Excelics
初步数据表
+ 31.0dBm典型输出功率
8.5分贝典型功率增益为12 GHz
高BVgd FOR 10V偏压
0.3 X 2400 MICRON RECESSED
“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序40毫安PER BIN范围
50
D
D
EFC240B
低失真功率的GaAs FET
960
156
D
D
48
350
40
S
G
S
120
G
S
G
S
G
S
100
95
50
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 6毫安
O
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
29.0
7.0
典型值
31.0
31.0
8.5
6.0
33
最大
单位
DBM
dB
%
320
200
520
280
-2.5
720
mA
mS
-4.0
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 2.4毫安
源极击穿电压的Ig = 2.4毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-15
-10
-20
-17
20
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
14V
10V
VDS
栅源电压
-8V
-4.5V
VGS
漏电流
IDSS
570mA
IDS
正向栅电流
60mA
10mA
Igsf
输入功率
29dBm
@ 3分贝压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
6.8 W
5.7 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFC240B
初步数据表
低失真功率的GaAs FET
S-参数
10V ， 1/2的Idss
频率
GHz的
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
6.000
7.000
8.000
9.000
10.000
11.000
12.000
13.000
14.000
15.000
16.000
17.000
18.000
19.000
20.000
21.000
22.000
23.000
24.000
25.000
26.000
S11
MAG
0.944
0.915
0.907
0.907
0.912
0.911
0.920
0.915
0.919
0.922
0.925
0.932
0.933
0.939
0.941
0.945
0.946
0.952
0.955
0.955
0.954
0.948
0.958
0.956
0.961
0.954
S11
昂
-86.7
-125.9
-144.8
-155.6
-161.6
-166.1
-169.0
-171.1
-173.3
-176.1
-179.2
178.8
177.0
175.4
172.9
170.6
169.7
170.3
170.4
168.7
160.5
158.1
157.0
156.1
155.3
153.5
S21
MAG
7.064
4.551
3.217
2.450
1.929
1.596
1.362
1.181
1.040
0.922
0.826
0.747
0.681
0.622
0.569
0.522
0.483
0.452
0.421
0.387
0.359
0.327
0.303
0.275
0.251
0.232
S21
昂
130.8
104.6
89.3
78.1
69.0
60.9
54.1
47.7
41.7
35.7
30.0
24.7
19.1
13.8
8.5
3.0
-2.1
-7.0
-12.7
-18.0
-23.1
-26.7
-30.7
-33.9
-36.4
-39.0
S12
MAG
0.041
0.052
0.055
0.054
0.052
0.050
0.049
0.047
0.045
0.041
0.041
0.039
0.037
0.035
0.035
0.035
0.035
0.034
0.034
0.035
0.034
0.035
0.035
0.036
0.038
0.036
S12
昂
41.9
22.7
13.2
6.7
2.7
0.1
-2.2
-3.4
-4.5
-5.2
-6.2
-7.5
-7.5
-7.7
-7.0
-6.4
-7.5
-6.2
-6.5
-3.8
-5.3
-2.1
0.6
2.9
7.7
10.4
S22
MAG
0.296
0.374
0.409
0.433
0.460
0.487
0.512
0.549
0.586
0.620
0.647
0.673
0.690
0.716
0.739
0.752
0.764
0.776
0.791
0.813
0.835
0.847
0.870
0.876
0.887
0.897
S22
昂
-132.9
-146.8
-152.2
-154.1
-157.6
-158.3
-159.2
-161.0
-161.9
-162.0
-162.2
-163.2
-165.6
-168.5
-170.1
-172.8
-177.3
176.4
169.8
164.9
168.3
166.2
163.7
162.1
160.5
160.1
注：数据包括0.7密耳直径的金焊线：
4栅极布线，每15密耳; 4屏蔽线，每20密耳; 10源电线，每7密耳。
Excelics
初步数据表
+ 31.0dBm典型输出功率
8.5分贝典型功率增益为12 GHz
高BVgd FOR 10V偏压
0.3 X 2400 MICRON RECESSED
“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序40毫安PER BIN范围
50
D
D
EFC240B
低失真功率的GaAs FET
960
156
D
D
48
350
40
S
G
S
120
G
S
G
S
G
S
100
95
50
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 6毫安
O
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
29.0
7.0
典型值
31.0
31.0
8.5
6.0
33
最大
单位
DBM
dB
%
320
200
520
280
-2.5
720
mA
mS
-4.0
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 2.4毫安
源极击穿电压的Ig = 2.4毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-15
-10
-20
-17
20
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
14V
10V
VDS
栅源电压
-8V
-4.5V
VGS
漏电流
IDSS
570mA
IDS
正向栅电流
60mA
10mA
Igsf
输入功率
29dBm
@ 3分贝压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
6.8 W
5.7 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFC240B
初步数据表
低失真功率的GaAs FET
S-参数
10V ， 1/2的Idss
频率
GHz的
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
6.000
7.000
8.000
9.000
10.000
11.000
12.000
13.000
14.000
15.000
16.000
17.000
18.000
19.000
20.000
21.000
22.000
23.000
24.000
25.000
26.000
S11
MAG
0.944
0.915
0.907
0.907
0.912
0.911
0.920
0.915
0.919
0.922
0.925
0.932
0.933
0.939
0.941
0.945
0.946
0.952
0.955
0.955
0.954
0.948
0.958
0.956
0.961
0.954
S11
昂
-86.7
-125.9
-144.8
-155.6
-161.6
-166.1
-169.0
-171.1
-173.3
-176.1
-179.2
178.8
177.0
175.4
172.9
170.6
169.7
170.3
170.4
168.7
160.5
158.1
157.0
156.1
155.3
153.5
S21
MAG
7.064
4.551
3.217
2.450
1.929
1.596
1.362
1.181
1.040
0.922
0.826
0.747
0.681
0.622
0.569
0.522
0.483
0.452
0.421
0.387
0.359
0.327
0.303
0.275
0.251
0.232
S21
昂
130.8
104.6
89.3
78.1
69.0
60.9
54.1
47.7
41.7
35.7
30.0
24.7
19.1
13.8
8.5
3.0
-2.1
-7.0
-12.7
-18.0
-23.1
-26.7
-30.7
-33.9
-36.4
-39.0
S12
MAG
0.041
0.052
0.055
0.054
0.052
0.050
0.049
0.047
0.045
0.041
0.041
0.039
0.037
0.035
0.035
0.035
0.035
0.034
0.034
0.035
0.034
0.035
0.035
0.036
0.038
0.036
S12
昂
41.9
22.7
13.2
6.7
2.7
0.1
-2.2
-3.4
-4.5
-5.2
-6.2
-7.5
-7.5
-7.7
-7.0
-6.4
-7.5
-6.2
-6.5
-3.8
-5.3
-2.1
0.6
2.9
7.7
10.4
S22
MAG
0.296
0.374
0.409
0.433
0.460
0.487
0.512
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0.620
0.647
0.673
0.690
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0.764
0.776
0.791
0.813
0.835
0.847
0.870
0.876
0.887
0.897
S22
昂
-132.9
-146.8
-152.2
-154.1
-157.6
-158.3
-159.2
-161.0
-161.9
-162.0
-162.2
-163.2
-165.6
-168.5
-170.1
-172.8
-177.3
176.4
169.8
164.9
168.3
166.2
163.7
162.1
160.5
160.1
注：数据包括0.7密耳直径的金焊线：
4栅极布线，每15密耳; 4屏蔽线，每20密耳; 10源电线，每7密耳。
Excelics
初步数据表
+ 31.0dBm典型输出功率
8.5分贝典型功率增益为12 GHz
高BVgd FOR 10V偏压
0.3 X 2400 MICRON RECESSED
“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序40毫安PER BIN范围
50
D
D
EFC240B
低失真功率的GaAs FET
960
156
D
D
48
350
40
S
G
S
120
G
S
G
S
G
S
100
95
50
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 6毫安
O
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
29.0
7.0
典型值
31.0
31.0
8.5
6.0
33
最大
单位
DBM
dB
%
320
200
520
280
-2.5
720
mA
mS
-4.0
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 2.4毫安
源极击穿电压的Ig = 2.4毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-15
-10
-20
-17
20
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
14V
10V
VDS
栅源电压
-8V
-4.5V
VGS
漏电流
IDSS
570mA
IDS
正向栅电流
60mA
10mA
Igsf
输入功率
29dBm
@ 3分贝压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
6.8 W
5.7 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFC240B
初步数据表
低失真功率的GaAs FET
S-参数
10V ， 1/2的Idss
频率
GHz的
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
6.000
7.000
8.000
9.000
10.000
11.000
12.000
13.000
14.000
15.000
16.000
17.000
18.000
19.000
20.000
21.000
22.000
23.000
24.000
25.000
26.000
S11
MAG
0.944
0.915
0.907
0.907
0.912
0.911
0.920
0.915
0.919
0.922
0.925
0.932
0.933
0.939
0.941
0.945
0.946
0.952
0.955
0.955
0.954
0.948
0.958
0.956
0.961
0.954
S11
昂
-86.7
-125.9
-144.8
-155.6
-161.6
-166.1
-169.0
-171.1
-173.3
-176.1
-179.2
178.8
177.0
175.4
172.9
170.6
169.7
170.3
170.4
168.7
160.5
158.1
157.0
156.1
155.3
153.5
S21
MAG
7.064
4.551
3.217
2.450
1.929
1.596
1.362
1.181
1.040
0.922
0.826
0.747
0.681
0.622
0.569
0.522
0.483
0.452
0.421
0.387
0.359
0.327
0.303
0.275
0.251
0.232
S21
昂
130.8
104.6
89.3
78.1
69.0
60.9
54.1
47.7
41.7
35.7
30.0
24.7
19.1
13.8
8.5
3.0
-2.1
-7.0
-12.7
-18.0
-23.1
-26.7
-30.7
-33.9
-36.4
-39.0
S12
MAG
0.041
0.052
0.055
0.054
0.052
0.050
0.049
0.047
0.045
0.041
0.041
0.039
0.037
0.035
0.035
0.035
0.035
0.034
0.034
0.035
0.034
0.035
0.035
0.036
0.038
0.036
S12
昂
41.9
22.7
13.2
6.7
2.7
0.1
-2.2
-3.4
-4.5
-5.2
-6.2
-7.5
-7.5
-7.7
-7.0
-6.4
-7.5
-6.2
-6.5
-3.8
-5.3
-2.1
0.6
2.9
7.7
10.4
S22
MAG
0.296
0.374
0.409
0.433
0.460
0.487
0.512
0.549
0.586
0.620
0.647
0.673
0.690
0.716
0.739
0.752
0.764
0.776
0.791
0.813
0.835
0.847
0.870
0.876
0.887
0.897
S22
昂
-132.9
-146.8
-152.2
-154.1
-157.6
-158.3
-159.2
-161.0
-161.9
-162.0
-162.2
-163.2
-165.6
-168.5
-170.1
-172.8
-177.3
176.4
169.8
164.9
168.3
166.2
163.7
162.1
160.5
160.1
注：数据包括0.7密耳直径的金焊线：
4栅极布线，每15密耳; 4屏蔽线，每20密耳; 10源电线，每7密耳。
Excelics
初步数据表
+ 31.0dBm典型输出功率
8.5分贝典型功率增益为12 GHz
高BVgd FOR 10V偏压
0.3 X 2400 MICRON RECESSED
“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序40毫安PER BIN范围
50
D
D
EFC240B
低失真功率的GaAs FET
960
156
D
D
48
350
40
S
G
S
120
G
S
G
S
G
S
100
95
50
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 6毫安
O
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
29.0
7.0
典型值
31.0
31.0
8.5
6.0
33
最大
单位
DBM
dB
%
320
200
520
280
-2.5
720
mA
mS
-4.0
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 2.4毫安
源极击穿电压的Ig = 2.4毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-15
-10
-20
-17
20
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
14V
10V
VDS
栅源电压
-8V
-4.5V
VGS
漏电流
IDSS
570mA
IDS
正向栅电流
60mA
10mA
Igsf
输入功率
29dBm
@ 3分贝压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
6.8 W
5.7 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFC240B
初步数据表
低失真功率的GaAs FET
S-参数
10V ， 1/2的Idss
频率
GHz的
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
6.000
7.000
8.000
9.000
10.000
11.000
12.000
13.000
14.000
15.000
16.000
17.000
18.000
19.000
20.000
21.000
22.000
23.000
24.000
25.000
26.000
S11
MAG
0.944
0.915
0.907
0.907
0.912
0.911
0.920
0.915
0.919
0.922
0.925
0.932
0.933
0.939
0.941
0.945
0.946
0.952
0.955
0.955
0.954
0.948
0.958
0.956
0.961
0.954
S11
昂
-86.7
-125.9
-144.8
-155.6
-161.6
-166.1
-169.0
-171.1
-173.3
-176.1
-179.2
178.8
177.0
175.4
172.9
170.6
169.7
170.3
170.4
168.7
160.5
158.1
157.0
156.1
155.3
153.5
S21
MAG
7.064
4.551
3.217
2.450
1.929
1.596
1.362
1.181
1.040
0.922
0.826
0.747
0.681
0.622
0.569
0.522
0.483
0.452
0.421
0.387
0.359
0.327
0.303
0.275
0.251
0.232
S21
昂
130.8
104.6
89.3
78.1
69.0
60.9
54.1
47.7
41.7
35.7
30.0
24.7
19.1
13.8
8.5
3.0
-2.1
-7.0
-12.7
-18.0
-23.1
-26.7
-30.7
-33.9
-36.4
-39.0
S12
MAG
0.041
0.052
0.055
0.054
0.052
0.050
0.049
0.047
0.045
0.041
0.041
0.039
0.037
0.035
0.035
0.035
0.035
0.034
0.034
0.035
0.034
0.035
0.035
0.036
0.038
0.036
S12
昂
41.9
22.7
13.2
6.7
2.7
0.1
-2.2
-3.4
-4.5
-5.2
-6.2
-7.5
-7.5
-7.7
-7.0
-6.4
-7.5
-6.2
-6.5
-3.8
-5.3
-2.1
0.6
2.9
7.7
10.4
S22
MAG
0.296
0.374
0.409
0.433
0.460
0.487
0.512
0.549
0.586
0.620
0.647
0.673
0.690
0.716
0.739
0.752
0.764
0.776
0.791
0.813
0.835
0.847
0.870
0.876
0.887
0.897
S22
昂
-132.9
-146.8
-152.2
-154.1
-157.6
-158.3
-159.2
-161.0
-161.9
-162.0
-162.2
-163.2
-165.6
-168.5
-170.1
-172.8
-177.3
176.4
169.8
164.9
168.3
166.2
163.7
162.1
160.5
160.1
注：数据包括0.7密耳直径的金焊线：
4栅极布线，每15密耳; 4屏蔽线，每20密耳; 10源电线，每7密耳。
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