Eudyna的GaN -HEMT 30W
初步
特点
高
工作电压： V
DS
=50V
高
功率： 46.5dBm （典型值） @ P3dB
高
效率： 60 ％ （典型值） @ P3dB
◆线性
增益： 12分贝（典型值） @ F = 2700MHz
·宽
频率范围： 800 2800MHz
·成熟
可靠性
EGN030MK
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
描述
Eudyna的氮化镓HEMT提供高效率，易搭配，更大
高功率L波段放大器的一致性和广泛的带宽
50V操作，并为您提供更高的增益。
该器件的目标应用是低电流和宽带
应用高电压。
绝对最大额定值
项
符号
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
V
DS
V
GS
P
t
T
英镑
T
ch
条件
Tc=25
o
C
推荐运行条件（案例温度Tc = 25
o
C)
项
符号
V
DS
I
GF
I
GR
T
ch
直流输入电压
正向栅电流
反向栅电流
通道温度
r
P
im
l
e
条件
R
G
=15
R
G
=15
V
p
V
GDO
P
3dB
η
d
G
L
R
th
a
n
i
等级
极限
50
<6.1
>-2.2
200
120
-5
56.25
-65到+175
250
y
r
单位
V
V
W
o
C
o
C
单位
V
mA
mA
o
C
电气特性（案例温度Tc = 25
o
C)
项
符号条件
分钟。
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
3分贝增益压缩功率
漏EF网络效率
线性增益
热阻
V
DS
= 50V我
DS
=11mA
I
GS
= - 5.6毫安
V
DS
=50V
I
DS （ DC ）
=200mA
f=2.7GHz
渠道情况
-
11.0
-
-1.0
-
45.5
极限
典型值。马克斯。
-2.0
-350
46.5
60
12.0
3.0
-3.5
-
-
-
-
4.0
单位
V
V
DBM
%
dB
o
C / W
1.0版
2005年6月
1
EGN030MK
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
输出功率与频率的关系
V
DS
= 50V我
DS （ DC ）
=200mA
输出功率和漏极效率与输入功率
V
DS
= 50V我
DS （ DC ）
= 200毫安F = 2.7GHz的
50
48
46
输出功率[ dBm的]
输出功率[ dBm的]
50
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30
产量
动力
100
90
80
漏极效率（％）
70
60
50
40
漏
艾菲。
30
20
10
0
输入功率[ dBm的]
44
42
40
38
36
34
32
30
2.50 2.55 2.60 2.65 2.70 2.75 2.80 2.85 2.90
频率[ GHz的]
Pin=22dBm
Pin=34dBm
Pin=26dBm
P
Pin=38dBm
e
r
60
50
40
30
20
10
0
0
Pin=30dBm
im
l
a
n
i
y
r
21 23 25 27 29 31 33 35 37 39
功率降额曲线
总功耗[ W]
50
100
150
200
250
300
外壳温度[
℃
]
2
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