Excelics
数据表
+ 36.5dBm典型输出功率
16.0分贝典型功率增益为2GHz
0.5 X 9600 MICRON RECESSED
“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化和镀HEAT SINK
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序160毫安PER BIN范围
'
EFA960B
低失真功率的GaAs FET
'
'
'
6
*
6
*
6
*
6
*
6
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
增益1dB压缩
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 2GHz的
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 25毫安
芯片厚度： 50
±
10微米
（有> 20微米镀金散热器（ PHS） ）
以微米所有尺寸
民
35.0
15.0
典型值
36.5
36.5
16.5
11.5
34
最大
单位
DBM
dB
%
1600
1100
2720
1450
-2.0
3520
mA
mS
-3.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 9.6毫安
源极击穿电压的Ig = 9.6毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-12
-7
-15
-14
5
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
2.8A
IDS
正向栅电流
240mA
40mA
Igsf
输入功率
35dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
27 W
23 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFA960B
数据表
低失真功率的GaAs FET
S-参数
频率
（千兆赫）
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
5.500
6.000
6.500
7.000
7.500
8.000
8.500
9.000
9.500
10.000
注意：
--- S11 ---
MAG ANG
0.963 -150.4
0.962 -165.8
0.961 -171.5
0.961 -174.6
0.962 -176.7
0.962 -178.3
0.962 -179.6
0.962 179.2
0.963 178.2
0.963 177.3
0.964 176.4
0.964 175.6
0.965 174.8
0.965 174.1
0.966 173.3
0.966 172.6
0.967 171.9
0.968 171.2
0.968 170.5
0.969 169.8
8V ， 1/2的Idss
--- S21 ---
MAG ANG
6.232 100.8
3.195
89.5
2.140
83.1
1.608
77.9
1.287
73.2
1.072
68.9
0.919
64.7
0.803
60.7
0.713
56.8
0.641
53.0
0.582
49.3
0.532
45.8
0.490
42.3
0.453
38.9
0.421
35.7
0.392
32.5
0.367
29.5
0.344
26.6
0.324
23.7
0.305
21.0
--- S12 ---
MAG
昂
0.015
20.2
0.015
18.3
0.016
21.0
0.016
24.7
0.017
28.6
0.018
32.5
0.018
36.2
0.019
39.7
0.020
42.9
0.021
45.9
0.022
48.6
0.024
51.0
0.025
53.2
0.026
55.2
0.028
56.9
0.029
58.5
0.031
59.9
0.033
61.1
0.034
62.2
0.036
63.2
--- S22 ---
MAG ANG
0.741 -176.3
0.750 -177.8
0.753 -178.3
0.755 -178.5
0.758 -178.5
0.761 -178.5
0.764 -178.6
0.768 -178.6
0.772 -178.6
0.776 -178.6
0.781 -178.7
0.786 -178.8
0.791 -178.9
0.797 -179.0
0.802 -179.2
0.808 -179.4
0.814 -179.6
0.819 -179.8
0.825 179.9
0.831 179.6
这些数据包括0.7密耳直径的Au键合线：
4栅极布线，每20密耳; 4屏蔽线，每12密耳; 10源电线，每7密耳。
Excelics
数据表
+ 36.5dBm典型输出功率
16.0分贝典型功率增益为2GHz
0.5 X 9600 MICRON RECESSED
“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化和镀HEAT SINK
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序160毫安PER BIN范围
'
EFA960B
低失真功率的GaAs FET
'
'
'
6
*
6
*
6
*
6
*
6
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
增益1dB压缩
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 2GHz的
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 25毫安
芯片厚度： 50
±
10微米
（有> 20微米镀金散热器（ PHS） ）
以微米所有尺寸
民
35.0
15.0
典型值
36.5
36.5
16.5
11.5
34
最大
单位
DBM
dB
%
1600
1100
2720
1450
-2.0
3520
mA
mS
-3.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 9.6毫安
源极击穿电压的Ig = 9.6毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-12
-7
-15
-14
5
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
2.8A
IDS
正向栅电流
240mA
40mA
Igsf
输入功率
35dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
27 W
23 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFA960B
数据表
低失真功率的GaAs FET
S-参数
频率
（千兆赫）
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
5.500
6.000
6.500
7.000
7.500
8.000
8.500
9.000
9.500
10.000
注意：
--- S11 ---
MAG ANG
0.963 -150.4
0.962 -165.8
0.961 -171.5
0.961 -174.6
0.962 -176.7
0.962 -178.3
0.962 -179.6
0.962 179.2
0.963 178.2
0.963 177.3
0.964 176.4
0.964 175.6
0.965 174.8
0.965 174.1
0.966 173.3
0.966 172.6
0.967 171.9
0.968 171.2
0.968 170.5
0.969 169.8
8V ， 1/2的Idss
--- S21 ---
MAG ANG
6.232 100.8
3.195
89.5
2.140
83.1
1.608
77.9
1.287
73.2
1.072
68.9
0.919
64.7
0.803
60.7
0.713
56.8
0.641
53.0
0.582
49.3
0.532
45.8
0.490
42.3
0.453
38.9
0.421
35.7
0.392
32.5
0.367
29.5
0.344
26.6
0.324
23.7
0.305
21.0
--- S12 ---
MAG
昂
0.015
20.2
0.015
18.3
0.016
21.0
0.016
24.7
0.017
28.6
0.018
32.5
0.018
36.2
0.019
39.7
0.020
42.9
0.021
45.9
0.022
48.6
0.024
51.0
0.025
53.2
0.026
55.2
0.028
56.9
0.029
58.5
0.031
59.9
0.033
61.1
0.034
62.2
0.036
63.2
--- S22 ---
MAG ANG
0.741 -176.3
0.750 -177.8
0.753 -178.3
0.755 -178.5
0.758 -178.5
0.761 -178.5
0.764 -178.6
0.768 -178.6
0.772 -178.6
0.776 -178.6
0.781 -178.7
0.786 -178.8
0.791 -178.9
0.797 -179.0
0.802 -179.2
0.808 -179.4
0.814 -179.6
0.819 -179.8
0.825 179.9
0.831 179.6
这些数据包括0.7密耳直径的Au键合线：
4栅极布线，每20密耳; 4屏蔽线，每12密耳; 10源电线，每7密耳。
Excelics
数据表
+ 36.5dBm典型输出功率
16.0分贝典型功率增益为2GHz
0.5 X 9600 MICRON RECESSED
“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化和镀HEAT SINK
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序160毫安PER BIN范围
'
EFA960B
低失真功率的GaAs FET
'
'
'
6
*
6
*
6
*
6
*
6
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
增益1dB压缩
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 2GHz的
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 25毫安
芯片厚度： 50
±
10微米
（有> 20微米镀金散热器（ PHS） ）
以微米所有尺寸
民
35.0
15.0
典型值
36.5
36.5
16.5
11.5
34
最大
单位
DBM
dB
%
1600
1100
2720
1450
-2.0
3520
mA
mS
-3.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 9.6毫安
源极击穿电压的Ig = 9.6毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-12
-7
-15
-14
5
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
2.8A
IDS
正向栅电流
240mA
40mA
Igsf
输入功率
35dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
27 W
23 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFA960B
数据表
低失真功率的GaAs FET
S-参数
频率
（千兆赫）
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
5.500
6.000
6.500
7.000
7.500
8.000
8.500
9.000
9.500
10.000
注意：
--- S11 ---
MAG ANG
0.963 -150.4
0.962 -165.8
0.961 -171.5
0.961 -174.6
0.962 -176.7
0.962 -178.3
0.962 -179.6
0.962 179.2
0.963 178.2
0.963 177.3
0.964 176.4
0.964 175.6
0.965 174.8
0.965 174.1
0.966 173.3
0.966 172.6
0.967 171.9
0.968 171.2
0.968 170.5
0.969 169.8
8V ， 1/2的Idss
--- S21 ---
MAG ANG
6.232 100.8
3.195
89.5
2.140
83.1
1.608
77.9
1.287
73.2
1.072
68.9
0.919
64.7
0.803
60.7
0.713
56.8
0.641
53.0
0.582
49.3
0.532
45.8
0.490
42.3
0.453
38.9
0.421
35.7
0.392
32.5
0.367
29.5
0.344
26.6
0.324
23.7
0.305
21.0
--- S12 ---
MAG
昂
0.015
20.2
0.015
18.3
0.016
21.0
0.016
24.7
0.017
28.6
0.018
32.5
0.018
36.2
0.019
39.7
0.020
42.9
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45.9
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48.6
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51.0
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53.2
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55.2
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56.9
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58.5
0.031
59.9
0.033
61.1
0.034
62.2
0.036
63.2
--- S22 ---
MAG ANG
0.741 -176.3
0.750 -177.8
0.753 -178.3
0.755 -178.5
0.758 -178.5
0.761 -178.5
0.764 -178.6
0.768 -178.6
0.772 -178.6
0.776 -178.6
0.781 -178.7
0.786 -178.8
0.791 -178.9
0.797 -179.0
0.802 -179.2
0.808 -179.4
0.814 -179.6
0.819 -179.8
0.825 179.9
0.831 179.6
这些数据包括0.7密耳直径的Au键合线：
4栅极布线，每20密耳; 4屏蔽线，每12密耳; 10源电线，每7密耳。
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