-2
SWP敏
6.2GHz
-0.8
MAG
6.0
6.2
6.4
6.6
6.8
7.0
7.2
7.4
7.6
7.8
8.0
0.7446
0.6564
0.5197
0.3381
0.1334
0.1434
0.3102
0.4488
0.5418
0.5851
0.6041
-102.56
-122.03
-144.79
-172.19
137.99
8.46
-35.87
-63.26
-88.96
-112.49
-135.73
2.6955
3.0007
3.2845
3.4917
3.545
3.3891
3.1032
2.7841
2.4831
2.1721
1.8779
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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- 5.
0
2
- 0.
-1 0.0
-4
.0
-3
.0
0.
4
3.
0
10
4.
0
0 .2
0
10.0
-10
DB(|S[2,1]|)
EIC6472-4
DB(|S[1,2]|)
EIC6472-4
-20
-30
6.2
6.7
频率（GHz ）
7.2
7.4
--- S21 ---
昂
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
-4.96
-31.42
-59.46
-89.7
-121.42
-152.94
176.54
148.43
120.54
93.7
68.06
0.0623
0.0778
0.091
0.1042
0.1132
0.1165
0.1127
0.1073
0.0965
0.0875
0.0765
-61.34
-87.4
-116.15
-146.01
-176.76
153.37
123.35
94.96
66.98
40.86
17.11
0.4238
0.4753
0.5273
0.5579
0.5493
0.4955
0.4145
0.3577
0.3552
0.4007
0.4693
127.4
93.04
59.7
26.43
-6.3
-38.82
-72.21
-108.03
-148.1
176.95
151.21
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功率降容曲线和IM3定义
功耗与温度的关系
30
三阶
截取点IP3
25
总功耗（ W）
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
20
潜在的不安全
工作区
IP
3
=噘+ IM3 / 2
F1或F2
噘
针
IM3
15
安全工作
地区
10
IM3
f1 f2
(2f1-f2) f1 f2 (2f2-f1)
5
（ 2F2 - 为f1 ）或（ 2F1 - f2）上
0
0
25
50
75
100
125
外壳温度（ ° C）
150
175
销[ S.C.L. ] （ DBM）
典型的电力数据（V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 1100毫安）
38
37
P- 1分贝（ DBM）
典型的IM3数据（V
DS
= 10 V,
I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
)
IM3与输出功率
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
19
20
21
22
F1 = 7.20千兆赫， F2 = 7.21 GHz的
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
13
12
11
10
9
36
35
34
P- 1分贝（ DBM）
33
6.2
6.4
6.6
6.8
频率（GHz ）
IM3 （ DBC）
G- 1分贝（分贝）
G- 1分贝（分贝）
8
7.2
7.4
IM3 （ DBC）
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
7.0
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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封装外形
除非另有规定尺寸以英寸，公差+ 0.005
EIC6472-4 （密封）
EIC6472-4NH （非气密性）
Excelics
EIC6472-4
.827±.010 .669
0.120敏
.024
.421
Excelics
EIC6472-4NH
YYWW
SN
0.120敏
YYWW
SN
.125
.508±.008
.442
.168±.010
以英寸所有尺寸
.004
.063
.004
.105±.008
以英寸所有尺寸
注意！ ESD敏感器件。
注意！ ESD敏感器件。
订购信息
产品型号
EIC6472-4
EIC6472-4NH
注意事项：
套餐
密闭
非密封
GRADE
1
产业
产业
f
TEST
（千兆赫）
6.40-7.20GHz
6.40-7.20GHz
P
1dB
（分钟）
35.5
35.5
IM
3
（分钟）
2
-43
-43
1.联系工厂用于军事和高可靠性等级。
2，精确的测试条件中的“电气特性”表中指定。
放弃
EXCELICS半导体保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 EXCELICS不承担任何
责任因任何产品或电路此处所述的应用或使用。
生命支持政策
EXCELICS半导体产品未被授权用于生命中的关键部件
支持设备或系统，而无需EXCELICS半导体的明确书面批准，
INC AS在这里：
1.生命支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到设备或系统
体，或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以是任何组件
合理预期造成生命支持设备或系统的故障，或者影响其安全性或
效用
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