陶瓷谐振器，芯片型号
陶瓷谐振器，芯片型号
（ 3阵列类型）
类型：
EFOS
类型：
EFOB
类型：
EFOSS
类型：
EFOSM
类型：
EFOBM
类型：
EFOJM
●
装在一个陶瓷封装
●
对焊接热和机械可靠性高
应力
●
防潮密封
●
1.2毫米最大（ SS / SM / BM / JM ）
●
专为再溢流焊接
●
平底板为更好的安装件
●
通过减少数量简化网络连接的ES振荡电路
电路部分
●
符合RoHS
■
特点
■
推荐应用
●
微处理器时钟发生器
●
电信设备之间的载波电路
（电话到电话，个人计算机到打印机）
■
操作注意事项
（见第175页至176页）
■
包装特定网络阳离子
请参阅第169页至177
■
零件编号的说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
E
F
O
3
5
8
4
设计号
包装风格
B散装
压花
E
TAPING
频率
公差
±1.0
%
0
±0.3
%
3
±0.5
%
5
产品编号
陶瓷的
EFO
谐振器
TYPE
内置电容器
3 ，终端类型
2至13兆赫
S
13.1到20 MHz
B
额定振荡
频率
3584
3.58兆赫
1695 16.93兆赫
（例）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
E
F
产品编号
陶瓷的
EFO
谐振器
O
TYPE
内置电容器
3 ，终端类型
4到13兆赫
SS
4到13兆赫
SM
12至20兆赫
BM
16至20兆赫
JM
30至50兆赫
4
0
0
4
设计号
包装风格
B散装
压花
E
TAPING
频率
公差
±1.0
%
0
±0.3
%
3
±0.5
%
5
额定振荡
频率
4004
4.00兆赫
1695 16.93兆赫
2005年20.00兆赫
4005 40.00兆赫
（例）
产品型号
EFOS
EFOB
EFOSS
EFOSM
EFOBM
EFOJM
频带
（兆赫）
2.00 8.39
8.40至13.0
13.1 20.0
4.00至8.39
8.40至13.0
4.00至8.39
8.40至13.0
12.0 20.0
16.0 20.0
30.0 50.0
频率温度特性
（ -20至+ 80 ° C）
±0.2 %
±1.0 %
±0.5 %
±0.2 %
±0.3 %
±0.2 %
±1.0 %
±0.3 %
±0.5 %
±0.2 %
内置电容器
（参考）
33 pF的
33 pF的
21 pF的
33 pF的
18 pF的
10 pF的
设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。
2009年2月1日
- EC166 -
陶瓷谐振器，芯片型号
■
尺寸以毫米（不按比例）
推荐焊盘尺寸
[类型EFOS ] ····· 2.0
以13.0兆赫
振荡频率
序列号
1.60±0.20
[类型EFOS ， EFOSM ]
2.5
2.5
(7.30)
终奌站
电极
7.80
+0.50
–0.20
6-(1.30)
(2.70)
4.2
3.20
+0.30
–0.20
3-0.9 1.2
6–R(0.20)
6-(1.00)
2.50±0.20
2.50±0.20
[类型EFOSM ] ····· 4.0
以13.0兆赫
振荡频率
序列号
终奌站
电极
(7.30)
1.20最大。
(2.70)
3.20
–0.20
+0.30
7.80
–0.20
+0.50
6–R(0.20)
3–(1.00)
2.50±0.20
2.50±0.20
[类型EFOSS ] ····· 4.0
以13.0兆赫
振荡频率
序列号
1.20最大。
[类型EFOSS ]
1.5
1.5
终奌站
电极
(0.15)
4.50±0.20
1.6
2.00±0.30
3-0.55
3–(0.55)
2–1.50±0.20
6–(0.60)
3-0.8
[类型EFOB ] ····· 13.1
20.0兆赫
振荡频率
序列号
1.60±0.20
[类型EFOB ]
1.9
(2.70)
1.9
(5.00)
终奌站
电极
6–(1.20)
5.50
–0.20
+0.50
3.20
–0.15
6–R(0.20)
6–(1.20)
+0.25
3-1.2
1.90±0.20
1.90±0.20
设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。
4.2
2.6
(1.60)
2009年2月1日
- EC167 -
陶瓷谐振器，芯片型号
■
尺寸以毫米（不按比例）
推荐焊盘尺寸
[类型EFOBM ] ····· 12.0
20.0兆赫
振荡频率
序列号
1.20最大。
[类型EFOBM ]
1.351.35
4.10±0.20
6–R(0.20)
3–(0.80)
2–1.35±0.20
2.90±0.30
3-0.8
[类型EFOJM ] ····· 16.0
到20.0 ， 30.0至50.0兆赫
振荡频率
序列号
1.20最大。
[类型EFOJM ]
1.6 1.6
(3.10)
3.60
–0.20
+0.30
4.40
+0.50
–0.20
6–R(0.20)
3–(0.80)
2–1.60±0.20
3-0.7 1.0
■
测试电路框图
对于振荡电路
+5 V
IC
14 13
1 2 3
1M
11
4
5
9
7
IN
V1
+5 V
IC
14 13
1 2 3
1M
G = 20日志（ V0 / V1 ）
OUT
FET探头
V0
10米分钟。
2 pF的最大值。
陶瓷谐振器
11
4
5
9
7
对于环路增益
0.01
频率
2.00至8.39兆赫
4.6
终奌站
电极
(3.90)
3.9
终奌站
电极
(3.70)
(2.40)
IC
PD4069UBC,
TC4069UBP
或同级
PD74HCU,
TC74 HCU04AP
或同级
频率计数器
T.G.
产量
=–20dBm
陶瓷谐振器
8.40 50.0兆赫
设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。
2009年2月1日
- EC168 -
陶瓷谐振器，芯片型号
■
典型特征·····温度特性
类型EFOS
类型EFOB
键入EFOSS
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
2.0至8.39兆赫
8.4至13 MHz的
–20 0 20 40 60 80
温度（℃）
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–20 0 20 40 60 80
温度（℃）
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
振荡频率漂移（ ％ ）
振荡频率漂移（ ％ ）
振荡频率漂移（ ％ ）
4.0至8.39兆赫
8.4至13 MHz的
–20 0 20 40 60 80
温度（℃）
TYPE
EFOSM
TYPE
EFOBM
TYPE
EFOJM
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
2.0至8.39兆赫
8.4至13 MHz的
–20 0 20 40 60 80
温度（℃）
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–20 0 20 40 60 80
温度（℃）
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
振荡频率漂移（ ％ ）
振荡频率漂移（ ％ ）
振荡频率漂移（ ％ ）
30至50兆赫
16至20兆赫
–20 0 20 40 60 80
温度（℃）
■
包装特定网络阳离子
●
标准包装数量
TYPE
EFOS ， EFOSM
EFOSS
EFOB ， EFOBM ， EFOJM
压纹带卷
2500件/卷
2000件/卷
1000件/卷
500件/袋
体积
●
尺寸以mm为卷轴（不按比例）
T
[类型EFOS ， EFOSM ]
DIM 。
(mm)
φA
330±5
W
16.4
+2.0
0
φB
80分钟。
T
22.4 MAX 。
C
13.0±0.5
t
3最大。
D
21.0±0.8
r
1.0
E
2.0±0.5
E
C
φ
B
DIM 。
(mm)
r
D
[类型EFOSS ， EFOB ， EFOBM ， EFOJM ]
DIM 。
(mm)
φA
180±5
W
12.4
+2.0
0
φB
60分钟。
T
18.4 MAX 。
C
13.0±0.5
t
3最大。
D
21.0±0.8
r
1.0
E
2.0±0.5
φ
A
W
t
DIM 。
(mm)
设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。
2009年2月1日
- EC169 -
陶瓷谐振器，芯片型号
[类型EFOS ， EFOSM ]
t
1
进料口
φD
0
容屑槽
F ê
3.20
[类型EFOSS ]
t
1
进料口
P
0
φD
0
容屑槽
P
2
F ê
W
2.00
4.50
E
P
1
t
2
2009年2月1日
B
W
7.80
A
t
2
P
1
P
0
P
2
B
A
磁带运行
方向
P
1
大盘运行方向
芯片的直流电阻
t
2
片式元件
DIM 。
(mm)
DIM 。
(mm)
A
3.7±0.2
P
2
2.0±0.1
B
W
F
E
P
1
8.3±0.2 16.0±0.3 7.5±0.1 1.75±0.10 8.0±0.1
P
0
4.0±0.1
φD
0
1.5
+0.1
0
t
1
0.3
t
2
3.5最大。
DIM 。
(mm)
DIM 。
(mm)
A
2.6±0.2
P
2
2.0±0.1
B
W
F
5.1±0.2 12.0±0.3 5.5±0.1 1.75±0.10 4.0±0.1
P
0
4.0±0.1
φD
0
1.5
+0.1
0
t
1
0.6最大。 3.0最大。
[类型EFOB ， EFOBM ， EFOJM ]
进料口
t
1
φD
0
容屑槽
3.60
F ê
W
A
t
2
P
1
P
2
P
0
类型EFOJM
（例）
大盘运行方向
W
F
E
P
1
片式元件
A
1
P
2
2.0±0.1
暗淡。 （毫米）
B
2
P
0
4.0±0.1
DIM 。
(mm)
DIM 。
(mm)
12.0±0.3 5.5±0.1 1.75±0.10 8.0±0.1
φD
0
1.5
+0.1
0
t
1
t
2
0.6最大。 3.0最大。
A
1
B
2
6.0±0.2
4.6±0.2
4.9±0.2
类型EFOB
类型EFOBM
类型EFOJM
3.7±0.2
3.4±0.2
4.1±0.2
设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。
4.40
B
- EC170 -
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