EIC1011-4
已更新2007年8月21日
10.70-11.70GHz 4瓦内部匹配功率FET
特点
10.70 -11.70GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩36.0 dBm的输出功率
6.5分贝功率增益1dB压缩
30 ％的功率附加效率
-46 dBc的IM3在PO = 25.5 dBm的SCL
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 10.7-11.7GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益1dB压缩
F = 10.7-11.7GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益平坦度
F = 10.7-11.7GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 10.7-11.7GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
漏电流在1dB压缩F = 10.7-11.7GHz
输出3阶互调失真
f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 25.5 dBm的S.C.L
2
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
F = 11.70GHz
饱和漏极电流
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
捏-O FF电压
热阻
3
V
DS
= 3 V，I
DS
= 20毫安
注意！ ESD敏感器件。
民
35.5
5.5
典型值
36.0
6.5
±0.6
30
1100
-43
-46
2000
-2.5
5.5
2500
-4.0
6.0
o
最大
单位
DBM
dB
dB
%
1300
mA
dBc的
mA
V
C / W
注： 1。测试与100欧姆的栅极电阻。
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定EFE
符号
参数
绝对
1
15V
-5V
48mA
-9.6mA
35.5dBm
175C
-65℃至+ 175℃
25W
连续
2
10V
-4V
14.4mA
-2.4mA
@ 3分贝压缩
175C
-65℃至+ 175℃
25W
VDS
VGS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
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10.70-11.70GHz 4瓦内部匹配功率FET
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 1100毫安
S11和S22
0.
6
SWP最大
11.9GHz
2.
0
0.8
1.0
10
S21和S12
S21和S12 （ dB）的
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.4
- 0.8
S[2,2]
EIC1011-4
-1.0
.0
-0
.6
-2
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
10.0
10.2
10.4
10.6
10.8
11.0
11.2
11.4
11.6
11.8
12.0
0.5739
0.5419
0.5027
0.454
0.3919
0.3168
0.2355
0.1589
0.1084
0.1171
0.1688
108.35
89.44
69.8
49.43
26.75
2.48
-25.9
-62.62
-118.22
176.36
130.2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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-3
.0
S[1,1]
EIC1011-4
-4
.0
-5.
0
2
-0.
SWP敏
10.5GHz
2.1901
2.2517
2.3146
2.3701
2.4477
2.5075
2.5133
2.4807
2.4142
2.2904
2.157
-1 0.0
0.
4
3.
0
4.
0.2
0
5 .0
0
10.0
DB(|S[2,1]|)
EIC1011-4
-10
DB(|S[1,2]|)
EIC1011-4
-20
10.5
11
频率（GHz ）
11.5
11.9
--- S21 ---
MAG
昂
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
-123.52
-141.43
-159.96
-178.6
162.08
141.24
119.63
97.75
76.04
53.87
32.3
0.1038
0.1081
0.1142
0.1209
0.1272
0.1368
0.1399
0.1436
0.141
0.1378
0.1337
-170.96
171.77
153.91
135.5
116.3
95.69
74.8
52.35
30.62
9.3
-13.09
0.4584
0.4527
0.4397
0.4186
0.3848
0.359
0.342
0.3447
0.3633
0.4005
0.4409
55.24
38.81
21.79
2.16
-20.15
-45.27
-75.08
-107.19
-137.98
-166.15
169.07
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功率降容曲线和IM3定义
功耗与温度的关系
30
三阶
截取点IP3
25
总功耗（ W）
潜在的不安全
工作区
IP
3
=噘+ IM3 / 2
F1或F2
20
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
噘
针
IM3
15
安全工作
地区
10
IM3
f1 f2
(2f1-f2) f1 f2 (2f2-f1)
5
（ 2F2 - 为f1 ）或（ 2F1 - f2）上
0
0
25
50
75
100
125
外壳温度（ ° C）
150
175
销[ S.C.L. ] （ DBM）
典型的电力数据（V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 1100毫安）
38
37
P- 1分贝（ DBM）
典型的IM3数据（V
DS
= 10 V,
I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
)
10
9
8
7
6
G- 1分贝（分贝）
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
IM3与输出功率
-15
-20
-25
F1 = 11.70千兆赫， F2 = 11.71 GHz的
IM3 （ DBC）
36
35
34
P- 1分贝（ DBM）
33
10.6
10.8
11.0
11.2
11.4
G- 1分贝（分贝）
11.6
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
IM3 （ DBC）
5
11.8
频率（GHz ）
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
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封装外形
除非另有规定尺寸以英寸，公差+ 0.005
EIC1011-4 （密封）
EIC1011-4NH （非气密性）
Excelics
EIC1011-4
Excelics
EIC1011-4NH
YYWW
SN
YYWW
SN
以英寸所有尺寸
以英寸所有尺寸
注意！ ESD敏感器件。
注意！ ESD敏感器件。
订购信息
产品型号
EIC1011-4
EIC1011-4NH
注意事项：
套餐
密闭
非密封
GRADE
1
产业
产业
f
TEST
（千兆赫）
10.70-11.70GHz
10.70-11.70GHz
P
1dB
（分钟）
35.5
35.5
IM
3
（分钟）
2
-43
-43
1.联系工厂用于军事和高可靠性等级。
2，精确的测试条件中的“电气特性”表中指定。
放弃
EXCELICS半导体保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 EXCELICS不承担任何
责任因任何产品或电路此处所述的应用或使用。
生命支持政策
EXCELICS半导体产品未被授权用于生命中的关键部件
支持设备或系统，而无需EXCELICS半导体的明确书面批准，
INC AS在这里：
1.生命支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到设备或系统
体，或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以是任何组件
合理预期造成生命支持设备或系统的故障，或者影响其安全性或
效用
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