EIC1314-4
已更新2007年8月21日
13.75-14.50GHz 4瓦内部匹配功率FET
特点
13.75 -14.50GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩36.0 dBm的输出功率
6.0分贝功率增益1dB压缩
25 ％的功率附加效率
-45 dBc的IM3宝= 25.0 dBm的SCL
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 13.75-14.50GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益1dB压缩
F = 13.75-14.50GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益平坦度
F = 13.75-14.50GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 13.75-14.50GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
漏电流在1dB压缩F = 13.75-14.50GHz
输出3阶互调失真
f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 25.0 dBm的S.C.L
2
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
F = 14.50GHz
饱和漏极电流
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
捏-O FF电压
热阻
3
V
DS
= 3 V，I
DS
= 20毫安
注意！ ESD敏感器件。
民
35.5
5.0
典型值
36.0
6.0
±0.6
25
1100
-42
-45
2080
-2.5
5.5
2880
-4.0
6.0
o
最大
单位
DBM
dB
dB
%
1300
mA
dBc的
mA
V
C / W
注： 1。测试与100欧姆的栅极电阻。
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定EFE
符号
参数
绝对
1
15V
-5V
48mA
-9.6mA
35.5dBm
175C
-65℃至+ 175℃
25W
连续
2
10V
-4V
14.4mA
-2.4mA
@ 3分贝压缩
175C
-65℃至+ 175℃
25W
VDS
VGS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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13.75-14.50GHz 4瓦内部匹配功率FET
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
S11和S22
0.
6
SWP最大
15GHz
0
0.8
20
S21和S12
-1.0
1.0
-0.8
-0
.6
2.
.0
0
4.
2
-0.
5.0
S21和S12 （ dB）的
-4
.0
-5.
0
-10.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.4
-0.8
-1.0
S[2,2] *
EIC1314-4
1.0
-0
.6
-2
.0
S[1,1] *
EIC1314-4
2.
0
0.
4
SWP敏
13GHz
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
13.0
13.2
13.4
13.6
13.8
14.0
14.2
14.4
14.6
14.8
15.0
0.5078
0.4776
0.4118
0.3207
0.2203
0.1094
0.0627
0.1622
0.2642
0.353
0.421
-2.28
-17.96
-33.24
-49.12
-70.57
-102.37
152.39
96.78
73.83
56.65
42.58
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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-4
.0
-5.
0
2
-0.
-10.0
-3
.0
4
-3
.
-0
-2
.0
0.
4
3.
0
10
0
3.
0
0
4.
5.0
0.2
10.0
10.0
-10
DB （ | S [ 2,1 ] | ） *
EIC1314-4
DB（ | S [1,2] | ） *
EIC1314-4
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.8
0.4
6
0.
0.2
0.2
2.0327
2.1494
2.2575
2.3651
2.431
2.4478
2.4123
2.3192
2.1858
2.0523
1.9018
0
-20
-30
13
13.5
14
频率（GHz ）
14.5
15
--- S21 ---
MAG
昂
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
-117.68
-132.66
-148.8
-165.3
176.6
158.24
139.92
121.93
104.48
88.18
72.39
0.0863
0.095
0.1036
0.1096
0.1188
0.1217
0.1227
0.1196
0.1158
0.1109
0.1037
-144.55
-160.68
-176.01
167.92
150.43
132.03
115.1
96.75
80.23
63.47
48.43
0.5488
0.4743
0.4121
0.3481
0.2602
0.1895
0.1576
0.1927
0.2491
0.3031
0.3615
-133.93
-146.87
-161.98
179.95
155.82
123.3
76.56
30.27
1.19
-18.21
-34.26
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功率降容曲线和IM3定义
功耗与温度的关系
30
三阶
截取点IP3
25
总功耗（ W）
潜在的不安全
工作区
IP
3
=噘+ IM3 / 2
F1或F2
20
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
15
安全工作
地区
噘
针
IM3
10
IM3
f1 f2
(2f1-f2) f1 f2 (2f2-f1)
5
（ 2F2 - 为f1 ）或（ 2F1 - f2）上
0
0
25
50
75
100
125
外壳温度（ ° C）
150
175
销[ S.C.L. ] （ DBM）
典型的电力数据（V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 1100毫安）
37
36
典型的IM3数据（V
DS
= 10 V,
I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
)
9
8
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
IM3与输出功率
-15
-20
-25
F1 = 14.5千兆赫， F2 = 14.51 GHz的
P- 1分贝（ DBM）
G- 1分贝（分贝）
35
34
33
P- 1分贝（ DBM）
32
13.4
13.6
13.8
14.0
14.2
14.4
G- 1分贝（分贝）
14.6
7
6
5
4
14.8
IM3 （ DBC）
-30
-35
-40
-45
-50
-55
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
IM3 （ DBC）
频率（GHz ）
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
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封装外形
除非另有规定尺寸以英寸，公差+ 0.005
EIC1314-4 （密封）
EIC1314-4NH （非气密性）
Excelics
EIC1314-4
Excelics
EIC1314-4NH
YYWW
SN
YYWW
SN
以英寸所有尺寸
以英寸所有尺寸
注意！ ESD敏感器件。
注意！ ESD敏感器件。
订购信息
产品型号
EIC1314-4
EIC1314-4NH
注意事项：
套餐
密闭
非密封
GRADE
1
产业
产业
f
TEST
（千兆赫）
13.75-14.50GHz
13.75-14.50GHz
P
1dB
（分钟）
35.5
35.5
IM
3
（分钟）
2
-42
-42
1.联系工厂用于军事和高可靠性等级。
2，精确的测试条件中的“电气特性”表中指定。
放弃
EXCELICS半导体保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 EXCELICS不承担任何
责任因任何产品或电路此处所述的应用或使用。
生命支持政策
EXCELICS半导体产品未被授权用于生命中的关键部件
支持设备或系统，而无需EXCELICS半导体的明确书面批准，
INC AS在这里：
1.生命支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到设备或系统
体，或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以是任何组件
合理预期造成生命支持设备或系统的故障，或者影响其安全性或
效用
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