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EFA480C-CP083
已更新2004年12月28日
低失真功率的GaAs FET
特点
非密封表面贴装
160MIL金属陶瓷封装
在1dB压缩33.5 dBm的输出功率
16.0分贝增益为2 GHz的
0.5x4800 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结简介
提供了额外的高功率效率和高
可靠性
在密尔的所有尺寸
公差: ± 3万
电气特性(T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
TH
*
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=
VDS = 8 V , IDS = 50 %的Idss
f=
增益1dB压缩
f=
VDS = 8 V , IDS = 50 %的Idss
f=
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8 V , IDS = 50 %的Idss
f=
饱和漏极电流
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
热阻
2.0 GHz的
4.0 GHz的
2.0 GHz的
4.0 GHz的
2.0 GHz的
注意! ESD敏感器件。
32.0
14.5
典型值
33.5
33.5
16.0
11.0
35
800
560
1360
720
-2.0
-12
-7
-15
-14
14*
o
最大
单位
DBM
dB
%
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V,I
DS
= 10毫安
I
GD
= 4.8毫安
I
GS
= 4.8毫安
1760
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
注意事项:
*
总体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
IDS
Igsf
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-8V
IDSS
120mA
32dBm
175
o
C
-65/175
o
C
9.7W
连续
2
8V
-4.0V
1.0A
20mA
@ 3分贝压缩
150
o
C
-65/150
o
C
8.1W
注: 1超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道,桑尼维尔,CA 94085
电话: 408-737-1711传真: 408-737-1868网址:
www.excelics.com
第1页2
修订后的2005年1月
EFA480C-CP083
已更新2004年12月28日
低失真功率的GaAs FET
S-参数
8V , 1/2的Idss
频率
(千兆赫)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
--- S11 ---
--- S21 ---
MAG
MAG ANG
0.962 -126.6 10.630 107.1
0.954 -160.5 5.887
81.8
0.867 -174.8 4.989
69.7
0.854 171.4 3.891
55.7
0.840 161.0 3.287
43.1
0.826 151.3 2.978
30.3
0.805 139.5 2.803
15.9
0.781 124.9 2.672
-0.2
0.766 106.6 2.539
-17.8
0.760
86.7
2.384
-36.0
0.764
66.6
2.216
-54.4
0.773
47.5
2.049
-72.6
0.785
29.3
1.927
-89.9
0.802
7.3
1.813 -110.7
0.837
-17.0
1.599 -133.8
0.876
-38.5
1.288 -154.6
0.912
-53.7
1.010 -171.2
0.921
-64.5
0.786 175.8
0.929
-72.1
0.652 165.0
0.945
-81.4
0.581 156.5
--- S12 ---
MAG
0.018
32.4
0.021
23.2
0.030
24.2
0.034
20.3
0.040
16.4
0.046
11.2
0.056
4.0
0.065
-6.7
0.074
-17.9
0.082
-31.2
0.090
-44.5
0.096
-58.5
0.101
-72.1
0.106
-88.9
0.101 -106.9
0.089 -123.1
0.076 -136.9
0.065 -143.6
0.061 -156.6
0.058 -165.6
--- S22 ---
MAG
0.607 -175.7
0.612 177.7
0.524 168.9
0.516 163.0
0.490 157.7
0.446 151.8
0.397 143.7
0.351 132.3
0.323 116.2
0.316
98.1
0.322
79.8
0.332
60.8
0.313
38.4
0.352
13.8
0.438
-11.9
0.541
-32.6
0.641
-46.1
0.701
-55.5
0.721
-63.7
0.757
-66.3
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道,桑尼维尔,CA 94085
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修订后的2005年1月
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
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