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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第454页 > EFA120D-SOT89
Excelics
初步数据表
EFA120D-SOT89
DC-4GHz
177-183
65-75
来源
低失真功率的GaAs FET
特点
低成本表面贴装塑料封装
+ 28.0dBm典型输出功率
14.0分贝典型功率增益为2GHz
0.7分贝典型噪声系数在2GHz
+ 42dBm的典型输出3阶截取点
在2GHz
0.5 X 2400 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率,
线性度和可靠性
65-69
160-170
95-100
来源
29-31
59
16-20
14-16
应用
模拟和数字无线系统
百帕
( TOP VIEW )
在密尔的所有维度
电气特性(T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
IP3
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
VDS = 7V ,IDS = 180毫安
增益1dB压缩
F = 2GHz的
VDS = 7V ,IDS = 180毫安
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 7V ,IDS = 180毫安
F = 2GHz的
噪声系数
F = 2GHz的
VDS = 5V ,IDS = 75毫安
VDS = 5-7V ,IDS = 180毫安
输出3阶截取点
F = 2GHz的
VDS = 5-7V ,IDS = 180毫安
VDS = 5V ,IDS = 75毫安
饱和漏极电流VDS = 3V , VGS = 0V
捏-O FF电压
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V ,IDS = 3毫安
-11
-7
26.5
12.0
典型值
28.0
14.0
45
0.7
1.2
42
33
220
140
340
180
-2.0
-15
-14
43*
o
最大
单位
DBM
dB
%
dB
DBM
440
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
漏极耐压IGD = 1.2毫安
源极击穿电压的Ig = 1.2毫安
热阻
*整体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
IDS
Igsf
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-8V
IDSS
30mA
26dBm
175 C
-65/175
o
C
3.2 W
o
连续
2
7V
-4V
390mA
5mA
@ 3分贝压缩
150
o
C
-65/150
o
C
2.7 W
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司, 2908斯科特大道,圣克拉拉, CA 95054
电话: ( 408 ) 970-8664传真: ( 408 ) 970-8998网址: www.excelics.com
44
15-25
EFA120D-SOT89
初步数据表
DC-4GHz
低失真功率的GaAs FET
S-参数
5V , 75毫安
频率
GHz的
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
--- S11 ---
MAG
0.974
0.983
0.969
0.955
0.942
-17.9
-35.1
-51.2
-65.9
-79.0
--- S21 ---
MAG
--- S12 ---
MAG
60.8
69.6
63.9
54.6
49.7
26.6
20.0
8.9
-0.7
-10.4
-21.5
-33.4
-45.7
-57.4
-67.6
-76.9
--- S22 ---
MAG
0.101
0.155
0.199
-48.3
-78.1
-94.1
频率
GHz的
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1.0
1.5
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2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
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--- S11 ---
MAG
0.988
0.990
0.981
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-34.6
-50.5
-65.4
-78.3
MAG
7V , 180毫安
--- S21 ---
--- S12 ---
MAG
83.2
71.4
64.1
56.5
49.6
25.1
18.8
7.5
-2.0
-11.7
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-33.5
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-71.4
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5.973
4.781
4.029
3.532
3.169
2.812
2.443
2.080
1.769
1.520
97.3
82.1
62.6
45.6
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11.6
-6.5
-24.7
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-56.1
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4.755
4.027
3.515
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2.430
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1.789
1.556
96.7
81.2
61.3
43.8
26.8
9.3
-9.2
-27.0
-43.6
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-73.1
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0.496
163.7
148.2
127.5
100.6
73.7
54.0
39.0
26.8
0.865 -126.8
0.742 -142.0
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0.681
0.657
0.648
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171.4
151.4
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127.5
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63.3
48.8
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0.311 -137.9
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0.135
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0.347
0.413
172.8
152.4
115.7
75.4
52.4
37.1
27.0
Excelics
初步数据表
EFA120D-SOT89
DC-4GHz
177-183
65-75
来源
低失真功率的GaAs FET
特点
低成本表面贴装塑料封装
+ 28.0dBm典型输出功率
14.0分贝典型功率增益为2GHz
0.7分贝典型噪声系数在2GHz
+ 42dBm的典型输出3阶截取点
在2GHz
0.5 X 2400 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率,
线性度和可靠性
65-69
160-170
95-100
来源
29-31
59
16-20
14-16
应用
模拟和数字无线系统
百帕
( TOP VIEW )
在密尔的所有维度
电气特性(T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
IP3
IDSS
Gm
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在1dB压缩输出功率
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VDS = 5V ,IDS = 75毫安
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捏-O FF电压
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V ,IDS = 3毫安
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28.0
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340
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o
最大
单位
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DBM
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V
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符号
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TSTG
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漏源电压
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@ 3分贝压缩
150
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C
-65/150
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2.7 W
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司, 2908斯科特大道,圣克拉拉, CA 95054
电话: ( 408 ) 970-8664传真: ( 408 ) 970-8998网址: www.excelics.com
44
15-25
EFA120D-SOT89
初步数据表
DC-4GHz
低失真功率的GaAs FET
S-参数
5V , 75毫安
频率
GHz的
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1.0
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2.5
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MAG
--- S12 ---
MAG
60.8
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54.6
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8.9
-0.7
-10.4
-21.5
-33.4
-45.7
-57.4
-67.6
-76.9
--- S22 ---
MAG
0.101
0.155
0.199
-48.3
-78.1
-94.1
频率
GHz的
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
--- S11 ---
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0.988
0.990
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0.974
0.958
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-34.6
-50.5
-65.4
-78.3
MAG
7V , 180毫安
--- S21 ---
--- S12 ---
MAG
83.2
71.4
64.1
56.5
49.6
25.1
18.8
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97.3
82.1
62.6
45.6
29.1
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-24.7
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-56.1
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-9.2
-27.0
-43.6
-59.0
-73.1
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172.8
152.4
115.7
75.4
52.4
37.1
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EFA120D-SOT89
    -
    -
    -
    -
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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24+
25000
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全新进口原装现货!
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
EFA120D-SOT89
√ 欧美㊣品
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9309
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联系人:刘先生
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EFA120D-SOT89
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十五年专营 金牌供应商
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电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
EFA120D-SOT89
EAGLEWARE
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假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
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