Excelics
初步数据表
+ 33.5dBm典型输出功率
18.0分贝典型功率增益为2GHz
高BVgd FOR 10V偏压
0.5 X 4800 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化和镀HEAT SINK
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序80毫安PER BIN范围
'
EFC480C
低失真功率的GaAs FET
'
6
*
6
*
6
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
F = 2GHz的
F = 4GHz的
F = 2GHz的
F = 4GHz的
F = 2GHz的
O
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
32.0
16.0
典型值
33.5
33.5
18.0
12.5
40
最大
单位
DBM
dB
%
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， IDS = 10毫安
640
200
960
560
-2.5
1440
mA
mS
-4.0
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 4.8毫安
源极击穿电压的Ig = 4.8毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-15
-10
-20
-17
12
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
14V
10V
VDS
栅源电压
-8V
-4.5V
VGS
漏电流
IDSS
960mA
IDS
正向栅电流
120mA
20mA
Igsf
输入功率
32dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
11.4 W
9.5 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFC480C
初步数据表
低失真功率的GaAs FET
S-参数
频率
GHz的
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
5.500
6.000
6.500
7.000
7.500
8.000
8.500
9.000
9.500
10.000
注意：
---S11---
MAG
昂
0.937 -106.2
0.897 -134.9
0.897 -151.8
0.897 -161.0
0.898 -167.2
0.895 -171.8
0.890 -175.4
0.850 -176.6
0.901 177.7
0.899 174.5
0.900 172.5
0.901 170.8
0.902 169.6
0.893 168.8
0.904 170.7
0.919 169.5
0.918 169.2
0.924 168.7
0.927 168.0
0.932 167.3
10V ， 1/2的Idss
---S21---
MAG ANG
10.161 120.8
6.389 104.7
4.443 93.5
3.370 85.4
2.695 79.2
2.231 73.9
1.894 69.4
1.654 66.9
1.535 59.9
1.357 55.2
1.208 51.4
1.087 48.2
0.999 45.8
0.941 43.3
0.916 39.2
0.840 34.2
0.783 31.0
0.729 27.9
0.687 24.5
0.647 22.3
---S12---
MAG ANG
0.022 35.8
0.028 26.4
0.028 21.5
0.029 19.0
0.030 20.2
0.030 19.5
0.030 20.9
0.026 27.6
0.032 23.1
0.031 25.8
0.031 28.1
0.031 30.4
0.032 32.0
0.033 37.1
0.037 34.8
0.036 35.0
0.038 36.6
0.037 37.6
0.038 39.8
0.040 42.4
---S22---
MAG
昂
0.518 -166.8
0.505 -168.3
0.524 -171.2
0.533 -173.0
0.539 -173.8
0.542 -174.2
0.542 -173.9
0.560 -172.2
0.607 -169.5
0.617 -170.8
0.620 -171.8
0.619 -172.8
0.616 -172.6
0.637 -171.2
0.669 -172.8
0.681 -175.0
0.693 -176.9
0.701 -178.6
0.706 -179.3
0.716 179.8
这些数据包括0.7密耳直径的Au键合线：
2栅极布线，每20密耳; 2屏蔽线，每12密耳; 6源电线，每7密耳。
Excelics
初步数据表
+ 33.5dBm典型输出功率
18.0分贝典型功率增益为2GHz
高BVgd FOR 10V偏压
0.5 X 4800 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化和镀HEAT SINK
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序80毫安PER BIN范围
'
EFC480C
低失真功率的GaAs FET
'
6
*
6
*
6
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
F = 2GHz的
F = 4GHz的
F = 2GHz的
F = 4GHz的
F = 2GHz的
O
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
32.0
16.0
典型值
33.5
33.5
18.0
12.5
40
最大
单位
DBM
dB
%
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， IDS = 10毫安
640
200
960
560
-2.5
1440
mA
mS
-4.0
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 4.8毫安
源极击穿电压的Ig = 4.8毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-15
-10
-20
-17
12
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
14V
10V
VDS
栅源电压
-8V
-4.5V
VGS
漏电流
IDSS
960mA
IDS
正向栅电流
120mA
20mA
Igsf
输入功率
32dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
11.4 W
9.5 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFC480C
初步数据表
低失真功率的GaAs FET
S-参数
频率
GHz的
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
5.500
6.000
6.500
7.000
7.500
8.000
8.500
9.000
9.500
10.000
注意：
---S11---
MAG
昂
0.937 -106.2
0.897 -134.9
0.897 -151.8
0.897 -161.0
0.898 -167.2
0.895 -171.8
0.890 -175.4
0.850 -176.6
0.901 177.7
0.899 174.5
0.900 172.5
0.901 170.8
0.902 169.6
0.893 168.8
0.904 170.7
0.919 169.5
0.918 169.2
0.924 168.7
0.927 168.0
0.932 167.3
10V ， 1/2的Idss
---S21---
MAG ANG
10.161 120.8
6.389 104.7
4.443 93.5
3.370 85.4
2.695 79.2
2.231 73.9
1.894 69.4
1.654 66.9
1.535 59.9
1.357 55.2
1.208 51.4
1.087 48.2
0.999 45.8
0.941 43.3
0.916 39.2
0.840 34.2
0.783 31.0
0.729 27.9
0.687 24.5
0.647 22.3
---S12---
MAG ANG
0.022 35.8
0.028 26.4
0.028 21.5
0.029 19.0
0.030 20.2
0.030 19.5
0.030 20.9
0.026 27.6
0.032 23.1
0.031 25.8
0.031 28.1
0.031 30.4
0.032 32.0
0.033 37.1
0.037 34.8
0.036 35.0
0.038 36.6
0.037 37.6
0.038 39.8
0.040 42.4
---S22---
MAG
昂
0.518 -166.8
0.505 -168.3
0.524 -171.2
0.533 -173.0
0.539 -173.8
0.542 -174.2
0.542 -173.9
0.560 -172.2
0.607 -169.5
0.617 -170.8
0.620 -171.8
0.619 -172.8
0.616 -172.6
0.637 -171.2
0.669 -172.8
0.681 -175.0
0.693 -176.9
0.701 -178.6
0.706 -179.3
0.716 179.8
这些数据包括0.7密耳直径的Au键合线：
2栅极布线，每20密耳; 2屏蔽线，每12密耳; 6源电线，每7密耳。
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