EIC4450-4
已更新2007年8月21日
4.40-5.00 GHz的4瓦内部匹配功率场效应管
特点
4.40-5.00GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩36.5 dBm的输出功率
11.5分贝功率增益1dB压缩
37 ％的功率附加效率
-46 dBc的IM3在PO = 25.5 dBm的SCL
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
注意！ ESD敏感器件。
民
35.5
10.5
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 4.40-5.00GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益1dB压缩
F = 4.40-5.00GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益平坦度
F = 4.40-5.00GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
F = 4.40-5.00GHz
漏电流在1dB压缩F = 4.40-5.00GHz
输出3阶互调失真
2
f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 25.5 dBm的S.C.L
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
F = 5.00GHz
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
3
典型值
36.5
11.5
最大
单位
DBM
dB
±0.6
37
1200
-43
-46
2000
-2.5
5.5
2500
-4.0
6.0
o
dB
%
1500
mA
dBc的
mA
V
C / W
V
DS
= 3 V，I
DS
= 20毫安
注： 1。测试与100欧姆的栅极电阻。
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定EFE
符号
VDS
VGS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
15V
-5V
48mA
-9.6mA
36dBm
175C
-65℃至+ 175℃
25W
连续
2
10V
-4V
14mA
-2.4mA
@ 3分贝压缩
175C
-65℃至+ 175℃
25W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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4.40-5.00 GHz的4瓦内部匹配功率场效应管
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
S11和S22
2.
0
S[1,1] *
EIC4450-4
S[2,2] *
-3
.0
EIC4450-4
-4
.0
-5.
0
0.
4
6
0.
SWP最大
5.5GHz
0.8
20
1.0
S21和S12
-1.0
-0.8
-0
.6
S21和S12 （ dB）的
-10.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.4
0.
4
.0
-2
-0
.6
SWP敏
4GHz
-0.8
-1.0
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
4.00
4.25
4.50
4.75
5.00
5.25
5.50
5.75
6.00
6.25
6.50
0.808
0.713
0.570
0.383
0.301
0.481
0.671
0.795
0.869
0.909
0.933
-68.190
-110.590
-163.190
129.460
28.000
-56.790
-110.260
-149.080
-179.020
156.420
135.760
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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-5.
-4
.0
0
-3
.0
0
3.
0
4.
5.0
-0.
2
-10.0
2
-0.
-0
.4
.0
-2
0
3.
10
0
4.
5.0
0
10.0
DB （ | S [ 2,1 ] | ） *
EIC4450-4
DB（ | S [1,2] | ） *
EIC4450-4
0.2
10.0
-10
10.0
5.0
4.0
2.
0
3.0
2.0
1.0
1.0
0.8
0.6
0.8
0.4
6
0.
0.2
0.2
0
-20
-30
4
4.5
频率（GHz ）
5
5.5
--- S21 ---
MAG
昂
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
3.508
4.141
4.620
4.719
4.375
3.625
2.699
1.929
1.365
0.965
0.681
99.990
59.190
13.810
-34.020
-83.660
-132.810
-177.940
141.910
106.080
72.960
42.570
0.055
0.074
0.090
0.102
0.100
0.090
0.071
0.053
0.040
0.028
0.020
37.090
-2.750
-49.090
-96.850
-145.990
165.590
122.650
84.390
51.160
27.210
0.750
0.424
0.368
0.382
0.429
0.431
0.364
0.268
0.240
0.290
0.380
0.488
-52.880
-108.070
-171.490
132.270
82.100
33.460
-19.720
-76.080
-122.110
-155.490
178.060
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功率降容曲线和IM3定义
功耗与温度的关系
30
三阶
截取点IP3
25
总功耗（ W）
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
20
潜在的不安全
工作区
IP
3
=噘+ IM3 / 2
F1或F2
噘
针
IM3
15
安全工作
地区
10
IM3
f1 f2
(2f1-f2) f1 f2 (2f2-f1)
5
（ 2F2 - 为f1 ）或（ 2F1 - f2）上
0
0
25
50
75
100
125
外壳温度（ ° C）
150
175
销[ S.C.L. ] （ DBM）
典型的电力数据（V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 1100毫安）
39
38
37
P- 1分贝（ DBM）
典型的IM3数据（V
DS
= 10 V,
I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
)
20
19
18
16
15
14
13
12
11
17
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
IM3与输出功率
-15
-20
-25
F1 = 4.70千兆赫， F2 = 4.69 GHz的
35
34
33
32
31
30
4.3
4.4
4.5
IM3 （ DBC）
G- 1分贝（分贝）
36
P- 1分贝（ DBM）
G- 1分贝（分贝）
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
IM3 （ DBC）
4.6
4.7
4.8
4.9
5.0
5.1
频率（GHz ）
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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封装外形
除非另有规定尺寸以英寸，公差+ 0.005
EIC4450-4 （密封）
EIC4450-4NH （非气密性）
Excelics
EIC4450-4
.827±.010 .669
0.120敏
.024
.421
Excelics
EIC4450-4NH
YYWW
SN
0.120敏
YYWW
SN
.125
.508±.008
.442
.168±.010
以英寸所有尺寸
.004
.063
.004
.105±.008
以英寸所有尺寸
注意！ ESD敏感器件。
注意！ ESD敏感器件。
订购信息
产品型号
EIC4450-4
EIC4450-4NH
注意事项：
套餐
密闭
非密封
GRADE
1
产业
产业
f
TEST
（千兆赫）
4.40-5.00GHz
4.40-5.00GHz
P
1dB
（分钟）
35.5
35.5
IM
3
（分钟）
2
-43
-43
1.联系工厂用于军事和高可靠性等级。
2，精确的测试条件中的“电气特性”表中指定。
放弃
EXCELICS半导体保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 EXCELICS不承担任何
责任因任何产品或电路此处所述的应用或使用。
生命支持政策
EXCELICS半导体产品未被授权用于生命中的关键部件
支持设备或系统，而无需EXCELICS半导体的明确书面批准，
INC AS在这里：
1.生命支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到体内的设备或系统，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）未能履行其正确的使用符合相关说明
标示中的使用，可以合理预期造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以是任何组件
合理预期造成生命支持设备或系统故障，或影响其安全性或有效性
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