Eudyna的GaN -HEMT 10W
初步
特点
高
工作电压： V
DS
=50V
高
功率： 41.0dBm （典型值） @ P
3dB
高
效率： 60 ％ （典型值） @ P
3dB
◆线性
增益： 15分贝（典型值） @ F = 3500MHz
·宽
频率范围： 800 3700MHz
·成熟
可靠性
EGN010MK
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
描述
Eudyna的氮化镓HEMT提供高效率，易搭配，更大
高功率L波段放大器的一致性和广泛的带宽
50V操作，并为您提供更高的增益。
该器件的目标应用是低电流和宽带
应用高电压。
绝对最大额定值
项
符号
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
V
DS
V
GS
P
t
T
英镑
T
ch
条件
Tc=25
o
C
推荐运行条件（案例温度Tc = 25
o
C)
项
符号
V
DS
I
GF
I
GR
T
ch
直流输入电压
正向栅电流
反向栅电流
通道温度
r
P
im
l
e
条件
R
G
=50
R
G
=50
V
p
V
GDO
P
3dB
η
d
G
L
R
th
a
n
i
等级
极限
50
<2.0
>-0.5
200
120
-5
40.9
-65到+175
250
y
r
单位
V
V
W
o
C
o
C
单位
V
mA
mA
o
C
电气特性（案例温度Tc = 25
o
C)
项
符号条件
分钟。
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
3分贝增益压缩功率
漏EF网络效率
线性增益
热阻
V
DS
= 50V我
DS
=2.6mA
I
GS
= - 1.3毫安
V
DS
=50V
I
DS （ DC ）
=100mA
f=3.5GHz
渠道情况
-
14.0
-
-1.0
-
40.0
极限
典型值。马克斯。
-2.0
-350
41.0
60
15.0
4.5
-3.5
-
-
-
-
5.5
单位
V
V
DBM
%
dB
o
C / W
1.0版
2005年6月
1
EGN010MK
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
输出功率与频率的关系
V
DS
= 50V我
DS （ DC ）
=100mA
输出功率和漏极效率与输入功率
V
DS
= 50V我
DS （ DC ）
= 100毫安F = 3.5GHz的
42
40
38
42
40
38
输出功率[ dBm的]
36
34
32
30
28
26
24
22
产量
动力
100
90
80
漏极效率（％）
300
噘嘴[ dBm的]
36
34
32
30
28
26
70
60
24
3.35 3.40 3.45 3.50 3.55 3.60 3.65 3.70 3.75
频率[ GHz的]
Pin=14dBm
Pin=26dBm
Pin=18dBm
Pin=30dBm
输出功率和漏极效率与输入功率
V
DS
= 50V我
DS （ DC ）
= 100毫安F = 2.17GHz
42
40
38
输出功率[ dBm的]
36
34
32
30
28
26
24
22
总功耗[ W]
产量
动力
P
e
r
im
l
Pin=22dBm
a
n
i
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
y
r
50
40
漏
艾菲。
30
20
10
0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
输入功率[ dBm的]
功率降额曲线
100
90
80
漏极效率（％）
70
60
50
40
漏
艾菲。
30
20
10
0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
输入功率[ dBm的]
100
200
外壳温度[
℃
]
2
Eudyna的GaN -HEMT 10W
初步
特点
高
工作电压： V
DS
=50V
高
功率： 41.0dBm （典型值） @ P
3dB
高
效率： 60 ％ （典型值） @ P
3dB
◆线性
增益： 15分贝（典型值） @ F = 3500MHz
·宽
频率范围： 800 3700MHz
·成熟
可靠性
EGN010MK
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
描述
Eudyna的氮化镓HEMT提供高效率，易搭配，更大
高功率L波段放大器的一致性和广泛的带宽
50V操作，并为您提供更高的增益。
该器件的目标应用是低电流和宽带
应用高电压。
绝对最大额定值
项
符号
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
V
DS
V
GS
P
t
T
英镑
T
ch
条件
Tc=25
o
C
推荐运行条件（案例温度Tc = 25
o
C)
项
符号
V
DS
I
GF
I
GR
T
ch
直流输入电压
正向栅电流
反向栅电流
通道温度
r
P
im
l
e
条件
R
G
=50
R
G
=50
V
p
V
GDO
P
3dB
η
d
G
L
R
th
a
n
i
等级
极限
50
<2.0
>-0.5
200
120
-5
40.9
-65到+175
250
y
r
单位
V
V
W
o
C
o
C
单位
V
mA
mA
o
C
电气特性（案例温度Tc = 25
o
C)
项
符号条件
分钟。
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
3分贝增益压缩功率
漏EF网络效率
线性增益
热阻
V
DS
= 50V我
DS
=2.6mA
I
GS
= - 1.3毫安
V
DS
=50V
I
DS （ DC ）
=100mA
f=3.5GHz
渠道情况
-
14.0
-
-1.0
-
40.0
极限
典型值。马克斯。
-2.0
-350
41.0
60
15.0
4.5
-3.5
-
-
-
-
5.5
单位
V
V
DBM
%
dB
o
C / W
1.0版
2005年6月
1
EGN010MK
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
输出功率与频率的关系
V
DS
= 50V我
DS （ DC ）
=100mA
输出功率和漏极效率与输入功率
V
DS
= 50V我
DS （ DC ）
= 100毫安F = 3.5GHz的
42
40
38
42
40
38
输出功率[ dBm的]
36
34
32
30
28
26
24
22
产量
动力
100
90
80
漏极效率（％）
300
噘嘴[ dBm的]
36
34
32
30
28
26
70
60
24
3.35 3.40 3.45 3.50 3.55 3.60 3.65 3.70 3.75
频率[ GHz的]
Pin=14dBm
Pin=26dBm
Pin=18dBm
Pin=30dBm
输出功率和漏极效率与输入功率
V
DS
= 50V我
DS （ DC ）
= 100毫安F = 2.17GHz
42
40
38
输出功率[ dBm的]
36
34
32
30
28
26
24
22
总功耗[ W]
产量
动力
P
e
r
im
l
Pin=22dBm
a
n
i
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
y
r
50
40
漏
艾菲。
30
20
10
0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
输入功率[ dBm的]
功率降额曲线
100
90
80
漏极效率（％）
70
60
50
40
漏
艾菲。
30
20
10
0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
输入功率[ dBm的]
100
200
外壳温度[
℃
]
2
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