EIB1213-2P
已更新06年6月14日
12.75-13.25GHz 2W内部匹配功率场效应管
特点
12.75-13.25 GHz的带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩33.0 dBm的输出功率
8.5分贝功率增益1dB压缩
25 ％的功率附加效率
-46 dBc的IM3在PO = 22.0 dBm的SCL
非密封金属法兰包装
EIB1213-2P
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
F = 12.75-13.25GHz
V
DS
= 8 V，I
DSQ
≈
800mA
增益1dB压缩
F = 12.75-13.25GHz
V
DS
= 8 V，I
DSQ
≈
800mA
增益平坦度
F = 12.75-13.25GHz
V
DS
= 8 V，I
DSQ
≈
800mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 12.75-13.25GHz
V
DS
= 8 V，I
DSQ
≈
800mA
漏电流在1dB压缩
F = 12.75-13.25GHz
输出3阶互调失真
f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 22.0 dBm的S.C.L
2
V
DS
= 8 V，I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
F = 13.25GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
3
2 ） S.C.L. =单载波电平。
注意！ ESD敏感器件。
民
32.0
7.50
典型值
33.0
8.50
最大
单位
DBM
dB
±0.6
25
850
-43
-46
1360
-2.5
8.0
1700
-3.5
9.0
o
dB
%
960
mA
dBc的
mA
V
C / W
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 12毫安
注： 1 ）测试与100欧姆的栅极电阻。
3 ）整体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
10V
-5
21.6mA
-3.6mA
32.0dBm
175
o
C
-65到+175
o
C
16W
连续
2
8V
-4V
7.2mA
-1.2mA
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65到+175
o
C
16W
VDS
VGS
Igsf
Igsr
针
总胆固醇
TSTG
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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修订后的2006年6月
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