订购数量： ENA1477
EFC4612R
三洋半导体
数据表
EFC4612R
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
2.5V驱动器。
内置栅极保护电阻器。
最适合于的LiB充电和放电开关。
共漏型。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
源 - 源极电压
栅极 - 源极电压
源电流（ DC）的
源电流（脉冲）
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VssS
VGSS
IS
ISP
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 5000毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
24
±12
6
60
1.6
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
源 - 源极击穿电压
零栅极电压源电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） SSS
ISSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
条件
IS = 1mA时， VGS = 0V
VSS = 20V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VSS = 0V
VSS = 10V ， IS = 1毫安
VSS = 10V ， IS = 3A
测试电路1
测试电路1
测试电路2
测试电路3
测试电路4
0.5
3.1
评级
民
24
1
±10
1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
标记： FN
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
O0709PF TK IM TC- 00001996号A1477-1 / 5
EFC4612R
从接下页。
参数
符号
RSS(on)1
RSS(on)2
静态源 - 源导通电阻
RSS(on)3
RSS(on)4
RSS(on)5
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
音频（S-S ）
条件
IS = 3A ， VGS = 4.5V
IS = 3A ， VGS = 4.0V
IS = 3A ， VGS = 3.7V
IS = 3A ， VGS = 3.1V
IS = 3A ， VGS = 2.5V
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VSS = 10V ， VGS = 4.5V ， IS = 6A
IS = 3A ， VGS = 0V
测试电路6
测试电路5
测试电路5
测试电路5
测试电路5
测试电路5
测试电路7
测试电路7
测试电路7
测试电路7
评级
民
24
25
27.5
31.5
33.5
典型值
39
41
43
48
58
20
230
130
210
7
0.8
1.2
最大
45
48
50
57
72
单位
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
ns
ns
ns
ns
nC
V
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
转发源 - 源电压
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7064-001
电气连接
1
1.26
4
3
Rg
2
1.26
1
2
0.22
Rg
3
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ： GATE2
4 ：源2
0.15
Rg=200Ω
4
0.65
1
0.65
2
4
3
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ： GATE2
4 ：源2
0.3
三洋： EFCP1313-4CC -037
第A1477-2 / 5
EFC4612R
10.0V
4.5V
6.0
5.5
5.0
IS - VSS
2.5V
6
IS - VGS
VSS=10V
源出电流，是 - 个
源出电流，是 - 个
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
4.0V 3.1V
5
4
V SS = 1.5V
3
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
0.5
1.0
25
°
C
--25
°
C
1.5
2
Ta=7
5
°
C
2.0
IT14681
源 - 源极电压， VSS - V
140
RSS （上） - VGS
IT14720
140
栅极 - 源极电压VGS - V
RSS （上） - TA
静态源 - 源
通态电阻， RSS （上） - 毫欧
120
100
80
60
40
20
0
静态源 - 源
通态电阻， RSS （上） - 毫欧
Ta=25°C
IS=3A
120
100
80
60
40
20
0
--60
A
I =3
.7V ，S
=3
VGS
3A
， I S =
2.5V
=
3A
VGS
， I S =
3.1V
=
VGS
A
， I S = 3
=4.5V
V GS
3A
.0V ， I S =
S=4
VG
--40 --20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
2
4
6
8
10
IT14682
栅极 - 源极电压VGS - V
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0
0.2
IS - 音频（S-S ）
环境温度，钽 -
°
C
1000
7
SW时间 - IS
IT14683
VGS=0V
切换时间， SW时间 - NS
5
3
2
VSS=10V
VGS=4.5V
源出电流，是 - 个
TD （关闭）
tf
100
7
5
3
2
10
0.01
tr
C
25
°
C
--25
°
C
Ta=7
5
°
TD （上）
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT14684
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
IT14685
转发源 - 源极电压， VF （S -S ） - V
4.5
4.0
3.5
VGS - 的Qg
源出电流，是 - 个
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
栅极 - 源极电压VGS - V
VSS=10V
IS=6A
源出电流，是 - 个
ISP=60A
PW≤10μs
10
0
μ
s
1m
s
10
10毫秒
DC
0m
op
s
ERA
TIO
n
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
IT14686
IS=6A
在这一领域
通过RSS（上）的限制。
Ta=25°C
单脉冲
当安装在陶瓷基体（ 5000毫米
2
×0.8mm)
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
0.01
0.01
总栅极电荷QG - 数控
源 - 源极电压， VSS - V
IT14721
第A1477-4 / 5
EFC4612R
1.8
1.6
PT - TA
当安装在陶瓷基板
(5000mm
2
×0.8mm)
总功耗， PT - 含
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT14722
注意使用情况：由于EFC4612R是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和录音，或任何信息存储或检索系统，或
否则，没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照应
授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或
第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任
党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
本产品目录提供的信息截至10月， 2009年说明和信息，在此受
更改，恕不另行通知。
PS第A1477-5 / 5
订购数量： ENA1477B
EFC4612R
三洋半导体
数据表
EFC4612R
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
2.5V驱动
内置栅极保护电阻
最适合的LiB充电和放电开关
共漏型
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
源 - 源极电压
栅极 - 源极电压
源电流（ DC）的
源电流（脉冲）
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VssS
VGSS
IS
ISP
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 5000毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
24
±12
6
60
1.6
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7064-001
1.26
4
3
产品&包装信息
包
： EFCP
JEITA ， JEDEC
:-
最小包装数量： 5000个/卷。
EFC4612R-TR
大坪类型： TR
记号
1.26
TR
FN
LOT号
1
2
0.22
电气连接
1
0.15
Rg
0.65
1
0.65
2
2
4
3
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ： GATE2
4 ：源2
0.3
Rg
3
三洋： EFCP1313-4CC -037
Rg=200Ω
4
http://www.sanyosemi.com/en/network/
O2412 TKIM / 10511 TKIM / O0709PF TKIM TC- 00001996号A1477-1 / 8
EFC4612R
电气特性
在TA = 25℃
参数
源 - 源极击穿电压
零栅极电压源电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） SSS
ISSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RSS(on)1
RSS(on)2
静态源 - 源导通电阻
RSS(on)3
RSS(on)4
RSS(on)5
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
转发源 - 源电压
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
音频（S-S ）
条件
IS = 1mA时， VGS = 0V
VSS = 20V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VSS = 0V
VSS = 10V ， IS = 1毫安
VSS = 10V ， IS = 3A
IS = 3A ， VGS = 4.5V
IS = 3A ， VGS = 4.0V
IS = 3A ， VGS = 3.7V
IS = 3A ， VGS = 3.1V
IS = 3A ， VGS = 2.5V
测试电路1
测试电路1
测试电路2
测试电路3
测试电路4
测试电路5
测试电路5
测试电路5
测试电路5
测试电路5
24
25
27.5
31.5
33.5
0.5
3.1
39
41
43
48
58
20
请参阅特定网络版测试电路。
测试电路7
230
130
210
VSS = 10V ， VGS = 4.5V ， IS = 6A
IS = 3A ， VGS = 0V
测试电路6
7
0.8
1.2
45
48
50
57
72
评级
民
24
1
±10
1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
ns
ns
ns
ns
nC
V
订购信息
设备
EFC4612R-TR
包
EFCP
航运
5,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1477-2 / 8
EFC4612R
10.0V
4.5V
6.0
5.5
5.0
IS - VSS
2.5V
6
IS - VGS
VSS=10V
源出电流，是 - 个
源出电流，是 - 个
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
4.0V 3.1V
5
4
V GS = 1.5V
3
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
0.5
1.0
25
°
C
--25
°
C
1.5
2
Ta=7
5
°
C
2.0
IT14681
源 - 源极电压， VSS - V
140
RSS （上） - VGS
IT14720
140
栅极 - 源极电压VGS - V
RSS （上） - TA
静态源 - 源
通态电阻， RSS （上） - 毫欧
120
100
80
60
40
20
0
静态源 - 源
通态电阻， RSS （上） - 毫欧
Ta=25°C
IS=3A
120
100
80
60
40
20
0
--60
A
I =3
.7V ，S
=3
VGS
3A
， I S =
2.5V
=
3A
VGS
， I S =
3.1V
=
VGS
A
， I S = 3
=4.5V
V GS
3A
.0V ， I S =
S=4
VG
--40 --20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
2
4
6
8
10
IT14682
栅极 - 源极电压VGS - V
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0
0.2
IS - 音频（S-S ）
环境温度，钽 -
°
C
1000
7
SW时间 - IS
IT14683
VGS=0V
切换时间， SW时间 - NS
5
3
2
VSS=10V
VGS=4.5V
源出电流，是 - 个
TD （关闭）
tf
100
7
5
3
2
10
0.01
tr
C
25
°
C
--25
°
C
Ta=7
5
°
TD （上）
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT14684
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
IT14685
转发源 - 源极电压， VF （S -S ） - V
4.5
4.0
3.5
VGS - 的Qg
源出电流，是 - 个
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
栅极 - 源极电压VGS - V
VSS=10V
IS=6A
源出电流，是 - 个
ISP=60A
PW≤10μs
10
0
μ
s
1m
s
10
10毫秒
DC
0m
op
s
ERA
TIO
n
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
IT14686
IS=6A
在这一领域
通过RSS（上）的限制。
Ta=25°C
单脉冲
当安装在陶瓷基体（ 5000毫米
2
×0.8mm)
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
0.01
0.01
总栅极电荷QG - 数控
源 - 源极电压， VSS - V
IT14721
第A1477-4 / 8
QQ：2880707522 复制
