Eudyna的GaN -HEMT 90W
初步
特点
高
工作电压： V
DS
=50V
高
增益： 15分贝（典型值） ，在P
OUT
=42dBm(Avg.)
高
效率： 35 ％ （典型值） ，在P
OUT
=42dBm(Avg.)
·宽
频率范围： 2100至2200MHz
·成熟
可靠性
EGN21A090IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
描述
该EGN21A090IV是一个90瓦的GaN -HEMT ，提供高效率，
高增益，易于匹配，更大的一致性和广泛的带宽
高功率L波段放大器50V操作。该装置是
针对高电压，在数字调制的低电流工作
基站应用 - 非常适合用于W- CDMA基站
放大器和其他HPA的设计，同时提供了易用性。
绝对最大额定值
项
符号
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
V
DS
V
GS
P
t
T
英镑
T
ch
条件
T
c
=25 C
o
推荐运行条件（案例温度Tc = 25
o
C)
项
直流输入电压
正向栅电流
反向栅电流
通道温度
电气特性（案例温度Tc = 25
o
C)
项
符号条件
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
三阶互调失真
功率增益
漏EF网络效率
热阻
V
p
V
GDO
IM
3
G
p
η
d
R
th
V
DS
= 50V我
DS
=36mA
I
GS
= -18毫安
V
DS
=50V
I
DS （ DC ）
=500mA
P
OUT
=42dBm(Avg.)
注1
渠道情况
r
P
符号
V
DS
I
GF
I
GR
T
ch
im
l
e
条件
R
G
=5
R
G
=5
a
n
i
等级
极限
50
<19.4
>-7.2
200
120
-5
160
-65到+175
250
y
r
单位
V
V
W
o
C
o
C
单位
V
mA
mA
o
C
极限
分钟。典型值。马克斯。
-1.0
-
-
14.0
-
-
-2.0
-350
-32
15.0
35
1.2
-3.5
-
-
-
-
1.4
单位
V
V
dBc的
dB
%
o
C / W
注1 ： IM3和增益测试条件如下：
IM3 &增益： FO = 2.135GHz ，F1 = 2.145GHz W- CDMA （ 3GPP3.4 12-00 ） BS- 1 64路
67％的限幅调制（峰值/平均= 8.5dB@0.01%概率（ CCDF ） ）测定
在3.84MHz的在FO- 10MHz至FI + 10MHz的。
1.0版
2005年5月
1
EGN21A090IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
输出功率与频率的关系
V
DS
= 50V ，我
DS
=500mA
50
48
输出功率[ dBm的]
输出功率[ dBm的]
46
44
42
40
38
36
2.04 2.06 2.08 2.1 2.12 2.14 2.16 2.18 2.2 2.22 2.24
频率[ GHz的]
Pin=22dBm
Pin=28dBm
Pin=34dBm
Pin=24dBm
Pin=30dBm
Pin=36dBm
输出功率和漏极效率与输入功率
V
DS
= 50V ，我
DS
= 500毫安， F = 2.14GHz时
52
50
48
46
44
42
40
38
36
34
32
产量
动力
100
90
漏极效率（％）
80
70
60
2音IMD与输出功率
V
DS
= 50V ，女
1
= 2.135GHz ，女
2
= 2.145GHz ， 10MHz的间隔
-20
-25
-30
IM3 [ dBc的]
-35
-40
-45
-50
26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
输出功率（平均） [ dBm的]
250mA
500mA
750mA
1000mA
r
P
im
l
e
Pin=26dBm
Pin=32dBm
IMD [ dBc的]
a
n
i
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
0.1
y
r
50
漏
艾菲。
40
30
20
10
0
16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
输入功率[ dBm的]
2音IMD与音频间隔，V
DS
= 50V ，我
DS
=500mA
P
OUT
= 42dBm （平均）中心频率= 2.14GHz时
低IM3
IM5低
IM7低
IM3上
IM5上
IM7上
1.0
2音间距[兆赫]
10
2
EGN21A090IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
2载波IMD ，漏极效率和功率增益与输出功率
V
DS
= 50V ，我
DS
= 500毫安，女
1
= 2.135GHz ，女
2
= 2.145GHz （ 10MHz的间隔）
峰值/平均。 = 8.5dB@0.01%概率（ CCDF ）
-10
-15
-20
-25
IMD [ dBc的]
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
28
30
动力
收益
IM3
IM5
漏
艾菲。
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
46
漏极效率（％） ，功率增益（分贝）
-15
-20
ACLR （ 5MHz的偏移量） [ dBc的]
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
30
32
34
ACLR
DPD -OFF
40
35
动力
收益
30
25
20
15
ACLR
DPD -ON
10
5
0
漏极效率（％） ，功率增益（分贝）
r
P
im
l
e
32
34
36
38
45
a
n
i
IM7
40
42
44
y
r
输出功率[ dBm的]
漏
艾菲。
2载波ACLR ，漏极效率和功率增益
与同DPD操作输出功率（注
V
DS
= 50V ，我
DS
=500mA
f
1
= 2.1375GHz ，女
2
= 2.1425GHz （ 5MHz的间距）
峰值/平均。 = 6.5dB@0.01%概率（ CCDF ） ;
单载波信号
注）数字预失真的评价测试系统：
PMC -Sierra的PALADIN 15 DPD芯片组
与DPD操作2载波频谱
Pave=42dBm
10dB/div
DPD -OFF
36
38
40
42
44
46
DPD -ON
输出功率[ dBm的]
中心频率= 2.14GHz时
5MHz/div
3
Eudyna的GaN -HEMT 90W
初步
特点
高
工作电压： V
DS
=50V
高
增益： 15分贝（典型值） ，在P
OUT
=42dBm(Avg.)
高
效率： 35 ％ （典型值） ，在P
OUT
=42dBm(Avg.)
·宽
频率范围： 2100至2200MHz
·成熟
可靠性
EGN21A090IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
描述
该EGN21A090IV是一个90瓦的GaN -HEMT ，提供高效率，
高增益，易于匹配，更大的一致性和广泛的带宽
高功率L波段放大器50V操作。该装置是
针对高电压，在数字调制的低电流工作
基站应用 - 非常适合用于W- CDMA基站
放大器和其他HPA的设计，同时提供了易用性。
绝对最大额定值
项
符号
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
V
DS
V
GS
P
t
T
英镑
T
ch
条件
T
c
=25 C
o
推荐运行条件（案例温度Tc = 25
o
C)
项
直流输入电压
正向栅电流
反向栅电流
通道温度
电气特性（案例温度Tc = 25
o
C)
项
符号条件
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
三阶互调失真
功率增益
漏EF网络效率
热阻
V
p
V
GDO
IM
3
G
p
η
d
R
th
V
DS
= 50V我
DS
=36mA
I
GS
= -18毫安
V
DS
=50V
I
DS （ DC ）
=500mA
P
OUT
=42dBm(Avg.)
注1
渠道情况
r
P
符号
V
DS
I
GF
I
GR
T
ch
im
l
e
条件
R
G
=5
R
G
=5
a
n
i
等级
极限
50
<19.4
>-7.2
200
120
-5
160
-65到+175
250
y
r
单位
V
V
W
o
C
o
C
单位
V
mA
mA
o
C
极限
分钟。典型值。马克斯。
-1.0
-
-
14.0
-
-
-2.0
-350
-32
15.0
35
1.2
-3.5
-
-
-
-
1.4
单位
V
V
dBc的
dB
%
o
C / W
注1 ： IM3和增益测试条件如下：
IM3 &增益： FO = 2.135GHz ，F1 = 2.145GHz W- CDMA （ 3GPP3.4 12-00 ） BS- 1 64路
67％的限幅调制（峰值/平均= 8.5dB@0.01%概率（ CCDF ） ）测定
在3.84MHz的在FO- 10MHz至FI + 10MHz的。
1.0版
2005年5月
1
EGN21A090IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
输出功率与频率的关系
V
DS
= 50V ，我
DS
=500mA
50
48
输出功率[ dBm的]
输出功率[ dBm的]
46
44
42
40
38
36
2.04 2.06 2.08 2.1 2.12 2.14 2.16 2.18 2.2 2.22 2.24
频率[ GHz的]
Pin=22dBm
Pin=28dBm
Pin=34dBm
Pin=24dBm
Pin=30dBm
Pin=36dBm
输出功率和漏极效率与输入功率
V
DS
= 50V ，我
DS
= 500毫安， F = 2.14GHz时
52
50
48
46
44
42
40
38
36
34
32
产量
动力
100
90
漏极效率（％）
80
70
60
2音IMD与输出功率
V
DS
= 50V ，女
1
= 2.135GHz ，女
2
= 2.145GHz ， 10MHz的间隔
-20
-25
-30
IM3 [ dBc的]
-35
-40
-45
-50
26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
输出功率（平均） [ dBm的]
250mA
500mA
750mA
1000mA
r
P
im
l
e
Pin=26dBm
Pin=32dBm
IMD [ dBc的]
a
n
i
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
0.1
y
r
50
漏
艾菲。
40
30
20
10
0
16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
输入功率[ dBm的]
2音IMD与音频间隔，V
DS
= 50V ，我
DS
=500mA
P
OUT
= 42dBm （平均）中心频率= 2.14GHz时
低IM3
IM5低
IM7低
IM3上
IM5上
IM7上
1.0
2音间距[兆赫]
10
2
EGN21A090IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
2载波IMD ，漏极效率和功率增益与输出功率
V
DS
= 50V ，我
DS
= 500毫安，女
1
= 2.135GHz ，女
2
= 2.145GHz （ 10MHz的间隔）
峰值/平均。 = 8.5dB@0.01%概率（ CCDF ）
-10
-15
-20
-25
IMD [ dBc的]
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
28
30
动力
收益
IM3
IM5
漏
艾菲。
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
46
漏极效率（％） ，功率增益（分贝）
-15
-20
ACLR （ 5MHz的偏移量） [ dBc的]
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
30
32
34
ACLR
DPD -OFF
40
35
动力
收益
30
25
20
15
ACLR
DPD -ON
10
5
0
漏极效率（％） ，功率增益（分贝）
r
P
im
l
e
32
34
36
38
45
a
n
i
IM7
40
42
44
y
r
输出功率[ dBm的]
漏
艾菲。
2载波ACLR ，漏极效率和功率增益
与同DPD操作输出功率（注
V
DS
= 50V ，我
DS
=500mA
f
1
= 2.1375GHz ，女
2
= 2.1425GHz （ 5MHz的间距）
峰值/平均。 = 6.5dB@0.01%概率（ CCDF ） ;
单载波信号
注）数字预失真的评价测试系统：
PMC -Sierra的PALADIN 15 DPD芯片组
与DPD操作2载波频谱
Pave=42dBm
10dB/div
DPD -OFF
36
38
40
42
44
46
DPD -ON
输出功率[ dBm的]
中心频率= 2.14GHz时
5MHz/div
3
Eudyna的GaN -HEMT 90W
初步
特点
高
工作电压： V
DS
=50V
高
增益： 15分贝（典型值） ，在P
OUT
=42dBm(Avg.)
高
效率： 35 ％ （典型值） ，在P
OUT
=42dBm(Avg.)
·宽
频率范围： 2100至2200MHz
·成熟
可靠性
EGN21A090IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
描述
该EGN21A090IV是一个90瓦的GaN -HEMT ，提供高效率，
高增益，易于匹配，更大的一致性和广泛的带宽
高功率L波段放大器50V操作。该装置是
针对高电压，在数字调制的低电流工作
基站应用 - 非常适合用于W- CDMA基站
放大器和其他HPA的设计，同时提供了易用性。
绝对最大额定值
项
符号
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
V
DS
V
GS
P
t
T
英镑
T
ch
条件
T
c
=25 C
o
推荐运行条件（案例温度Tc = 25
o
C)
项
直流输入电压
正向栅电流
反向栅电流
通道温度
电气特性（案例温度Tc = 25
o
C)
项
符号条件
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
三阶互调失真
功率增益
漏EF网络效率
热阻
V
p
V
GDO
IM
3
G
p
η
d
R
th
V
DS
= 50V我
DS
=36mA
I
GS
= -18毫安
V
DS
=50V
I
DS （ DC ）
=500mA
P
OUT
=42dBm(Avg.)
注1
渠道情况
r
P
符号
V
DS
I
GF
I
GR
T
ch
im
l
e
条件
R
G
=5
R
G
=5
a
n
i
等级
极限
50
<19.4
>-7.2
200
120
-5
160
-65到+175
250
y
r
单位
V
V
W
o
C
o
C
单位
V
mA
mA
o
C
极限
分钟。典型值。马克斯。
-1.0
-
-
14.0
-
-
-2.0
-350
-32
15.0
35
1.2
-3.5
-
-
-
-
1.4
单位
V
V
dBc的
dB
%
o
C / W
注1 ： IM3和增益测试条件如下：
IM3 &增益： FO = 2.135GHz ，F1 = 2.145GHz W- CDMA （ 3GPP3.4 12-00 ） BS- 1 64路
67％的限幅调制（峰值/平均= 8.5dB@0.01%概率（ CCDF ） ）测定
在3.84MHz的在FO- 10MHz至FI + 10MHz的。
1.0版
2005年5月
1
EGN21A090IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
输出功率与频率的关系
V
DS
= 50V ，我
DS
=500mA
50
48
输出功率[ dBm的]
输出功率[ dBm的]
46
44
42
40
38
36
2.04 2.06 2.08 2.1 2.12 2.14 2.16 2.18 2.2 2.22 2.24
频率[ GHz的]
Pin=22dBm
Pin=28dBm
Pin=34dBm
Pin=24dBm
Pin=30dBm
Pin=36dBm
输出功率和漏极效率与输入功率
V
DS
= 50V ，我
DS
= 500毫安， F = 2.14GHz时
52
50
48
46
44
42
40
38
36
34
32
产量
动力
100
90
漏极效率（％）
80
70
60
2音IMD与输出功率
V
DS
= 50V ，女
1
= 2.135GHz ，女
2
= 2.145GHz ， 10MHz的间隔
-20
-25
-30
IM3 [ dBc的]
-35
-40
-45
-50
26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
输出功率（平均） [ dBm的]
250mA
500mA
750mA
1000mA
r
P
im
l
e
Pin=26dBm
Pin=32dBm
IMD [ dBc的]
a
n
i
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
0.1
y
r
50
漏
艾菲。
40
30
20
10
0
16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
输入功率[ dBm的]
2音IMD与音频间隔，V
DS
= 50V ，我
DS
=500mA
P
OUT
= 42dBm （平均）中心频率= 2.14GHz时
低IM3
IM5低
IM7低
IM3上
IM5上
IM7上
1.0
2音间距[兆赫]
10
2
EGN21A090IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
2载波IMD ，漏极效率和功率增益与输出功率
V
DS
= 50V ，我
DS
= 500毫安，女
1
= 2.135GHz ，女
2
= 2.145GHz （ 10MHz的间隔）
峰值/平均。 = 8.5dB@0.01%概率（ CCDF ）
-10
-15
-20
-25
IMD [ dBc的]
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
28
30
动力
收益
IM3
IM5
漏
艾菲。
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
46
漏极效率（％） ，功率增益（分贝）
-15
-20
ACLR （ 5MHz的偏移量） [ dBc的]
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
30
32
34
ACLR
DPD -OFF
40
35
动力
收益
30
25
20
15
ACLR
DPD -ON
10
5
0
漏极效率（％） ，功率增益（分贝）
r
P
im
l
e
32
34
36
38
45
a
n
i
IM7
40
42
44
y
r
输出功率[ dBm的]
漏
艾菲。
2载波ACLR ，漏极效率和功率增益
与同DPD操作输出功率（注
V
DS
= 50V ，我
DS
=500mA
f
1
= 2.1375GHz ，女
2
= 2.1425GHz （ 5MHz的间距）
峰值/平均。 = 6.5dB@0.01%概率（ CCDF ） ;
单载波信号
注）数字预失真的评价测试系统：
PMC -Sierra的PALADIN 15 DPD芯片组
与DPD操作2载波频谱
Pave=42dBm
10dB/div
DPD -OFF
36
38
40
42
44
46
DPD -ON
输出功率[ dBm的]
中心频率= 2.14GHz时
5MHz/div
3
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