新产品
EGF1T
威世通用半导体
表面安装玻璃钝化整流超快
特点
腔的玻璃钝化结
适合自动放置
超快反向恢复时间
低开关损耗,效率高
雪崩能量浪涌能力
符合环保标准MIL -S- 19500
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
250℃峰值
浸焊260 ° C, 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
泰德*
ATEN
P
*玻璃钢封装
技术覆盖专利
3996602号,钎焊引线
大会以专利号3930306
并导致了专利号5151846成形
DO- 214BA ( GF1 )
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
t
rr
E
AS
T
J
马克斯。
1.0 A
1300 V
20 A
75纳秒
15兆焦耳
150 °C
在闪光灯的高压整流使用
应用程序。
机械数据
案例:
DO- 214BA ,模压塑料在玻璃体内
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须测试, HE3后缀为高可靠性等级
( AEC Q101标准) ,符合JESD 201 2级
晶须测试
极性:
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量在T
A
= 25 ° C,I
AS
= 1 , L = 30毫亨
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
E
AS
T
J
, T
英镑
符号
EGF1T
ET
1300
910
1300
1.0
20
15
- 55至+ 150
V
V
V
A
A
mJ
°C
单位
文档编号: 88904
修订: 13 08年5月
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
EGF1T
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大正向电压
反向电流最大DC
(2)
典型的反向恢复时间
典型结电容
注意事项:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
( 2 )脉冲测试:脉冲宽度
≤
40毫秒
(1)
测试条件
1.0 A
V
RM
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
F
I
R
t
rr
C
J
EGF1T
3.0
5.0
50
75
8.0
单位
V
A
ns
pF
I
F
= 0.5 A,I
R
=1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V, 1 MHz的
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻
(1)
注意:
( 1 )从结点到环境的热阻结点到铅,PCB安装在0.95 X 0.95" ( 24 ×24 MM)铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
EGF1T
50
20
单位
° C / W
订购信息
(例)
首选的P / N
EGF1T-E3/67A
EGF1T-E3/5CA
EGF1THE3/67A
(1)
EGF1THE3/5CA
(1)
单位重量(g )
0.104
0.104
0.104
0.104
首选包装代码
67A
5CA
67A
5CA
基地数量
1500
6500
1500
6500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
注意:
( 1 )汽车级AEC Q101标准
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
1.5
25
平均正向电流( A)
正向浪涌电流( A)
20
1.0
15
10
0.5
5
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
T
L
- 焊接温度( ° C)
数
循环的
图1.最大正向电流降额曲线
图2.最大非重复正向浪涌电流
www.vishay.com
2
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PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
文档编号: 88904
修订: 13 08年5月
新产品
EGF1T
威世通用半导体
100
100
正向电流(A )
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
结电容(pF )
1
10
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容每支架
100
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
100
瞬态热阻抗( ℃/ W)
瞬时反向漏
电流( μA )
10
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图4.典型的反向漏电特性
图6.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO- 214BA ( GF1 )
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.076 (1.93)
马克斯。
0.066 (1.68)
0.040 (1.02)
0.187 (4.75)
0.167 (4.24)
0.015 (0.38)
0.0065 (0.17)
0.060 (1.52)
分钟。
0.118 (3.00)
0.100 (2.54)
0.108 (2.74)
0.098 (2.49)
0.220 (5.58)
REF 。
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.006 ( 0.152 ) TYP 。
0.226 (5.74)
0.196 (4.98)
0.114 (2.90)
0.094 (2.39)
文档编号: 88904
修订: 13 08年5月
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法律免责声明
日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的,在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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威世通用半导体
表面安装玻璃钝化整流超快
特点
腔的玻璃钝化结
适合自动放置
超快反向恢复时间
低开关损耗,效率高
雪崩能量浪涌能力
符合环保标准MIL -S- 19500
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
250℃峰值
浸焊260 ° C, 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
泰德*
ATEN
P
*玻璃钢封装
技术覆盖专利
3996602号,钎焊引线
大会以专利号3930306
并导致了专利号5151846成形
DO- 214BA ( GF1 )
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
t
rr
E
AS
T
J
马克斯。
1.0 A
1300 V
20 A
75纳秒
15兆焦耳
150 °C
在闪光灯的高压整流使用
应用程序。
机械数据
案例:
DO- 214BA ,模压塑料在玻璃体内
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须测试, HE3后缀为高可靠性等级
( AEC Q101标准) ,符合JESD 201 2级
晶须测试
极性:
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量在T
A
= 25 ° C,I
AS
= 1 , L = 30毫亨
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
E
AS
T
J
, T
英镑
符号
EGF1T
ET
1300
910
1300
1.0
20
15
- 55至+ 150
V
V
V
A
A
mJ
°C
单位
文档编号: 88904
修订: 13 08年5月
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威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大正向电压
反向电流最大DC
(2)
典型的反向恢复时间
典型结电容
注意事项:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
( 2 )脉冲测试:脉冲宽度
≤
40毫秒
(1)
测试条件
1.0 A
V
RM
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
F
I
R
t
rr
C
J
EGF1T
3.0
5.0
50
75
8.0
单位
V
A
ns
pF
I
F
= 0.5 A,I
R
=1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V, 1 MHz的
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻
(1)
注意:
( 1 )从结点到环境的热阻结点到铅,PCB安装在0.95 X 0.95" ( 24 ×24 MM)铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
EGF1T
50
20
单位
° C / W
订购信息
(例)
首选的P / N
EGF1T-E3/67A
EGF1T-E3/5CA
EGF1THE3/67A
(1)
EGF1THE3/5CA
(1)
单位重量(g )
0.104
0.104
0.104
0.104
首选包装代码
67A
5CA
67A
5CA
基地数量
1500
6500
1500
6500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
注意:
( 1 )汽车级AEC Q101标准
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
1.5
25
平均正向电流( A)
正向浪涌电流( A)
20
1.0
15
10
0.5
5
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
T
L
- 焊接温度( ° C)
数
循环的
图1.最大正向电流降额曲线
图2.最大非重复正向浪涌电流
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威世通用半导体
100
100
正向电流(A )
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
结电容(pF )
1
10
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容每支架
100
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
100
瞬态热阻抗( ℃/ W)
瞬时反向漏
电流( μA )
10
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图4.典型的反向漏电特性
图6.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO- 214BA ( GF1 )
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.076 (1.93)
马克斯。
0.066 (1.68)
0.040 (1.02)
0.187 (4.75)
0.167 (4.24)
0.015 (0.38)
0.0065 (0.17)
0.060 (1.52)
分钟。
0.118 (3.00)
0.100 (2.54)
0.108 (2.74)
0.098 (2.49)
0.220 (5.58)
REF 。
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.006 ( 0.152 ) TYP 。
0.226 (5.74)
0.196 (4.98)
0.114 (2.90)
0.094 (2.39)
文档编号: 88904
修订: 13 08年5月
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
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产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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