Excelics
初步数据表
EFA120D-SOT89
DC-4GHz
177-183
65-75
来源
低失真功率的GaAs FET
特点
低成本表面贴装塑料封装
+ 28.0dBm典型输出功率
14.0分贝典型功率增益为2GHz
0.7分贝典型噪声系数在2GHz
+ 42dBm的典型输出3阶截取点
在2GHz
0.5 X 2400 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率,
线性度和可靠性
65-69
160-170
95-100
来源
29-31
59
16-20
14-16
应用
模拟和数字无线系统
百帕
( TOP VIEW )
在密尔的所有维度
电气特性(T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
IP3
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
VDS = 7V ,IDS = 180毫安
增益1dB压缩
F = 2GHz的
VDS = 7V ,IDS = 180毫安
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 7V ,IDS = 180毫安
F = 2GHz的
噪声系数
F = 2GHz的
VDS = 5V ,IDS = 75毫安
VDS = 5-7V ,IDS = 180毫安
输出3阶截取点
F = 2GHz的
VDS = 5-7V ,IDS = 180毫安
VDS = 5V ,IDS = 75毫安
饱和漏极电流VDS = 3V , VGS = 0V
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V ,IDS = 3毫安
-11
-7
民
26.5
12.0
典型值
28.0
14.0
45
0.7
1.2
42
33
220
140
340
180
-2.0
-15
-14
43*
o
最大
漏
门
单位
DBM
dB
%
dB
DBM
440
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
漏极耐压IGD = 1.2毫安
源极击穿电压的Ig = 1.2毫安
热阻
*整体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-8V
IDSS
30mA
26dBm
175 C
-65/175
o
C
3.2 W
o
连续
2
7V
-4V
390mA
5mA
@ 3分贝压缩
150
o
C
-65/150
o
C
2.7 W
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司, 2908斯科特大道,圣克拉拉, CA 95054
电话: ( 408 ) 970-8664传真: ( 408 ) 970-8998网址: www.excelics.com
44
15-25
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177-183
65-75
来源
低失真功率的GaAs FET
特点
低成本表面贴装塑料封装
+ 28.0dBm典型输出功率
14.0分贝典型功率增益为2GHz
0.7分贝典型噪声系数在2GHz
+ 42dBm的典型输出3阶截取点
在2GHz
0.5 X 2400 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率,
线性度和可靠性
65-69
160-170
95-100
来源
29-31
59
16-20
14-16
应用
模拟和数字无线系统
百帕
( TOP VIEW )
在密尔的所有维度
电气特性(T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
IP3
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
VDS = 7V ,IDS = 180毫安
增益1dB压缩
F = 2GHz的
VDS = 7V ,IDS = 180毫安
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 7V ,IDS = 180毫安
F = 2GHz的
噪声系数
F = 2GHz的
VDS = 5V ,IDS = 75毫安
VDS = 5-7V ,IDS = 180毫安
输出3阶截取点
F = 2GHz的
VDS = 5-7V ,IDS = 180毫安
VDS = 5V ,IDS = 75毫安
饱和漏极电流VDS = 3V , VGS = 0V
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V ,IDS = 3毫安
-11
-7
民
26.5
12.0
典型值
28.0
14.0
45
0.7
1.2
42
33
220
140
340
180
-2.0
-15
-14
43*
o
最大
漏
门
单位
DBM
dB
%
dB
DBM
440
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
漏极耐压IGD = 1.2毫安
源极击穿电压的Ig = 1.2毫安
热阻
*整体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-8V
IDSS
30mA
26dBm
175 C
-65/175
o
C
3.2 W
o
连续
2
7V
-4V
390mA
5mA
@ 3分贝压缩
150
o
C
-65/150
o
C
2.7 W
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司, 2908斯科特大道,圣克拉拉, CA 95054
电话: ( 408 ) 970-8664传真: ( 408 ) 970-8998网址: www.excelics.com
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