EIC4450-8
已更新2007年8月21日
4.40-5.00GHz 8瓦内部匹配功率场效应管
特点
4.40-5.00GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩39.5 dBm的输出功率
10.5分贝功率增益1dB压缩
35 ％的功率附加效率
-46 dBc的IM3宝= 28.5 dBm的SCL
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 4.4-5.0GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
增益1dB压缩
F = 4.4-5.0GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
增益平坦度
F = 4.4-5.0GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 4.4-5.0GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
漏电流在1dB压缩F = 4.4-5.0GHz
输出3阶互调失真
f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 28.5 dBm的S.C.L
2
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
F = 5.0GHz的
饱和漏极电流
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
捏-O FF电压
V
DS
= 3 V，I
DS
= 40毫安
3
热阻
注意！ ESD敏感器件。
民
38.5
9.5
典型值
39.5
10.5
±0.6
35
2300
-43
-46
4000
-2.5
3.5
5000
-4.0
4.0
2600
最大
单位
DBM
dB
dB
%
mA
dBc的
mA
V
o
C / W
注： 1。测试与100欧姆的栅极电阻。
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定EFE
符号
参数
绝对
1
15V
-5V
96mA
-19.2mA
39dBm
175C
-65℃至+ 175℃
37.5W
连续
2
10V
-4V
28.8mA
-4.8mA
@ 3分贝压缩
175C
-65℃至+ 175℃
37.5W
VDS
VGS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
S11和S22
0.
6
SWP最大
5.2GHz
2.
0
1.0
20
0. 8
S21和S12
5.0
S21和S12 （ dB）的
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
- 0.8
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
-1.0
S[2,2]
EIC4450-8
.6
-2
.0
-0
MAG
4.0
4.2
4.4
4.6
4.8
5.0
5.2
5.4
5.6
5.8
6.0
0.7503
0.6786
0.5779
0.4132
0.2292
0.308
0.5127
0.6658
0.7585
0.8058
0.8356
-37.83
-66.68
-101.09
-146.28
134.17
19.37
-39.49
-77.6
-107.39
-133.11
-155.36
2.703
3.0738
3.5153
3.9355
4.0571
3.6482
2.78
1.9617
1.3733
1.0074
0.7453
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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-3
S[1,1]
4
.
-0
EIC4450-8
-4
.0
-5.
0
2
-0 .
SWP敏
4.2GHz
--- S21 ---
昂
-10. 0
.0
0.
4
3.
0
10
4.
0
10.0
0
DB(|S[2,1]|)
EIC4450-8
DB(|S[1,2]|)
EIC4450-8
0.2
-10
-20
-30
4.2
4.4
4.6
4.8
频率（GHz ）
5
5.2
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
97.27
66.41
32.39
-6.5
-50.3
-96.93
-140.48
-177.01
153.13
126.36
101.98
0.0555
0.0662
0.0788
0.0954
0.1033
0.0989
0.0854
0.0678
0.0532
0.0414
0.0333
43.87
11.77
-21.55
-60.58
-105.97
-153.5
160.93
119.63
81.38
46.84
18.09
0.3563
0.3648
0.3889
0.4149
0.4326
0.4399
0.4385
0.4493
0.4784
0.5605
0.6098
-105.99
-142.14
178.7
132.78
78.67
20.6
-30.72
-70.46
-98.19
-121.4
-141.51
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功率降容曲线和IM3定义
功耗与温度的关系
40
35
总功耗（ W）
30
25
20
15
10
（ 2F2 - 为f1 ）或（ 2F1 - f2）上
三阶
截取点IP3
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
潜在的不安全
工作区
IP
3
=噘+ IM3 / 2
F1或F2
噘
针
IM3
安全工作
地区
IM3
f1 f2
(2f1-f2) f1 f2 (2f2-f1)
5
0
0
25
50
75
100
125
外壳温度（ ° C）
150
175
销[ S.C.L. ] （ DBM）
典型的电力数据（V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 2200毫安）
41
40
典型的IM3数据（V
DS
= 10 V,
I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
)
14
13
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
IM3与输出功率
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
23
24
25
F1 = 5.00千兆赫， F2 = 5.01 GHz的
P- 1分贝（ DBM）
G- 1分贝（分贝）
39
38
37
P- 1分贝（ DBM）
36
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
5.0
5.1
G- 1分贝（分贝）
12
11
10
9
IM3 （ DBC）
IM3 （ DBC）
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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封装外形
除非另有规定尺寸以英寸，公差+ 0.005
EIC4450-8 （密封）
EIC4450-8NH （非气密性）
Excelics
EIC4450-8
.827±.010 .669
0.120敏
.024
.421
Excelics
EIC4450-8NH
YYWW
SN
0.120敏
YYWW
SN
.125
.508±.008
.442
.168±.010
以英寸所有尺寸
.004
.063
.004
.105±.008
以英寸所有尺寸
注意！ ESD敏感器件。
注意！ ESD敏感器件。
订购信息
产品型号
EIC4450-8
EIC4450-8NH
注意事项：
套餐
密闭
非密封
GRADE
1
产业
产业
f
TEST
（千兆赫）
4.40-5.00GHz
4.40-5.00GHz
P
1dB
（分钟）
38.5
38.5
IM
3
（分钟）
2
-43
-43
1.联系工厂用于军事和高可靠性等级。
2，精确的测试条件中的“电气特性”表中指定。
放弃
EXCELICS半导体保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 EXCELICS不承担任何
责任因任何产品或电路此处所述的应用或使用。
生命支持政策
EXCELICS半导体产品未被授权用于生命中的关键部件
支持设备或系统，而无需EXCELICS半导体的明确书面批准，
INC AS在这里：
1.生命支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到体内的设备或系统，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）未能履行其正确的使用符合相关说明
标示中的使用，可以合理预期造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以是任何组件
合理预期造成生命支持设备或系统故障，或影响其安全性或有效性
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