Excelics
数据表
+ 20.0dBm典型输出功率
11.5分贝典型功率增益为12 GHz
0.3 X 250微米嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序5毫安PER BIN范围
O
EFA025AL
高增益砷化镓功率FET
420
50
104
D
D
48
260
40
S
G
G
S
90
59
50 78
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.0毫安
-12
-7
17.0
9.5
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
典型值
20.0
20.0
11.5
9.0
38
最大
单位
DBM
dB
%
20
30
45
50
-1.5
-15
-14
155
65
mA
mS
-2.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
IDSS
IDS
正向栅电流
6mA
1mA
Igsf
输入功率
19dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
880mW
730mW
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFA025AL
数据表
高增益砷化镓功率FET
S-参数
频率
（千兆赫）
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
注意：
--- S11 ---
MAG ANG
0.990 -19.8
0.970 -38.4
0.927 -55.0
0.895 -69.0
0.862 -81.3
0.838 -91.8
0.815 -101.4
0.802 -110.2
0.779 -118.3
0.769 -125.4
0.765 -132.3
0.764 -139.0
0.769 -144.9
0.771 -150.5
0.779 -155.4
0.781 -159.8
0.786 -163.1
0.793 -166.7
0.794 -170.0
0.786 -173.1
0.773 -175.2
0.762 -177.7
0.763 -179.9
0.762 176.7
0.759 173.1
0.753 170.5
8V ， 1/2的Idss
--- S21 ---
--- S12 ---
MAG ANG
MAG ANG
5.439 163.7
0.014
78.3
5.095 150.4
0.027
68.7
4.719 137.3
0.037
58.7
4.328 126.3
0.043
52.7
3.961 116.0
0.049
45.8
3.630 107.0
0.051
41.8
3.327
98.8
0.054
37.2
3.078
90.9
0.055
33.0
2.822
83.7
0.056
28.4
2.613
77.3
0.053
25.0
2.436
71.1
0.052
23.8
2.285
64.8
0.051
22.4
2.150
58.9
0.051
20.1
2.032
53.3
0.050
19.7
1.945
47.5
0.051
20.2
1.852
41.3
0.053
20.5
1.783
35.8
0.056
19.3
1.732
29.6
0.061
17.0
1.674
22.7
0.063
16.1
1.607
15.7
0.067
14.6
1.505
9.1
0.070
12.7
1.437
3.0
0.071
13.3
1.368
-2.4
0.076
16.5
1.305
-8.5
0.083
16.6
1.235 -14.3
0.088
16.8
1.168 -18.0
0.092
17.9
--- S22 ---
MAG
昂
0.787
-7.4
0.772
-14.1
0.751
-20.6
0.727
-26.3
0.709
-32.1
0.692
-37.1
0.681
-42.0
0.675
-46.6
0.663
-51.0
0.655
-54.8
0.651
-58.5
0.645
-62.0
0.636
-65.3
0.628
-69.1
0.619
-73.7
0.614
-79.6
0.593
-86.9
0.580
-95.4
0.577 -105.2
0.582 -116.6
0.590 -128.3
0.604 -138.3
0.637 -146.1
0.678 -153.2
0.703 -158.7
0.721 -161.8
这些数据包括0.7密耳直径的Au键合线：
2门线，每15密耳; 2屏蔽线，每20密耳; 4源线，每7密耳。
Excelics
数据表
+ 20.0dBm典型输出功率
11.5分贝典型功率增益为12 GHz
0.3 X 250微米嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序5毫安PER BIN范围
O
EFA025AL
高增益砷化镓功率FET
420
50
104
D
D
48
260
40
S
G
G
S
90
59
50 78
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.0毫安
-12
-7
17.0
9.5
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
典型值
20.0
20.0
11.5
9.0
38
最大
单位
DBM
dB
%
20
30
45
50
-1.5
-15
-14
155
65
mA
mS
-2.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
IDSS
IDS
正向栅电流
6mA
1mA
Igsf
输入功率
19dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
880mW
730mW
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFA025AL
数据表
高增益砷化镓功率FET
S-参数
频率
（千兆赫）
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
注意：
--- S11 ---
MAG ANG
0.990 -19.8
0.970 -38.4
0.927 -55.0
0.895 -69.0
0.862 -81.3
0.838 -91.8
0.815 -101.4
0.802 -110.2
0.779 -118.3
0.769 -125.4
0.765 -132.3
0.764 -139.0
0.769 -144.9
0.771 -150.5
0.779 -155.4
0.781 -159.8
0.786 -163.1
0.793 -166.7
0.794 -170.0
0.786 -173.1
0.773 -175.2
0.762 -177.7
0.763 -179.9
0.762 176.7
0.759 173.1
0.753 170.5
8V ， 1/2的Idss
--- S21 ---
--- S12 ---
MAG ANG
MAG ANG
5.439 163.7
0.014
78.3
5.095 150.4
0.027
68.7
4.719 137.3
0.037
58.7
4.328 126.3
0.043
52.7
3.961 116.0
0.049
45.8
3.630 107.0
0.051
41.8
3.327
98.8
0.054
37.2
3.078
90.9
0.055
33.0
2.822
83.7
0.056
28.4
2.613
77.3
0.053
25.0
2.436
71.1
0.052
23.8
2.285
64.8
0.051
22.4
2.150
58.9
0.051
20.1
2.032
53.3
0.050
19.7
1.945
47.5
0.051
20.2
1.852
41.3
0.053
20.5
1.783
35.8
0.056
19.3
1.732
29.6
0.061
17.0
1.674
22.7
0.063
16.1
1.607
15.7
0.067
14.6
1.505
9.1
0.070
12.7
1.437
3.0
0.071
13.3
1.368
-2.4
0.076
16.5
1.305
-8.5
0.083
16.6
1.235 -14.3
0.088
16.8
1.168 -18.0
0.092
17.9
--- S22 ---
MAG
昂
0.787
-7.4
0.772
-14.1
0.751
-20.6
0.727
-26.3
0.709
-32.1
0.692
-37.1
0.681
-42.0
0.675
-46.6
0.663
-51.0
0.655
-54.8
0.651
-58.5
0.645
-62.0
0.636
-65.3
0.628
-69.1
0.619
-73.7
0.614
-79.6
0.593
-86.9
0.580
-95.4
0.577 -105.2
0.582 -116.6
0.590 -128.3
0.604 -138.3
0.637 -146.1
0.678 -153.2
0.703 -158.7
0.721 -161.8
这些数据包括0.7密耳直径的Au键合线：
2门线，每15密耳; 2屏蔽线，每20密耳; 4源线，每7密耳。
Excelics
数据表
+ 20.0dBm典型输出功率
11.5分贝典型功率增益为12 GHz
0.3 X 250微米嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序5毫安PER BIN范围
O
EFA025AL
高增益砷化镓功率FET
420
50
104
D
D
48
260
40
S
G
G
S
90
59
50 78
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.0毫安
-12
-7
17.0
9.5
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
典型值
20.0
20.0
11.5
9.0
38
最大
单位
DBM
dB
%
20
30
45
50
-1.5
-15
-14
155
65
mA
mS
-2.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
IDSS
IDS
正向栅电流
6mA
1mA
Igsf
输入功率
19dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
880mW
730mW
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EFA025AL
数据表
高增益砷化镓功率FET
S-参数
频率
（千兆赫）
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
注意：
--- S11 ---
MAG ANG
0.990 -19.8
0.970 -38.4
0.927 -55.0
0.895 -69.0
0.862 -81.3
0.838 -91.8
0.815 -101.4
0.802 -110.2
0.779 -118.3
0.769 -125.4
0.765 -132.3
0.764 -139.0
0.769 -144.9
0.771 -150.5
0.779 -155.4
0.781 -159.8
0.786 -163.1
0.793 -166.7
0.794 -170.0
0.786 -173.1
0.773 -175.2
0.762 -177.7
0.763 -179.9
0.762 176.7
0.759 173.1
0.753 170.5
8V ， 1/2的Idss
--- S21 ---
--- S12 ---
MAG ANG
MAG ANG
5.439 163.7
0.014
78.3
5.095 150.4
0.027
68.7
4.719 137.3
0.037
58.7
4.328 126.3
0.043
52.7
3.961 116.0
0.049
45.8
3.630 107.0
0.051
41.8
3.327
98.8
0.054
37.2
3.078
90.9
0.055
33.0
2.822
83.7
0.056
28.4
2.613
77.3
0.053
25.0
2.436
71.1
0.052
23.8
2.285
64.8
0.051
22.4
2.150
58.9
0.051
20.1
2.032
53.3
0.050
19.7
1.945
47.5
0.051
20.2
1.852
41.3
0.053
20.5
1.783
35.8
0.056
19.3
1.732
29.6
0.061
17.0
1.674
22.7
0.063
16.1
1.607
15.7
0.067
14.6
1.505
9.1
0.070
12.7
1.437
3.0
0.071
13.3
1.368
-2.4
0.076
16.5
1.305
-8.5
0.083
16.6
1.235 -14.3
0.088
16.8
1.168 -18.0
0.092
17.9
--- S22 ---
MAG
昂
0.787
-7.4
0.772
-14.1
0.751
-20.6
0.727
-26.3
0.709
-32.1
0.692
-37.1
0.681
-42.0
0.675
-46.6
0.663
-51.0
0.655
-54.8
0.651
-58.5
0.645
-62.0
0.636
-65.3
0.628
-69.1
0.619
-73.7
0.614
-79.6
0.593
-86.9
0.580
-95.4
0.577 -105.2
0.582 -116.6
0.590 -128.3
0.604 -138.3
0.637 -146.1
0.678 -153.2
0.703 -158.7
0.721 -161.8
这些数据包括0.7密耳直径的Au键合线：
2门线，每15密耳; 2屏蔽线，每20密耳; 4源线，每7密耳。
QQ：2881677436 复制
